Успех SK hynix в качестве главного поставщика памяти типа HBM был накануне подтверждён финансовой отчётностью компании, тогда как более крупный конкурент в лице Samsung Electronics в этом сегменте рынка остаётся на вторых ролях. Впрочем, это не помешало ему заключить контракт на поставку HBM3E с компанией AMD на сумму $3 млрд.
Источник изображения: Samsung Electronics
Об этой сделке сообщает TrendForce со ссылкой на южнокорейские СМИ. По их данным, во второй половине текущего года AMD рассчитывает выпустить ускорители вычислений Instinct MI350, и Samsung будет снабжать их своими 12-ярусными микросхемами памяти типа HBM3E. Сообщается, что сделка предполагает своего рода «бартер»: часть микросхем памяти будет обменяна на ускорители AMD. Выпускать непосредственно чипы ускорителей Instinct MI350 будет компания TSMC по 4-нм технологии. Кроме того, AMD ведёт переговоры с Samsung на тему контрактного производства своих чипов, но указанный контракт на поставку HBM3E никак к данной теме не относится.
Ещё в октябре 2023 года компания Samsung представила микросхемы HBM3E семейства Shinebolt, а в феврале текущего продемонстрировала их в 12-ярусном исполнении, позволяющем формировать в одном стеке до 36 Гбайт памяти этого типа. Массовое производство подобных чипов начнётся во второй половине 2024 года. Они в полтора раза увеличивают пропускную способность, до 1280 Гбайт/с. Высота 12-ярусных чипов за счёт использования более прогрессивной технологии упаковки остаётся на уровне 8-ярусных чипов прежнего поколения. Двенадцатиярусные стеки памяти поднимают быстродействие в задачах искусственного интеллекта на 34 % в среднем по сравнению с 8-ярусными.