Компания Corsair анонсировала выпуск твердотельного накопителя MP700 PRO SE PCIe 5.0, который способен развивать рекордные скорости последовательного чтения до 14 000 Мбайт/с и записи до 12 000 Мбайт/с, что чуть ли не вдвое быстрее самых производительных моделей предыдущего поколения PCIe 4.0.

Как отмечает компания, такие впечатляющие показатели открывают иные возможности для хранения и обработки данных. Например, MP700 PRO SE позволит мгновенно загружать операционную систему и приложения, а также даст значительное преимущество в играх благодаря поддержке технологии Microsoft DirectStorage. Кроме скорости последовательных операций, этот SSD обладает отличной производительностью при произвольном чтении и записи небольших файлов, что важно для повседневного использования в качестве системного диска.

Как сообщает сайт TechPowerUp, MP700 PRO SE выпускается в версиях объемом 2 Тбайт и 4 Тбайт в формфакторе M.2 2280, так что его можно легко установить в современные материнские платы и игровые ПК. Новинка будет доступа в версии без радиатора, с алюминиевым радиатором, а также с водоблоком для подключения к СЖО. Для оптимальной работы версии без радиатора потребуется наличие дополнительного охлаждения, но в большинстве случаев будет достаточно встроенного M.2-радиатора на материнской плате.

Хотя MP700 PRO SE в первую очередь ориентирован на новейшие системы с процессорами Intel 14-го поколения, AMD Ryzen 7000 и поддержкой PCIe 5.0 для полного раскрытия потенциала, но также SSD полностью совместим и с платформами PCIe 4.0. Это позволит провести модернизацию, не меняя всю систему целиком.

Твердотельные накопители Corsair MP700 PRO SE PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 M.2 емкостью 2 Тбайт и 4 Тбайт уже доступны в интернет-магазине Corsair и в сети авторизованных розничных продавцов и дистрибьюторов Corsair. Версия с водоблоком на 2 Тбайт оценена в $345, а за вдвое больший объём памяти придётся выложить $640. 4-Тбайт версия без радиатора оценена в $625. Вариант с радиатором (Air Cooler) будет выпущен в июне.

Компания Sabrent выпустила компактный твердотельный NVMe-накопитель Rocket Nano 2242 Gen4. Новинка предназначена для использования в портативных игровых приставках, планшетах, ноутбуках и ПК, где пространства для установки полноразмерных SSD форматов M.2 2260 и 2280 может не хватать.

Источник изображений: Sabrent

Формат NVMe-накопителей M.2 2242 встречается не так часто, как остальные. Особенно сейчас, когда Valve популяризировала формфактор M.2 2230, который применяется в её портативной игровой приставке Steam Deck. Однако одним из преимуществ формата M.2 2242 над M.2 2230 является то, что он позволяет разместить на SSD вдвое больше чипов флеш-памяти NAND, тем самым позволяя выпускать более ёмкие накопители. Кроме того, формат M.2 2242 для SSD является основным для портативной игровой приставки Lenovo Legion Go, являющейся прямым и весьма достойным конкурентом Steam Deck.

В составе накопителя Sabrent Rocket Nano 2242 Gen4 используется энергоэффективный контроллер Phison E27T и 162-слойные чипы флеш-памяти BiCS6 TLC NAND от Kioxia. Новинка не имеет DRAM-буфера. Производитель заявляет для SSD скорость последовательного чтения и записи до 5 Гбайт/с.

Основной продающей особенностью Sabrent Rocket Nano 2242 Gen4 является его поддержка интерфейса PCIe 4.0 — это первый NVMe-накопитель M.2 2242 от Sabrent с такой характеристикой.

Rocket Nano 2242 Gen4 предлагается пока только в одном объёме на 1 Тбайт и оценивается в $99,99. Однако учитывая то, что в продаже уже есть модели компактных NVMe-накопителей M.2 2230 объёмом 2 Тбайт от других производителей, не исключено что в перспективе Sabrent также выпустит модели Rocket Nano 2242 Gen4 ёмкостью 2 и даже 4 Тбайт, поскольку формфактор SSD это позволяет.

