Глава Yangtze Memory подал в отставку — его уход связывают с «большой коррупцией» в хайтек фондах Китая

На днях сообщалось, что власти Китая проводят обширную проверку деятельности ряда крупнейших национальных фондов с государственным финансированием на предмет коррупции. Прежде всего, речь о фондах поддержки полупроводникового производства. Теперь стало известно, что генеральный директор Yangtze Memory (YMTC) подал в отставку по личным причинам. Одной из реальных причин этого могло стать уголовное преследование его прямого начальника — главы Tsinghua Unigroup.

Янг Шининг (Yang Shining)

Консорциум Tsinghua Unigroup всего за восемь лет создал в Китае самое современное производство флеш-памяти NAND. За это направление отвечало и отвечает дочернее подразделение Yangtze Memory. При всех успехах материнская компания оказалась на грани банкротства и зимой этого года в судебном порядке вынуждена была реструктуризировать долги. Заслуги перед отечеством не отменяют того факта, что в случае коррупции отвечать придется даже героям.

Если верить информации иностранных СМИ, а китайские средства массовой информации такие новости не распространяют, глава Tsinghua Unigroup Чжао Вэйгуо (Zhao Weiguo) был арестован в июле этого года в рамках возбуждённого против него и ряда других управленцев уголовного дела о личном обогащении из национальных фондов. Тесно связанный с ним деловыми отношениями глава Yangtze Memory Янг Шининг (Yang Shining) хотя бы отчасти мог быть в курсе происходящего. По крайне мере он может проходить по делу в качестве свидетеля.

Янг сделал выдающуюся карьеру в области полупроводников. Он окончил Ренсселаерский политехнический институт (США) и работал в Intel, в качестве технического директора попал в компанию GlobalFoundries, трудился операционным директором SMIC и генеральным директором Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Company (XMC), которую он покинул в 2016 году, чтобы стать генеральным директором YMTC. Чжао Вэйгуо неоднократно называл Янга «гением». И глядя на успехи YMTC, которая в августе этого года представила память 3D NAND с более чем 200 слоями, в это легко поверить. Надеемся, всё вскоре разъяснится.