Lexar представила оперативную память ARES DDR5-6000 CL26, которая оптимизирована для платформы AMD AM5 и процессоров Ryzen, включая флагманский Ryzen 7 9800X3D. Как отражено в названии, новые модули отличаются крайне низкими задержками, обеспечивая до 10 % прироста производительности в играх по сравнению с модулями CL30.

Источник изображений: Lexar, VideoCardz

Геймеры, выбирающие системы на платформе AMD AM5, сталкиваются с необходимостью искать баланс между оптимальной скоростью оперативной памяти и её стабильностью. Частоты в диапазоне 6000–6400 MT/с считаются наиболее подходящими для синхронной работы с шиной Infinity Fabric, что обеспечивает надёжную производительность. Однако выбор частот выше этого диапазона может нарушить синхронизацию, что ведёт к падению производительности всей системы.

Память с задержкой CL30 уже зарекомендовала себя как достаточно практичный вариант, однако Lexar ARES DDR5-6000 CL26 отличается ещё более низкой задержкой CAS Latency 26, что делает её особенно привлекательной для геймеров. Производитель утверждает, что эта характеристика улучшает частоту кадров на 1 % в самых динамичных игровых сценах, а общий прирост производительности достигает 10 % в сравнении с популярными модулями CL30. Таким образом, новый комплект памяти становится оптимальным выбором для пользователей, стремящихся получить максимальную производительность без значительного увеличения расходов.

Комплект памяти ARES DDR5-6000 CL26 разработан с учётом специфики работы процессоров AMD Ryzen 7 9800X3D. В данной конфигурации достигается минимальная задержка, составляющая менее 55 нс, что положительно сказывается на быстродействии системы. Модули памяти, построенные на базе чипов SK hynix A-die, поддерживают стабильную работу при напряжении 1,45 В на частоте 6000 MT/с. Однако ёмкость комплекта ограничена всего двумя модулями по 16 Гбайт каждый, что может оказаться недостаточным для профессиональных пользователей, работающих с ресурсоёмкими задачами.

На данный момент оперативную память Lexar ARES DDR5-6000 CL26 можно приобрести исключительно на китайском рынке. Её стоимость составляет 899 юаней ($126). Комплект выпускается в двух цветовых вариантах — чёрном и серебристом, что позволяет подобрать модули под стиль игровой системы. В то же время производитель не объявил о планах продажи новинки за пределами Китая или увеличения объёма каждого модуля до 24 или 32 Гбайт, что существенно ограничивает её потенциальную аудиторию.

INDILINX, китайский производитель устройств хранения информации, представил на российском рынке внутренний твердотельный накопитель INDILINX 4XN80S 512 Гбайт M.2 (IND-4XN80S512GX) и оперативную память INDILINX DDR5 8 Гбайт 4800 МГц DIMM (IND-ID5P48SP08X). INDILINX отмечает, что её продукция изготовлена с использованием высококачественных чипов от ведущих производителей, включая Samsung, SK hynix, Micron и SanDisk.

Накопитель SSD INDILINX 4XN80S выполнен в форм-факторе M.2 2280, отличаясь компактными размерами и небольшой толщиной, благодаря чему может использоваться в качестве хранилища информации не только в настольном ПК, но и в ноутбуках, а также неттопах или мини-ПК. Новинка даже под нагрузкой нагревается не сильно, поэтому не требует радиатора.

SSD INDILINX 4XN80S 512 Гбайт M.2 объёмом 512 Гбайт с интерфейсом PCIe 3.0 x4 и поддержкой протокола NVMe основан на флеш-памяти 3D NAND, отличающейся долговечностью и энергоэффективностью, в сочетании с PCIe 3.0 контроллером производства SMI и платой компании SanDisk.

Скорость последовательного чтения и записи SSD составляет 2300 и 1500 Мбайт/с соответственно. Также заявлен ресурс перезаписи в 400 TBW (терабайт перезаписанной информации). Величина MTBF (среднее время безотказной работы) достигает 2 млн часов. Размеры SSD равны 80 × 22 × 2 мм, вес — 5 г. Модель поставляется без радиатора. Производитель предоставляет на SSD INDILINX 4XN80S 512Gb M.2 гарантию на 36 месяцев.

Оперативная память INDILINX DDR5 8 Гбайт (модель – IND-ID5P48SP08X) без буферизации, выполненная в формфакторе DIMM, предназначена для использования в настольных ПК. Модуль памяти объёмом 8 Гбайт поддерживает рабочую частоту 4800 МГц и тайминг CL40–40–40–77 при напряжении 1,1 В. При этом обеспечивается пропускная способность в пределах 38 400 Мбит/с.

В оперативной памяти INDILINX используются чипы ведущих производителей Samsung, SK hynix, Micron с нулевым процентом брака, благодаря чему обеспечивается её стабильная работа. Радиатор для отвода тепла в модуле не предусмотрен.

Компания INDILINX была основана в 2012 году. В числе её партнёров ведущие производители чипов из Тайваня, Южной Кореи и США, такие, как Samsung, Micron и SK hynix. При производстве твердотельных накопителей INDILINX используются контроллеры известных мировых производителей Silicon Motion и Yeestor.

Благодаря наличию собственной производственной базы компания INDILINX обеспечивает доступные цены на свою продукцию, включающую внутренние и внешние SSD, а также модули оперативной памяти. Строгий контроль качества продукции на собственном заводе и использование высококачественных комплектующих гарантируют высокое качество продуктов Indilinx — процент брака составляет всего около 0,5 %.

