На прилавках магазинов представлено несметное количество различных модулей оперативной памяти. Тот, кому приходится подыскивать память для новой системы, оказывается перед очень непростым выбором: стоимость модулей DDR4 SDRAM одинакового объёма и рассчитанных на одну и ту же частоту может расходиться и вдвое, и даже сильнее. И на то есть как минимум две веские причины. Во-первых, с появлением процессоров семейства Ryzen влияние характеристик подсистемы памяти на общее быстродействие сильно возросло. В таких платформах правильным подбором модулей памяти можно действительно добиваться значительно более высокой производительности в повседневных задачах и играх, прирост которой в ряде случаев может превосходить выигрыш, который дало бы применение более быстрого CPU. Во-вторых, присутствующие в настоящее время в продаже модули памяти и в самом деле заметно отличаются друг от друга. Производители микросхем DRAM предлагают очень разные по своим свойствам чипы, которые различаются даже разрешением техпроцесса, применяемым при их производстве. В дополнение к этому поставщики модулей DDR4 SDRAM дополнительно сортируют микросхемы по качеству, и это в конечном итоге приводит к тому, что продающаяся сейчас память – целый мир, разнообразия в котором не меньше, чем среди, например, видеокарт.
Среди производителей модулей памяти есть несколько компаний, которые специализируются на создании продуктов для энтузиастов и очень хорошо понимают всё сказанное в предыдущем абзаце. Память, предлагаемая такими фирмами, обычно не только обладает более продвинутыми характеристиками и выделяется предустановленными радиаторами и более красочным внешним видом, но и располагает некоторым дополнительным разгонным потенциалом, который при желании и умении можно задействовать для получения ещё более высокого быстродействия. К числу производителей передовой оверклокерской памяти в первую очередь принято относить G.Skill и Corsair – модули памяти именно этих фирм доминируют в результатах разгона на портале hwbot.org. Но и среди продуктов G.Skill и Corsair не все предлагаемые модули схожи по своим возможностям. У одних комплектов выше разгонный потенциал, другие предлагают лучшие параметры без необходимости какой-либо особой настройки, но встречаются и некоторые универсальные варианты, с одним из примеров которых мы познакомимся ниже.
Для этого обзора свой новый продукт предложила G.Skill. К выходу процессоров Ryzen 5000 она обновила популярный модельный ряд Trident Z Neo, добавив в него комплекты памяти объёмом по 32 Гбайт, ориентированные на работу в оптимальных для новых процессоров AMD режимах DDR4-3600, DDR4-3800 и DDR4-4000. Некоторые из таких модулей, помимо прочего, получили низкие задержки, которые, как показывает практика, бывают очень полезны для современных Socket AM4-систем. Полученный нами комплект F4-3600C14D-32GTZN как раз и отличается тем, что рассчитан на работу с частотой 3600 МГц при агрессивной схеме таймингов 14-15-15-35. Поддержкой столь низких задержек на сегодняшний день могут похвастать очень немногие модули памяти объёмом 16 Гбайт: фактически помимо G.Skill подобную память предлагает разве только Team Group. Поэтому знакомство с этим набором модулей вызвало у нас живой интерес. И в этом материале мы проверим, действительно ли схема таймингов с задержкой CAS Latency, сниженной до 14, делает 32-гигабайтный комплект DDR4-3600 из ряда вон выходящим предложением для энтузиастов.
⇡#Спецификация и комплект поставки
Итак, перед нами комплект памяти G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN. Он представляет собой двухканальный набор из двух модулей DDR4-3600 SDRAM ёмкостью по 16 Гбайт, каждый из которых имеет свой собственный артикул F4-3600C14-16GTZN.
Маркировка модулей памяти G.Skill никак не отражает элементную базу, используемую в их основе. Тем не менее, в отличие от продукции многих других производителей памяти, чипы в модулях G.Skill обычно не меняются в течение жизненного цикла, и это – их очень ценное свойство, позволяющее делать выбор, не опасаясь какого-то неожиданного подвоха. Поэтому мы можем с уверенностью утверждать, что в комплекте G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN используются чипы Samsung B-die, и именно такие микросхемы будут применяться и дальше. А это значит, что рассматриваемый комплект авансом можно отнести к оверклокерским фаворитам. Память, основанная на микросхемах Samsung B-die, отлично разгоняется по частоте и действительно способна работать при низких задержках, что во многом и определяет характеристики комплекта F4-3600C14D-32GTZN.