Компания SK hynix в рамках недавней пресс-конференции рассказал о перспективных разработках, среди которых оказался твердотельный накопитель объёмом 300 Тбайт. Новая разработка станет частью более широкого ассортимента продуктов и технологий компаний, предназначенных для дата-центров и ИИ-систем.

Источник изображения: SK hynix

По мнению SK hynix, совокупный мировой объём информации, генерируемой людьми и системами искусственного интеллекта к 2030 году достигнет значения 660 зеттабайт. Этот огромный объём данных необходимо где-то хранить, и в таком деле как раз пригодятся жёсткие диски объёмом 100 Тбайт и твердотельные накопители объёмом 300 Тбайт.

О разрабатываемом SK hynix накопителе объёмом 300 Тбайт практически ничего неизвестно, за исключением того факта, что в ближайшие годы спрос на высокопроизводительные SSD большой ёмкости резко возрастёт. В связи с этим для различных задач потребуются как накопители большой ёмкости, так и высокопроизводительные флеш-массивы.

Как предполагает портал Tom’s Hardware, SK hynix может вести разработку конкурента архитектуре системы хранения данных Samsung PBSSD, которая к настоящему моменту представляет собой флеш-массив объёмом 240 Гбайт, но обладает возможностями масштабирования до систем петабайтного класса. Подобные платформы обладают возможностью изоляции потоков данных при множественном доступе к накопителю, позволяя сохранить для разных нагрузок заданные для них уровни задержки и производительности.

Согласно другому предположению, SK hynix может вести разработку конкурента 3,5-дюймовомым твердотельным носителям ExaDrive от компании Nimbus, которые могут хранить до 100 Тбайт информации. Правда, последние представляются весьма нишевыми продуктами и обладают низкой производительностью. Также разработка южнокорейской компании может представлять собой специализированный SSD в формате карты расширения PCIe. Однако опять же, носитель объёмом 300 Тбайт даже при использовании интерфейса PCIe 6.0 x16, скорее всего, будет обладать весьма низкой производительностью в расчёте на терабайт доступного пространства.

Помимо SSD объёмом 300 Тбайт SK hynix также работает над множеством других продуктов, которые будут полезны для задач по обучению ИИ в масштабах ЦОД (высокопроизводительная память HBM4 и HBM4E, решения Pooled CXL, а также Processing-in-Memory (PIM)), для периферийного оборудования с поддержкой ИИ (память LPDDR6, GDDR7, PIM), а также устройств для локальной работы ИИ (память LPDDR6, GDDR7 и DDR5 высокой ёмкости).

Специалист по твердотельным накопителям с помощью специального программного обеспечения смог превратить дешевый SSD на флеш-памяти 3D QLC NAND в высокопроизводительный SLC-накопитель с высоким уровнем надёжности.

Источник изображения: Vishnu Mohanan/Unsplash

Инженер-программист и специалист по твердотельным накопителям из TechPowerUp Габриэль Ферраза (Gabriel Ferraz) недавно предпринял еще одну успешную попытку модификации стандартного потребительского SSD. На этот раз он взял твердотельный накопитель Crucial BX500 емкостью 512 Гбайт, и преобразовал его память из NAND с четырехуровневой ячейкой (QLC) в NAND с псевдо одноуровневой ячейкой (pSLC).

Данная модель SSD изначально использует четыре кристалла флеш-памяти Micron NY240, которые рассчитаны на работу со скоростью 1600 МТ/с (мегатранзакций в секунду). В основу SSD положен контроллер Silicon Motion SM2259XT2, который может работать с двумя каналами со скоростью 800 MT/с. Однако в реальных условиях скорость ограничена до 525 МТ/с в данном SSD.

Процесс преобразования в SLC потребовал использования специализированного ПО MPtools для контроллера Silicon Motion SM2259XT2. Энтузиаст тщательно модифицировал файлы конфигурации, чтобы заставить флеш-память вести себя как SLC. Затем он изменил прошивку накопителя в соответствии с новыми настройками.

В результате емкость SSD уменьшилась с 512 Гбайт до 114-120 Гбайт. Однако ресурс накопителей значительно вырос. Использованные в Crucial BX500 чипы памяти изначально рассчитаны на 1500 циклов программирования/стирания (P/E cycles) в FortisFlash и около 900 циклов в Mediagrade. Преобразование в pSLC увеличило данные числа соответственно до 100 000 и 60 000 циклов.

