В сфере производства памяти класса HBM лидируют южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics, которые сообща контролируют примерно 96 % этого рынка, причём первая серьёзно опережает вторую в сегменте передовой HBM3E. Китайская компания CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но американские санкции мешают ей сделать это, а потому серийное производство китайской памяти такого типа будет освоено не ранее 2025 года.
Источник изображения: CXMT
Так считают аналитики, на прогноз которых ссылается издание South China Morning Post. Эксперты TechInsights поясняют, что используемая китайскими разработчиками ускорителей вычислений память класса HBM поступает от южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics, поскольку находящаяся под санкциями в Китае американская Micron Technology в этой цепочке поставок участвовать не может.
Деятельность китайской CXMT по разработке методов производства HBM привлекла внимание американских регуляторов, поэтому санкции против этой компании усиливаются, и ей становится всё сложнее следовать намеченной цели. Попытки приступить к производству HBM флагманом китайской промышленности предпринимаются с 2023 года, но они преимущественно ограничены экспериментальной стадией и регистрацией необходимых для организации производства патентов. По словам представителей Morgan Stanley, компания CXMT сотрудничает с одним из китайских игроков рынка услуг по упаковке и тестированию чипов, что совершенно закономерно.
В совокупности, обе китайские компании с 2022 года оформили около 100 патентных заявок, связанных с технологиями производства памяти типа HBM. По мнению аналитиков TechInsights, компания CXMT сможет наладить серийный выпуск HBM2 не ранее 2025 года, причём уровень выхода годной продукции не превысит 30 %, а потому подобная память останется не только дефицитной, но и очень дорогой. CXMT в условиях санкций имеет доступ только к оборудованию, позволяющему работать с 17-нм и 18-нм техпроцессами, тогда как зарубежные конкуренты уже шагнули в диапазон ниже 10 нм. При этом CXMT уже способна контролировать 11 % мировых мощностей по выпуску памяти типа DRAM, за последние пару лет она увеличила объёмы её выпуска почти в четыре раза.
Заслужившая право считаться лидером рынка южнокорейская SK hynix свою память типа HBM2 представила в 2018 году, а чип HBM первого поколения она выпустила первой в мире в 2013 году. Два месяца назад компания запустила массовое производство 12-слойной HBM3E, которая является самой продвинутой в отрасли на данный момент. В следующем году такая память станет самой распространённой в сегменте актуальных ускорителей вычислений. Китайские производители в этом смысле отстают от неё минимум на два поколения продукции, даже если рассуждать об их возможностях чисто теоретически.