Что касается формальных спецификаций, то они у комплекта F4-3600C14D-32GTZN выглядят так:
В описании модулей памяти производитель отдельно указывает, что они оптимизированы для систем на базе процессоров Ryzen. Список совместимых платформ, с которыми модули протестированы на стабильную работоспособность, включает многочисленные платы ASUS, Gigabyte и MSI, основанные на наборах системной логики X570 и B550. Однако это не отменяет возможности использования рассматриваемого комплекта в платформе Intel. Среди подходящих материнских плат G.Skill также указывает несколько продуктов ASUS и MSI на чипсете Z490.
Комплект поставки набора модулей памяти G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN вряд ли способен удивить кого-то своим богатством. Покупатель, остановивший выбор на этих планках DDR4-3600, получит в своё распоряжение только память и небольшой стикер с логотипом производителя.
Но стоимость рассматриваемого набора Trident Z Neo при этом способна поразить многих. Из-за агрессивных задержек и высококачественных чипов он стоит примерно $300 на мировом рынке или около 32 тысяч рублей в России. Это в полтора-два раза дороже DDR4-3600-модулей Crucial Ballistix RGB, которые принято считать наиболее выгодным вариантом по соотношению цены и производительности, что однозначно ставит набор F4-3600C14D-32GTZN в положение элитного и нишевого продукта.
Модули памяти Trident Z Neo обладают очень узнаваемым внешним видом. Обе стороны печатной платы с чипами закрыты толстыми пластинами из шлифованного алюминия чёрного цвета. Примерно половина поверхности этих пластин накрыта наклеенными поверх декоративными серебристыми панелями, также выполненными из алюминия. Гребень модулей при этом размещён под полупрозрачной пластиковой вставкой, которая служит светорассеивателем для RGB-подстветки.
На пластиковых деталях нанесено название производителя – G.Skill, а на теплорассеивателе белой краской указано название серии – Trident Z Neo. Благодаря простым рубленым формам модули смотрятся лаконично и строго, и с точки зрения экстерьера они явно выигрывают у подавляющего большинства представленной на рынке оверклокерской памяти. Высота модулей с радиаторами в сборе – 44 мм, что позволяет без проблем эксплуатировать их в системах с массивными процессорными кулерами.
Отдельный козырь G.Skill Trident Z Neo – RGB-подсветка. Она распределена по всему верхнему ребру планок памяти и формируется шеренгой RGB-светодиодов. По умолчанию они циклично переливаются всеми возможными цветами, но подсветкой можно и управлять. Для этого G.Skill предлагает специальную утилиту Trident Z Lighting Control, которая позволяет настраивать цвета и эффекты.
Но гораздо ценнее, что модули G.Skill Trident Z Neo совместимы с системами RGB-подсветки производителей материнских плат. Поэтому управлять их светимостью можно и через их ПО вроде ASRock Polychrome Sync, ASUS Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion, MSI Mystic Light и т. п. И более того, алгоритм работы подсветки памяти можно синхронизировать с тем, как работает иллюминация на плате и на других компонентах системы.
⇡#Внутреннее устройство и особенности работы
Честно говоря, вся современная DDR4-память G.Skill Trident Z схожа по конструкции. Разработчики смогли спроектировать довольно удачную схему и печатную плату, и теперь она применяется во всей DDR4-продукции, а разница состоит лишь в том, какие чипы припаиваются при сборке тех или иных модулей. Поэтому ничего оригинального или неожиданного при разборке модулей комплекта F4-3600C14D-32GTZN не обнаруживается.
 |
 |
Под теплорассеивающими пластинами, которые держатся на двухстороннем скотче с теплопроводящей основой, находятся двухсторонние планки памяти, собранные на традиционных для G.Skill чёрных 10-слойных печатных платах. На них с двух сторон смонтировано по восемь 8-Гбит чипов Samsung B-die со знакомой энтузиастам маркировкой K4A8G085WB-BCPB. Таким образом, рассматриваемые модули ёмкостью 16 Гбайт – двухранговые.
В верхней части модулей, по пять штук с каждой стороны, расположены светодиоды, отвечающие за подсветку. Кроме того, в оснащение модулей входит SPD-микросхема Giantek GT34TS04 с температурным сенсором, благодаря которому информация о температуре модулей памяти доступна операционной системе.
