Компания Samsung сообщила о начале поставок образцов карт памяти SD Express microSD объёмом 256 Гбайт, обладающих очень высокой скоростью чтения до 800 Мбайт/с. Кроме того, производитель заявил о начале массового выпуска карт памяти microSD объёмом до 1 Тбайт с интерфейсом UHS-1.
Источник изображения: Samsung
Samsung отмечает, что классические карты памяти microSD с интерфейсом UHS-1 в среднем обеспечивают скорость чтения 104 Мбайт/с. Для карт SD Express в свою очередь скорость последовательного чтения удалось увеличить до 985 Мбайт/с, однако в виде коммерческих продуктов такие решения были недоступны до недавнего времени.
Благодаря поддержке интерфейса PCIe 3.0 x1 новейшие карты памяти Samsung SD Express microSD способны конкурировать с SATA SSD. Их скорость последовательного чтения достигает 800 Мбайт/с, что в 1,4 раза быстрее обычных SSD с интерфейсом SATA III (до 560 Мбайт/с) и более чем в четыре раза быстрее самых производительных карт памяти с интерфейсом UHS-1 (до 200 Мбайт/с). Технология Samsung Dynamic Thermal Guard, использующаяся в новейших картах памяти Samsung SD Express microSD, отвечает за их производительность и надёжность, оптимизируя рабочую температуру при длительных нагрузках.
В свою очередь поступившие в массовое производство карты памяти Samsung SD microSD UHS-1 объёмом 1 Тбайт состоят из восьми 1-терабитных слоёв памяти типа V-NAND 8-го поколения. При производстве эти карты памяти подвергаются строгим проверкам на долговечность и получают шесть защитных функций: водостойкость, устойчивость к экстремальным температурам, падению, износу, рентгеновскому излучению, а также магнитную защиту.
В продаже новейшие карты памяти Samsung SD Express microSD объёмом 256 Гбайт со скоростью чтения до 800 Мбайт/с появятся позже в этом году. Начало поставок карт памяти Samsung SD microSD UHS-1 объёмом 1 Тбайт ожидается в течение третьего квартала 2024 года.