Оригинал материала: https://3dnews.ru./1092567

Intel будет выпускать передовые 65-нм силовые полупроводники для Tower Semiconductor

Контрактный производитель чипов Intel Foundry Services (IFS) и ведущий производитель аналоговых полупроводников Tower Semiconductor объявили о соглашении, согласно которому Intel предоставит Tower свои мощности для производства чипов на 300-мм пластинах. Tower получит доступ к современному предприятию Intel в Нью-Мексико и инвестирует до $300 млн в оборудование и другие основные средства, получив мощности, способные на экспонирование более 600 000 фотомасок в месяц.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Это соглашение демонстрирует стремление IFS и Tower расширить сотрудничество за счёт свежих бизнес-решений и масштабируемых возможностей. На Intel Fab 11X в Рио-Ранчо, Нью-Мексико будут производиться 65-нанометровые микросхемы управления питанием по технологии BCD (биполярные КМОП/ДМОП).

Генеральный менеджер IFS Стюарт Панн (Stuart Pann) заявил: «Мы запустили Intel Foundry Services с долгосрочной целью создать первую в мире полупроводниковую фабрику с открытой системой, которая объединит в безопасную, устойчивую и отказоустойчивую цепочку поставок всё лучшее от экосистемы Intel. Мы очень рады, что Tower видит уникальную ценность, которую мы предоставляем, и выбрала нас своим партнёром в США».

Генеральный директор Tower Рассел Элвангер (Russell Ellwanger) солидарен со своим коллегой: «Мы рады продолжить сотрудничество с Intel которое позволяет нам удовлетворять потребности наших клиентов, уделяя особое внимание усовершенствованным решениям в области управления питанием и устройств по высокочастотной технологии кремний-на-изоляторе (RF SOI), полномасштабный запуск технологического процесса запланирован на 2024 год. Мы рассматриваем это как первый шаг к множеству уникальных синергетических решений с Intel».

Это соглашение показывает, как IFS обеспечивает доступ к производственным мощностям глобальной производственной сети Intel, расположенной в США, Европе, Израиле и Азии. Помимо существующих инвестиций в Орегоне и запланированных инвестиций в Огайо, Intel уже более 40 лет инвестирует и внедряет инновации в юго-западном регионе США, с офисами в Аризоне и Нью-Мексико. Ранее Intel объявила об инвестициях в размере $3,5 млрд в расширение операций в Нью-Мексико и оснащение своего инновационного кампуса в Рио-Ранчо для запуска инновационных технологий упаковки полупроводников.

Для Tower это следующий шаг на пути к увеличению масштабов обслуживания расширяющейся клиентской базы. 65-нм технология BCD компании Tower предлагает клиентам повышенную энергоэффективность, а также уменьшенные размеры и стоимость кристалла благодаря лучшему в своём классе показателю RDSon (сопротивление сток — исток). Аналогичным образом, технология RF SOI компании Tower, использующая 65-нм техпроцесс, помогает снизить расход заряда батареи мобильных телефонов и улучшить беспроводные соединения благодаря лидирующему в своём классе показателю RonCoff (соотношение потерь радиосигнала).

IFS является важнейшим элементом стратегии Intel IDM 2.0, и сегодняшнее партнёрство представляет собой ещё один шаг вперёд в многолетней трансформации Intel, направленной на восстановление и укрепление технологического лидерства, масштабов производства и долгосрочного роста, говорится в пресс-релизе Intel. IFS добилась значительных успехов за последний год, о чём свидетельствует рост выручки более чем на 300 % во втором квартале 2023 года по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Хорошим примером успешности новой стратегии Intel также служит недавнее соглашение с Synopsys о разработке портфеля интеллектуальной собственности на техпроцессы Intel 3 и Intel 18A. Кроме того, Intel стала победителем программы Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial (RAMP-C) Министерства обороны США.



Оригинал материала: https://3dnews.ru./1092567