Применённые в составе F4-3600C14D-32GTZN чипы памяти Samsung B-die рассчитаны на работу в режиме DDR4-2133 с таймингами 15-15-15, но они отменно разгоняются при увеличении напряжения питания. Соответственно, секрет высокой частоты и низких таймингов рассматриваемых модулей заключается не только в том, что G.Skill выбирает для них наиболее удачные чипы, но ещё и в том, что для них определено напряжение питания 1,45 В. Иными словами, G.Skill взяла на вооружение приём, которым раньше пользовались оверклокеры-экстремалы. Высокое номинальное напряжение (а обычное напряжение для DDR4-памяти – 1,2 В) в комплекте F4-3600C14D-32GTZN позволяет выжать из чипов Samsung B-die частоту 3600 МГц при CAS Latency 14.
В XMP комплекта запрограммирован режим работы, определённый спецификацией: частота DDR4-3600 и схема таймингов 14-15-15-35. Профиль единственный, его активация приведёт к автоматическому повышению напряжения питания слотов DIMM до 1,45 В.
Напряжение 1,45 В, честно говоря, немного пугает, но не забывайте, что чипы B-die производятся по 20-нм техпроцессу, а потому они спокойно могут перенести работу с таким вольтажом, разве только будут греться. Но проблема с нагревом у G.Skill решена качественными радиаторами. Иными словами, никаких проблем при эксплуатации системы с такой памятью не возникает, и в режиме конфигурации «по XMP» подсистема памяти выдаёт следующую производительность (в системе с процессором Ryzen 7 5800X).
Производительность памяти выглядит неплохо, особо следует обратить внимание на довольно низкую латентность, которая обеспечивается агрессивными таймингами. Если бы в этой тестовой системе использовались более «простые» и массовые модули памяти Crucial Ballistix DDR4-3600, с которыми невольно приходится сравнивать современную оверклокерскую память, практическая латентность была бы на пару-тройку наносекунд хуже. Что это значит для практических задач, мы покажем дальше.
Комплект памяти G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN ориентирован на работу в системах на процессорах AMD, поэтому его тестирование проходило в системе, построенной на процессоре Ryzen 7 5800X. Проводить тесты этой памяти в системе с процессором Intel мы не стали, но не только потому, что так не рекомендует делать производитель. Дело ещё и в том, что рассматриваемая память рассчитана на работу при высоком напряжении 1,45 В, которое, согласно имеющимся данным, может при длительной работе вызвать деградацию встроенного контроллера памяти процессоров Intel. У процессоров AMD такой проблемы не существует, и по этой причине комплект F4-3600C14D-32GTZN имеет явную ориентацию на «красные» системы.
Для сравнения вместе с G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN в тестах приняла участие память Crucial Ballistix RGB DDR4-3600 BL2K16G36C16U4BL, которая представляет «другой лагерь» – DDR4 SDRAM, основанную на чипах Micron Rev. E. Модули на базе чипов Micron стоят заметно дешевле и пользуются заслуженной популярностью, поэтому сравнить G.Skill Trident Z Neo с такой альтернативой будет совсем не лишним.
Состав тестовой системы:
Тестирование выполнялось в операционной системе Microsoft Windows 10 Pro 20H2 Build 19042.572 с использованием следующего комплекта драйверов:
Описание использовавшихся для измерения вычислительной производительности инструментов:
Синтетические бенчмарки:
Приложения:
Игры:
Во всех игровых тестах в качестве результатов приводится среднее количество кадров в секунду, а также 0,01-квантиль (первая перцентиль) для значений FPS. Использование 0,01-квантиля вместо показателей минимального FPS обусловлено стремлением очистить результаты от случайных всплесков производительности, которые были спровоцированы не связанными напрямую с работой основных компонентов платформы причинами.
Для оверклокерских модулей памяти, тем более таких, как дорогая память G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, важны не только хорошие номинальные параметры, но и возможность их дополнительного улучшения. С этой точки зрения рассматриваемый комплект выглядит очень многообещающе, потому что он основывается на чипах Samsung B-die, которые могут покорять режимы, недоступные для других чипов.
И ожидания не были обмануты. С использованием штатного для комплекта F4-3600C14D-32GTZN напряжения 1,45 В мы смогли добиться успеха сразу по трём направлениям. Во-первых, в номинальном режиме DDR4-3600 тайминги могут быть существенно улучшены относительно заявленных в спецификациях. Во-вторых, рассматриваемая память вполне успешно может работать и как DDR4-3800 – то есть в наилучшем с точки зрения производительности режиме контроллера памяти процессоров Ryzen 5000. И в-третьих, при сохранении довольно низких задержек данная память может работать и в режиме DDR4-4000, пусть в этом пока и нет практического смысла.