Механизм безопасности, который AMD использует для защиты памяти виртуальных машин, можно обойти с помощью одноплатного компьютера Raspberry Pi Pico стоимостью $5. Это обнаружила группа учёных из Бельгии, Германии и Великобритании, разработавшая схему атаки BadRAM.

Источник изображений: amd.com

AMD разработала технологию Secure Encrypted Virtualization (SEV), которая обеспечивает создание среды доверенного выполнения (Trusted Execution Environment — TEE). Аналогичные решения есть у конкурентов: Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX) от Intel, а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Эти технологии используются поставщиками облачных услуг и гарантируют, что администраторы, имеющие доступ к оборудованию центров обработки данных, не смогут скопировать конфиденциальную информацию с виртуальных машин клиентов. Информация в памяти шифруется, защищая клиентов облачных платформ от ненадёжных поставщиков услуг и недобросовестных представителей органов власти.

Учёные исследовали новую версию одной из таких технологий — AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), которая добавляет защиту от атак с перераспределением памяти со стороны гипервизора. Однако, как выяснилось, эта технология обладает изъянами. Для обхода ограничений доступа к содержимому памяти в TEE необходимы одноплатный компьютер Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарейка на 9 В. Предложенная учёными атака BadRAM предполагает злоупотребление механизмами работы чипа SPD (Serial Presence Detect), отвечающего за идентификацию модуля системой. С помощью манипуляций с SPD в физической памяти создаются псевдонимы, позволяющие изучить её содержимое на предмет конфиденциальной информации.

В ходе атаки видимый размер установленного в системе модуля DIMM удваивается, что позволяет обмануть контроллер памяти центрального процессора и заставить его использовать дополнительные биты адресации. В результате на одно и то же местоположение DRAM ссылаются два физических адреса. Метод работает с памятью DDR4 и DDR5. Теоретически атака может быть осуществлена и без физического доступа к оборудованию, например через SSH, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным. Это было обнаружено на двух модулях DDR4 от Corsair. Для реализации атаки на DDR3 требуется удаление или замена SPD. Технология AMD SEV-SNP используется в Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure. Учёные отмечают, что схема атаки BadRAM позволяет добавлять «необнаруживаемые бэкдоры на любую защищённую SEV виртуальную машину».

Актуальные технологии Intel SGX и TDX не подвержены данной уязвимости благодаря реализованным контрмерам, предотвращающим создание псевдонимов памяти. Уязвима лишь устаревшая версия SGX, которая уже не используется производителем. Arm CCA также защищена на уровне спецификации, однако проверить это исследователи не смогли из-за отсутствия оборудования. Схему атаки и образец кода учёные передали AMD 26 февраля 2024 года. Свои выводы они намерены представить в 2025 году на мероприятии IEEE Symposium on Security and Privacy. Компания зарегистрировала уязвимость под номерами CVE-2024-21944 and AMD-SB-3015 — сведения о них она опубликовала накануне.

«AMD считает, что эксплуатация раскрытой уязвимости предполагает, что у злоумышленника есть либо физический доступ к системе, либо доступ к ядру операционной системы, либо установлен изменённый вредоносный BIOS. AMD рекомендует использовать модули памяти, в которых заблокирован Serial Presence Detect (SPD), а также следовать передовым практикам [в области] безопасности физической системы. AMD также выпустила обновления прошивки для клиентов, которые смягчат уязвимость», — заявили в компании ресурсу The Register.

Среди производителей оперативной памяти, материнских плат, а также оверклокеров продолжается гонка лидерство в разгоне ОЗУ. Каждая команда пытается разогнать модули нового формата DDR5 CUDIMM до рекордных скоростей. Недавними успехами похвасталась ASRock, сообщившая о разгоне планки памяти G.Skill Trident Z5 CK объёмом 24 Гбайт до новой рекордной скорости— 12 666 МТ/с (6333 МГц).

Источник изображений: Splave / ASRock

Сама ASRock не производит оперативную память. Однако компания выпускает материнские платы. Последний рекорд разгона частоты памяти был установлен именно на её плате Z890 Tachi OCF, предназначенной специально для оверклокинга. Очевидно, что при работе на таких скоростях памяти не обойтись обычным воздушным охлаждением. Поэтому для установки рекорда использовался жидкий азот.

Разгон проводился оверклокером Алленом Мэтью (Allen Matthew), более известным под псевдонимом Splave. Его результат побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до режима DDR5-12634 или 6317 МГц, о котором было заявлено 27 ноября. Для нового эксперимента также использовался флагманский процессор Intel Core Ultra 9 285K. У чипа были отключены энергоэффективные E-ядра, а производительные P-ядра работали с частотой 2088,8 МГц.

Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу на высоких скоростях. Именно по этой причине последние недели различные команды заявляют о новых рекордах разгона памяти. Вполне возможно, в перспективе нас ожидают ещё более высокие результаты оверклокинга DDR5 CUDIMM. Практической пользы для обычных потребителей такие скорости не имеют, но показывают запас прочности новых модулей ОЗУ.

Компания Corsair объявила о старте продаж модулей памяти Vengeance RGB DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с. Новинки доступны в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 и 96 Гбайт соответственно из пар 24- и 48-Гбайт модулей.

Источник изображений: Corsair

На момент публикации данной заметки через официальный сайт компании был доступен комплект из двух модулей по 24 Гбайт в версии со скоростью до 8800 МТ/с стоимостью $358,99, а также в версии без RGB-подсветки и со скоростью 9200 МТ/с по цене $377,99. Для первого заявлены тайминги CL42-54-54-141, а для второго — CL44-56-56-148. Оба имеют рабочее напряжение 1,1 В. