Южнокорейская компания SK hynix планирует расширить мощности по производству микросхем оперативной памяти старых поколений — DDR3 и DDR4 — на своём заводе в китайском Уси, сообщила аналитическая компания TrendForce.
Источник изображения: SK hynix
В октябре прошлого года Министерство торговли США ввело ограничения на импорт полупроводникового оборудования в Китай для техпроцессов 18 нм и ниже. Фабрике SK hynix в Уси была предоставлена годовая лицензия и она могла и дальше ввозить необходимое оборудование. Однако геополитические риски и слабый спрос побудили компанию сократить выпуск чипов примерно на 30 % в месяц во 2 квартале 2023 года.
Изначально SK hynix планировала сделать основным техпроцессом на своей фабрике в Уси 1z вместо 1y, уменьшив производство на более старых техпроцессах. Однако из-за ограничений, наложенных санкциями США, компания вместо этого решила расширить свои 21-нм производственные линии, сосредоточившись на чипах памяти DDR3 и DDR4 малого объёма (4 Гбит). Долгосрочная стратегия SK hynix предполагает расширение производственных мощностей в Южной Корее, в то время как завод в Уси будет обслуживать внутренний спрос в Китае, а также удовлетворять спрос на память DRAM, выполненную по менее тонким техпроцессами.
В долгосрочной перспективе увеличение производства на фабрике в Уси может оказать дополнительное давление на поставщиков, что ещё больше затруднит восстановление потребительских цен на DRAM.