Ресурс перезаписи вырос почти в 30 раз — до 4000 TBW (терабайт перезаписи). Кроме того, значительно увеличилась производительность, как последовательного чтения/записи, так и случайного чтения/записи, что стало возможным благодаря особенностям SLC памяти, которая является более стабильной.

Таким образом, используя низкоуровневое ПО и свои глубокие познания в области твердотельных накопителей, Ферраза смог превратить обычный дешевый потребительский SSD в высокопроизводительное профессиональное решение.

Российский производитель вычислительной техники «Гравитон» объявил о запуске производства твердотельных накопителей нового поколения. Модели накопителей ёмкостью от 256 Гбайт до 2 Тбайт включены в реестр российской промышленной продукции Минпромторга и предназначены для использования в выпускаемой компанией технике.

Источник изображения: «Гравитон»

Твердотельные накопители формата M.2 2280 с интерфейсом PCIe Gen3×4 NVMe подходят для использования в компьютерах, моноблоках и ноутбуках «Гравитон», а также совместимы со всеми российскими операционными системами. Они обеспечивают скорость чтения и записи до 2400 и 1700 Мбайт/с соответственно, а число операций ввода-ввода в секунду составляет до 295 тыс. при случайном чтении и до 430 тыс. при случайной записи. «Гравитон» утверждает, что накопители производятся в России и весь объём устройств предназначен для использования в собственных решениях компании.

В пресс-релизе о накопителе сообщается об улучшении программного обеспечения, за счёт чего реализована поддержка технологии сквозной защиты данных для поддержания их целостности на протяжении всего срока службы. Долговечность накопителей обеспечивается за счёт технологии защиты от перегрева, системы самодиагностики и контроля состояния (SmartECC).

«Мы отмечаем рост доверия к нашей технике. Запуск в производство твердотельных накопителей — значимый этап для «Гравитон» и демонстрация высоких компетенций. Благодаря оснащению техники «Гравитон» твердотельными накопителями российского производства заказчики получают решения, которым можно доверить самые ценные данные», — считает директор по продукции «Гравитон» Сергей Кочепасов.

Компания TeamGroup представила серию твердотельных накопителей MP44Q M.2 PCIe 4.0 на основе чипов флеш-памяти 3D QLC NAND. В состав серии вошли модели SSD объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображений: TeamGroup

Компания не уточняет, какой контроллер используется в новинках. Для модели MP44Q M.2 PCIe 4.0 объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 7400 и 6200 Мбайт/с. В свою очередь, для версий объёмом 2 и 4 Тбайт указываются показатели до 7400 и 6500 Мбайт/с. Производитель отмечает, что в накопителях используется кеш-память SLC.

За охлаждение компонентов SSD отвечает тонкий графеновый радиатор.

Заявленный ресурс у модели объёмом 1 Тбайт составляет 512 TBW (терабайт перезаписанной информации). Для модели объёмом 2 Тбайт указывается ресурс 1024 TBW, а для версии SSD на 4 Тбайт — 2048 TBW. На все новинки предоставляется пятилетняя гарантия производителя или 1,6 млн часов работы на отказ.

В продаже серия накопителей TeamGroup MP44Q M.2 PCIe 4.0 появится в мае. Об их стоимости производитель не сообщил.

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.

Компания Seagate представила серию твердотельных NVMe-накопителей BarraCuda 530, пришедших на смену SSD серии BarraCuda 520. Как и предшественники, новинки поддерживают работу с интерфейсом PCIe 4.0.

Источник изображения: Seagate

В состав серии накопителей BarraCuda 530 вошли модели объёмом 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Версии на 4 Тбайт, которая присутствует в предыдущей серии, пока нет. Возможно, она появится в будущем. Производитель не указывает, какой контроллер памяти используется в новинках, однако отмечается, что он соответствует протоколу NVMe 2.0. Модели предыдущей серии поддерживали протокол NVMe 1.4.