В штатном для комплекта F4-3600C14D-32GTZN режиме тайминги могут быть существенно понижены. Особенно это касается вторичных таймингов: в результате оптимизации удаётся получить следующую производительность.
Обратите внимание: без увеличения частоты работы памяти и при сохранении задержки CAS Latency в номинальном значении 14 практическая латентность снижается на дополнительные 3 нс. Это наглядный аргумент в пользу того, что тайминги лучше настраивать вручную (на скриншоте можно увидеть их подобранные значения).
Режим DDR4-3800 считается для процессоров Ryzen 5000 оптимальным. Дело в том, что это – максимальный режим, в котором возможно синхронная работа памяти и шины Infinity Fabric. Единственное, при активации такого режима не стоит забывать о необходимости вручную выставить управляющую Infinity Fabric частоту FCLK в 1900 МГц – автоматически материнские платы этого не делают. Подбор таймингов комплекта F4-3600C14D-32GTZN в этом режиме приводит к необходимости ослабить первичные задержки, в первую очередь CAS Latency до 16, однако в конечном итоге это всё равно приносит прирост производительности, в чём можно убедиться по скриншоту.
Путём повышения частоты работы памяти в синхронном с Infinity Fabric режиме нам удалось отвоевать дополнительную наносекунду в практической латентности и заметный рост в показателях практической пропускной способности.
В целом же очевидно, что рассматриваемый комплект памяти G.Skill Trident Z Neo выгодно отличается от огромного числа альтернатив своей гибкостью в настройках и способностью работы при весьма агрессивных таймингах, которые доступны только памяти на базе отборных чипов Samsung B-die.
Для того чтобы разгонять память в платформе AMD до частот выше 3800 МГц, требуется использовать асинхронный режим работы контроллера памяти и Infinity Fabric. Это влечёт за собой возникновение ощутимого штрафа в быстродействии, поэтому на практике режимы вроде DDR4-4000 и выше не имеют большого смысла. Однако комплект памяти F4-3600C14D-32GTZN может работать как DDR4-4000 при довольно неплохих таймингах, например при CAS Latency 16, поэтому мы попробовали и такой вариант.
Производительность подсистемы памяти оказалась довольно унылой, практическая латентность по сравнению с вариантом DDR4-3800 увеличилась почти на 8 нс. Очевидно, пользоваться таким режимом работы не стоит, по крайней мере до тех пор, пока AMD не реализует возможность разгона шины Infinity Fabric до 2000 МГц, которую она пообещала в момент анонса процессоров Ryzen 5000. Зато если Infinity Fabric всё-таки заработает на такой частоте, комплект F4-3600C14D-32GTZN окажется вполне подходящим вариантом, несмотря на то, что спецификация не предполагает возможности эксплуатации этой памяти в режиме DDR4-4000.
В практических тестах мы сосредоточились на том, чтобы показать преимущества рассматриваемого комплекта в сравнении с более дешёвой памятью, в частности основанной на популярных в сообществе чипах Micron Rev. E. Для этого быстродействие системы, в которой устанавливался рассматриваемый комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, сравнивалось с быстродействием аналогичной конфигурации с памятью Crucial Ballistix RGB DDR4-3600 BL2K16G36C16U4BL. В обоих случаях выбирались варианты настройки таймингов памяти как в автоматическом режиме (по XMP), так и при подборе их вручную (см. предыдущий раздел).
В первую очередь – результаты синтетического теста AIDA64 Cachemem. По ним можно составить предварительное впечатление о том, что дают агрессивные настройки, которые может вытерпеть память G.Skill Trident Z Neo. И интересно тут вот что: если использовать автоматическое конфигурирование параметров подсистемы памяти, то между комплектами G.Skill и Crucial нет никакой особой разницы. Память Trident Z Neo обеспечивает немного лучшую практическую латентность, да и только. Но если позаниматься настройкой в ручном режиме, то она может предоставить гораздо больше свободы. Вместе с тем, что чипы Samsung B-die дают доступ к более низким задержкам tCL, tRCD и tRP, они также позволяют минимизировать тайминги tWR, tRC и tRFC, что в конечном итоге выливается и в прибавку в практической пропускной способности, и в дополнительное снижение практической латентности. Поэтому при ручном конфигурировании комплект памяти G.Skill выглядит явно предпочтительнее.
