Компания Pure Storage, занимающаяся выпуском хранилищ данных на базе флеш-памяти, заявила о планах разработать до 2026 года твердотельный накопитель в проприетарном формфакторе DFM (Direct Flash Module) ёмкостью 300 Тбайт. Производитель считает, что значительное развитие технологий производства флеш-памяти 3D NAND приведёт к увеличению плотности этих микросхем и откроет возможность производства SSD подобного объёма.
Источник изображений: Pure Storage
«На ближайшие пару лет мы планируем значительно повысить конкурентоспособность наших накопителей. Сегодня мы поставляем накопители формата DFM ёмкостью 24 и 48 Тбайт. На ближайшей конференции Accelerate от нас стоит ожидать анонсов, связанных с разработкой накопителей ёмкостью 300 Тбайт к 2026 году», — заявил в интервью издания Blocks & Files технический директор компании Pure Storage Алекс Макмаллан (McMullan).
Накопители Pure Storage проприетарного формата DirectFlash Module используются эксклюзивно в составе её хранилищ FlashArray и FlashBlade самого производителя. Накопители DFM отдалённо напоминают SSD формата Ruler Form Factor, которые преимущественно используются в составе серверов и позволяют добиваться очень высокой плотности хранения данных. Внешний вид накопителей Ruler Form Factor напоминает линейку (ruler — англ. «линейка»). Для подключения DFM используют стандартный интерфейс U.2 NVMe. Подобные накопители оснащаются специализированными контроллерами памяти, чипами флеш-памяти 3D TLC и 3D QLC NAND, а также специальным программным обеспечением.
Каким образом Pure Storage планирует увеличить в шесть раз ёмкость своих накопителей, производитель пока не сообщает. Однако есть несколько направлений, развитие которых поможет в решении этого вопроса. Самым очевидным является разработка более передовых чипов флеш-памяти 3D NAND. Сегодня массово используются чипы флеш-памяти, состоящие из 112–160 слоёв. В течение ближайших пяти лет прогнозируется разработка 400–500-слойных микросхем, отмечает Pure Storage.
«Все производители чипов флеш-памяти планируют в ближайшие пять лет приступить к производству 400–500-слойных микросхем. И этот прогресс безусловно поможет нам в достижении нашей цели», — прокомментировал Макмаллан.
Переход к производству нового поколения чипов флеш-памяти, то есть микросхем с большим количеством активных слоёв, обычно происходит каждые два года. В этом году планируется наращивание производства чипов флеш-памяти с более чем 200 слоями. К 2025 году можно ожидать выпуск 300-слойных чипов 3D NAND, а к 2027 году — переход к производству микросхем с 400 и более слоями. Однако вопрос заключается не только в количестве слоёв, использующихся в микросхемах флеш-памяти.
Существующие модели накопителей DFM способны вместить ограниченное число чипов флеш-памяти 3D NAND. Таким образом компании предстоит либо разработать SSD, которые могут вмещать большее число микросхем, что также потребует использования новых контроллеров памяти, либо увеличить количество накопителей, входящих в состав одного кластера системы хранения данных.