Для накопителя BarraCuda 530 объёмом 2 Тбайт заявляются скорости последовательного чтения до 7400 Мбайт/с и записи до 6400 Мбайт/с, для версии объёмом 1 Тбайт указаны 7400 и 6100 Мбайт/с, для младшего SSD на 512 Гбайт — 7200 и 4300 Мбайт/с соответственно. Таким образом, скорость последовательного чтения у новинок до 48 % выше, а записи до 52 % выше, чем у моделей BarraCuda 520. Показателями скорости случайного чтения и записи новых SSD компания Seagate не поделилась.

Энергопотребление новых NVMe-накопителей несильно изменилось относительно предыдущих моделей. В режиме простоя SSD потребляют в среднем 50 мВт. Максимальный показатель энергопотребления у BarraCuda 530 объёмом 2 Тбайт остался таким же (5,7 Вт), как у модели BarraCuda 520 того же объёма. В свою очередь, BarraCuda 530 объёмом 1 Тбайт и 512 Гбайт потребляют на 4 и 6 % больше энергии по сравнению с предшественниками.

Заявленный ресурс работы у SSD серии BarraCuda 530 стал заметно выше. У версии на 2 Тбайт он составляет 1200 TBW (терабайт перезаписанной информации), а у вариантов на 1 Тбайт и 512 Гбайт равен 600 TBW и 300 TBW соответственно. Таким образом, в случае моделей на 1 и 2 Тбайт он вырос более чем вдвое, а у версии на 512 Гбайт — в полтора раза по сравнению с предшественниками.

Для накопителей BarraCuda 530 производитель заявляет пятилетнюю гарантию.

Seagate Technology, в сотрудничестве с Национальным институтом материаловедения (NIMS) и Университетом Тохоку (TU), представила технологию трёхуровневой магнитной записи на двухслойных гранулированных носителях. Этот метод, основанный на принципах многоуровневой магнитной записи с подогревом (HAMR), открывает перспективу увеличения ёмкости жёстких дисков (HDD) до 120 Тбайт и более, но пока только в лабораторных условиях.

Источник изображения: Gray_Rhee / Pixabay

Технология HAMR компании Seagate, ознаменовавшая новую эру в развитии систем хранения данных, позволяет увеличить плотность записи минимум вдвое по сравнению с традиционными методами перпендикулярной магнитной записи (PMR). Она достигается путём локализованного нагрева поверхности носителя с помощью лазера до температуры Кюри, что снижает магнитную коэрцитивность и позволяет записывать информацию на более мелкие участки. Это решение мгновенно предлагает увеличение ёмкости HDD до 60 Тбайт в настоящее время, а новая разработка в перспективе позволить достичь порога в 120 Тбайт. Исследователи ожидают, что это удастся реализовать в ближайшие 10-15 лет.

Источник изображения: Acta Materialia / ScienceDirect

Инновационность подхода заключается в использовании двухслойных носителей, структура которых формируется двумя наногранулированными плёнками FePt-C, разделёнными прослойкой Ru-C с кубической кристаллической структурой. Такой подход позволяет осуществлять независимую запись на каждом из слоёв под действием отдельных магнитных полей и температурных условий. Подгонка параметров лазера и магнитного поля в процессе записи обеспечивает возможность удвоения плотности записи и, как следствие, ёмкости HDD без кардинальной смены материалов магнитного слоя.

Источник изображения: Seagate

По оценкам исследователей, подобная структура способна достигать плотности записи свыше 10 Тбит/кв. дюйм, что позволит в будущем создавать HDD объёмом свыше 120 Тбайт на основе 10 пластин. Такие параметры становятся достижимы благодаря уникальным характеристикам двухслойных гранулированных дисков, каждый из которых имеет разную температуру Кюри и магнитокристаллическую анизотропию.

Следует отметить, что хотя этот метод возможен в лабораторных условиях, реализация данной технологии на практике встречает ряд препятствий. Сложность производства, необходимость разработки новых головок чтения и записи, а также повышение стоимости производства жёстких дисков являются основными барьерами на пути к её коммерциализации. Однако исследования в области гранулированных и упорядоченных гранулированных слоёв продолжаются, что может облегчить переход к более высоким плотностям записи без значительного увеличения сложности производства.

Китайская компания Maxio Technology представила серию SSD-контроллеров стандарта PCIe 5.0 для потребительских накопителей среднего и высокого уровня, а также корпоративных решений. Производитель заявляет, что новинки смогут обеспечить скорость передачи данных до 14,8 Гбайт/с, что ставит их в один ряд с самыми производительными SSD-контроллерами в мире.

Источник изображения: Maxio

Контроллер MAP1803 предназначен для накопителей корпоративного уровня и обладает поддержкой 16 каналов для подключения флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3200 МТ/с. Модели MAP1806 предназначена для высококлассных потребительских SSD с поддержкой восьми каналов для флеш-памяти 3D NAND со скоростью до 3600 МТ/с. Наконец, чип MAP1802 для потребительских SSD среднего уровня поддерживает четыре канала флеш-памяти со скоростью до 4800 МТ/с каждый. Первый может использоваться для производства SSD объёмом до 64 Тбайт, второй — до 16 Тбайт, а третий — до 8 Тбайт. Максимальная скорость последовательного чтения SSD-контроллеров PCIe 5.0 от Maxio заявлена от 14 до 14,8 Гбайт/с, а записи — от 13,5 до 14,5 Гбайт/с.

Источник изображения: Tom's Hardware

В целом SSD-контроллеры Maxio серии MAP1800 очень похожи. Они все соответствуют протоколу NVMe 2.0 и предлагают поддержку алгоритмов LDPC для коррекции ошибок и повышения надёжности. От корпоративных накопителей с контроллером MAP1803 можно ожидать наличие различных функций, повышающих их надёжность и долговечность.

Как сообщает китайское издание MyDrivers, новинки от Maxio были продемонстрированы на недавней технологической выставке. Однако SSD на их основе не показали. Вполне возможно, что речь идёт о ранних образцах контроллеров. И учитывая тот факт, что разработка и оптимизация ПО для таких решений занимает немало времени, первые потребительские SSD на их основе могут появиться не ранее 2025 года, а накопители корпоративного уровня — ещё позже.

Maxio Technology является одной из немногих компаний, которой удалось создать SSD-контроллеры с поддержкой интерфейса PCIe 5.0 x4. К настоящему моменту помимо неё такие решения представили Innogrit, Marvell, Phison, Samsung и Silicon Motion. Стоит также добавить, что Maxio не является новичком в производстве SSD-контроллеров, поскольку компания ещё несколько лет назад приобрела этот бизнес у JMicron, имеющей многолетний опыт работы с NAND-контроллерами.

Компания Sabrent представила твердотельный накопитель Rocket 4 формата M.2 с поддержкой интерфейса PCIe 4.0. Новинка представляет собой безбуферный SSD и будет выпускаться в версиях объёмом 1, 2 и 4 Тбайт.

Источник изображения: Sabrent

В составе накопителей Sabrent Rocket 4 применяется контроллер Phison E27T, а также 162-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND BiCS 6 от компании Kioxia. Производитель заявляет для новинок скорость последовательного чтения до 7,4 Гбайт/с и последовательной записи до 6,4 Гбайт/с. Показатель производительности SSD в операциях случайного чтения составляет до 1 млн IOPS, а записи — до 0,95 млн IOPS.

За охлаждение компонентов в составе SSD Sabrent Rocket 4 отвечает тонкая медная пластина. Контроллер Phison E27T производится согласно 12-нм техпроцессу, он оказался весьма энергоэффективным и не требует мощного охлаждения.

Sabrent уже выпустила модели накопителей Rocket 4 M.2 NVMe Gen 4 объёмом 1 и 2 Тбайт, оценив их в $100 и $200 соответственно. Версия на 4 Тбайт появится в продаже позже. Компания пока не сообщила её стоимость.

Компания MSI сообщила о выпуске высокоскоростного NMVe-накопителя Spatium M580 Frozr. Инженерный образец данного SSD впервые показывали ещё на выставке CES 2024 в начале года. Тогда накопитель был оснащён весьма интересной гибридной системой охлаждения, сочетающей воздушное и жидкостное охлаждение. В продажу же поступила модель, оснащённая более скучным, но очень высоким пассивным радиатором охлаждения.

Источник изображений: MSI

В составе Spatium M580 Frozr используется передовой контроллер Phison E26 с поддержкой интерфейса PCIe 5.0, а также 232-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND. Производитель заявляет для новинки скорость последовательного чтения до 14,6 Гбайт/с и скорость последовательной записи до 12,7 Гбайт/с, что до двух раз больше, чем предлагают самые производительные SSD стандарта PCIe 4.0. В накопителях Spatium M580 Frozr используется буферная память DRAM и SLC-кеш. Правда, производитель не указывает их объём.

За охлаждение компонентов SSD отвечает очень высокий алюминиевый радиатор. В его состав входят три теплопроводящие трубки. По словам MSI, указанная система охлаждения снижает рабочую температуру накопителя на 20 градусов Цельсия.

Для Spatium M580 Frozr компания MSI заявляет поддержку технологий LPDC ECC (коррекция ошибок) и E2E Data Protection (защита данных), пятилетнюю гарантию и большой запас ресурса перезаписи.

В продаже накопители MSI Spatium M580 Frozr будут предлагаться в объёмах на 1, 2 и 4 Тбайт. О стоимости новинки производитель не сообщил.

Western Digital представила твердотельные накопители PC SN5000S на базе чипов флеш-памяти QLC, которые демонстрируют более высокую производительность по показателям скорости чтения и записи, чем предшественники на базе заведомо более скоростной памяти TLC.

Источник изображений: Western Digital

PC SN5000S — новейшая серия потребительских твердотельных накопителей объёмом до 2 Тбайт, выпускающихся компанией в полноразмерном формате M.2 2280 и компактном формате M.2 2230. Серия пришла на замену накопителям PC SN740, предлагающимся в тех же объёмах и разъёмах.

Модель Western Digital PC SN5000S объёмом 2 Тбайт с памятью QLC по скорости записи до 16,5 %, а по скорости чтения до 15,5 % быстрее по сравнению с моделью SN740 того же объёма, но с памятью TLC. Модель SN740 объёмом 1 Тбайт по-прежнему чуть быстрее по записи, чем SN5000S, но по скорости чтения отстаёт от новинки на 14,3 %. Преимуществом накопителя SN5000S объёмом 2 Тбайт над предшественником также является на 100 TBW (терабайт перезаписанной информации) более высокий запас ресурса работы. Однако ресурс нового SSD объёмом 1 Тбайт на 100 TBW ниже (300 TBW против 400 TBW у SN740 того же объёма). Недостатком новой серии SSD также можно считать чуть более высокий показатель энергопотребления.

Источник изображения: Tom's Hardware

Как правило, накопители на базе флеш-памяти NAND QLC отстают от SSD на базе других типов флеш-памяти. Объясняется это тем, что память QLC хранит четыре бита информации в одной ячейке, что сказывается на итоговой производительности не в лучшую сторону. Напомним, что флеш-память SLC хранит один бит информации на ячейку, MLC-память — два бита информации, а TLC — три бита. Чем меньше битов хранится в ячейке, тем она быстрее и долговечнее. Хотя возможность хранения большего количества битов на ячейку увеличивает плотность памяти, необходимость чтения и записи большего количества битов приводит к снижению производительности и в целом повышает износ памяти NAND.

Для улучшения производительности накопителей на базе памяти QLC и других многоразрядных типов памяти NAND существует несколько способов. Пожалуй, самым очевидным является использование кеш-памяти SLC в составе накопителя. Хотя QLC, как уже говорилось выше, хранит четыре бита информации в ячейке, накопителю при наличии кеш-памяти SLC необязательно заполнять все четыре бита информации при записи. SSD будут работать гораздо лучше, если обозначить часть ячеек памяти в качестве псевдо-SLC. Правда, для этого занимаются пустые ячейки, что в конечном итоге сокращает доступный объём самого SSD.

Несмотря на недостатки памяти QLC и других многоразрядных типов флеш-памяти NAND некоторые производители, например, Samsung, заинтересованы в дальнейшем развитии этой технологии. Так как обычным потребителям не всегда нужна лучшая производительность и надёжность, а при выборе SSD предпочтение чаще отдаётся исходя из цены и объёма накопителя, модели SSD на базе памяти QLC обычно являются наиболее экономичным выбором покупателя. В свою очередь, накопители на памяти SLC с низкой плотностью лучше подходят для серверов, где высокая производительность и надёжность оказываются гораздо полезнее.