Дополнительный прирост производительности подсистемы памяти с модулями G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN можно получить, если перевести их в режим DDR4-3800 при синхронной работе с шиной Infinity Fabric, которая в процессорах Ryzen используется для связи контроллера памяти с вычислительными ядрами. В этом случае увеличиваются скорости чтения и записи в память.
При этом преимущества памяти с более агрессивными настройками таймингов прослеживаются не только в синтетических тестах. Выигрыш хорошо заметен и во многих реальных приложениях, которые ворочают большими объёмами данных. Однако есть нюанс. Если использовать настройки задержек по умолчанию, которые выставляет материнская плата, исходя из информации XMP, то на практике существенных отличий в производительности разных комплектов памяти не так-то много. Зато если заняться ручным конфигурированием настроек, то оказывается, что комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN имеет гораздо больший потенциал: правильным подбором величин таймингов можно получить прирост быстродействия на уровне нескольких процентов. При таком подходе память на отборных чипах Samsung B-die, безусловно, интереснее. Комплект Crucial Ballistix тоже можно оптимизировать подобным образом, но разница будет не так заметна.
Подобным образом память G.Skill проявляет себя и в играх. По таймингам её можно настроить агрессивнее, чем альтернативные варианты, и в конечном итоге система с такими модулями будет выдавать лучшую частоту кадров. Причём тесты явно показывают, что оверклокерская память различается по своим свойствам. Комплект Trident Z Neo после настройки даёт более высокую производительность, чем память Crucial Ballistix. И это несмотря на то, что речь идёт о сравнении качественной оверклокерской DDR4-3600 разных марок, а вовсе не о том, что память G.Skill лучше «обычной зелёной DDR4» (что вряд ли кто-то станет подвергать сомнению).
В финале тестирования хотелось бы обратить внимание на тот факт, что, несмотря на высокое рабочее напряжение 1,45 В, комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN не подвержен какому-то вопиющему нагреву. В процессе тестов на стабильность, например в том же TestMem5, температура модулей по встроенным в них датчикам не превышала 65 градусов.
Толстые алюминиевые теплораспределительные пластины, которыми G.Skill наделила свои планки памяти, очень достойно справляются со своей основной задачей – охлаждением чипов. Максимальная температура, которая была зафиксирована на их поверхности при выполнении тестов, составила 55 градусов.
В серии Trident Z компания G.Skill всегда предлагала память, соответствующую повышенным оверклокерским стандартам: не только без проблем берущую заявленные характеристики, но и обладающую существенным запасом прочности для ручного разгона. Протестированные сегодня модули, входящие в комплект G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN, именно такие. Невзирая на то, что для них номинальным является режим DDR4-3600, они разгоняются по частоте и допускают существенное снижение таймингов, что в конечном итоге выливается в дополнительный прирост производительности. Фактически нам удалось выяснить, что эта память отлично функционирует не только как DDR4-3600, но и как DDR4-3800, обеспечивая в обоих случаях отличный уровень быстродействия системы.
Нельзя отрицать, что модули G.Skill Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN стоят довольно дорого даже на фоне иной оверклокерской памяти. Но на то есть веская причина: в них применена лучшая на данный момент компонентная база – отборные чипы Samsung B-die, что уже само по себе делает их уникальными. И действительно, на рынке представлено совсем немного комплектов оверклокерской памяти, для которых гарантируется работоспособность в режиме DDR4-3600 при CAS Latency 14, и F4-3600C14D-32GTZN – как раз один из них.
Но это не единственное его преимущество. Нельзя не упомянуть, что память G.Skill Trident Z Neo может похвастать привлекательным внешним видом и конфигурируемой и ненавязчивой RGB-подсветкой, за счёт чего она отлично вписывается в интерьер практически любой сборки. Всё это вместе делает новые комплекты G.Skill Trident Z Neo вроде рассмотренного в этой статье отличным выбором для энтузиастов, которые захотят выжать максимум из систем, построенных на базе процессоров AMD.
Почему именно AMD? Всё очень просто – серия G.Skill Trident Z Neo оптимизирована для работы с Ryzen, и, более того, комплект Trident Z Neo F4-3600C14D-32GTZN был выпущен конкретно для последнего семейства Ryzen 5000. В этом исследовании мы подтвердили, что такая память после настройки действительно хорошо подходит для носителей архитектуры Zen 3 и отлично раскрывает их потенциал. Но также необходимо напомнить, что в ассортименте G.Skill есть и другие, похожие варианты с той же ориентацией, нацеленные на работу в режимах DDR4-3800 и DDR4-4000.