Компания Nextorage представила новую серию NVMe-накопителей NN5PRO, продажи которых начнутся в этом месяце. В серию вошли модели NN5PRO-1TB1BH объёмом 1 Тбайт и NN5PRO-2TB1BH объёмом 2 Тбайт. Обе соответствуют спецификациям стандарта PCIe 5.0.

Источник изображений: Nextorage

Производитель отмечает, что серия накопителей NN5PRO идеально походит для создателей цифрового контента, которым приходится работать с видеофайлами с разрешением 4K и 8K, для специалистов по обработке данных, нуждающихся в надёжных SSD, способных работать при продолжительных высоких нагрузках, а также для геймеров.

В основе новинок используется флагманский контроллер памяти Phison E26, а также чипы флеш-памяти 3D NAND TLC. Модель SSD объёмом 1 Тбайт получила 2 Гбайт кеш-памяти DDR4, версия на 2 Тбайт — 4 Гбайт кеш-памяти DDR4. Для NN5PRO-1TB1BH объёмом 1 Тбайт производитель заявляет скорость последовательного чтения и записи до 11 700 и 9500 Мбайт/с. В свою очередь для модели NN5PRO-2TB1BH указываются скорости последовательного чтения и записи до 12 400 и 11 800 Мбайт/с соответственно. Производительность в случайных операциях чтения у новинок составляет 1,3 и 1,4 млн IOPS соответственно, а в операциях случайной записи — 1,4 млн IOPS. Для модели объёмом 1 Тбайт заявляется ресурс в 700 TBW (терабайт перезаписанной информации), для версии на 2 Тбайт — 1400 TBW. Энергопотребление новинок при работе составляет от 10 до 11 Вт.

Для эффективного охлаждения SSD оснащаются двойными радиаторами с теплотрубками. Один отвечает только за охлаждение контроллера памяти накопителя, а второй занимается охлаждением чипов флеш-памяти. По словам производителя, такой подход позволяет эффективнее распределять рассеивание тепла от компонентов.

Перед использованием накопителей Nextorage NN5PRO в составе ПК пользователям рекомендуется убедиться в наличии свободного пространства под их установку.

Компания оценила накопитель NN5PRO-1TB1BH объёмом 1 Тбайт в $239,99, а версию на 2 Тбайт — в $399,99.

Компания Nextorage выпустила два NVMe-накопителя PCIe 4.0 серии G объёмом по 8 Тбайт. Отличает модели NE1N8TB и NEM-PA8TB наличие у последней алюминиевого радиатора охлаждения. Оба накопителя можно использовать как в ПК, так и в игровых приставках PlayStation 5.

Источник изображений: Nextorage

Перед использованием накопителя Nextorage NEM-PA8TB в составе ПК пользователи должны убедиться в наличии свободного пространства под его установку, поскольку новинка не подразумевает демонтаж штатного радиатора охлаждения.

В основе представленных SSD используется восьмиканальный контроллер с поддержкой чипов памяти 3D NAND TLC со скоростью передачи данных 1200 МТ/с. Компания не уточнила, какой именно контроллер используется в новинках, но вероятно, это Phison E18. Выбор в его пользу стал бы вполне очевидным, учитывая, что Nextorage ранее являлась совместным предприятием Sony и её подразделения Sony Storage Media Solutions Corporation (SMSS), а также Phison, пока последняя не выкупила все активы Nextorage у Sony в 2022 году.

Поскольку в обоих накопителях NE1N8TB и NEM-PA8TB используются одинаковые компоненты, то оба SSD обеспечивают одинаковый уровень производительности. Для них заявляется наличие 2 Гбайт кеш-памяти DDR4. Скорость последовательного чтения и записи составляет 7300 и 6600 Мбайт/с. В операциях случайного чтения и записи заявляется на уровне 900 тыс. IOPS и 1 млн IOPS соответственно. Производитель предоставляет на новинки пятилетнюю гарантию и заявляет для обоих накопителей ресурс в 10 000 TBW (терабайт перезаписанной информации).

Модель Nextorage NEM-PA8TB с радиатором охлаждения уже появилась в продаже в американском Amazon с ценником $849,99. Версия без радиатора в США пока недоступна. В Японии модель NEM-PA8TB предлагают на 2000 иен (около $13,34) дороже варианта NE1N8TB (без радиатора). Таким образом, стоимость NE1N8TB может составлять около $837.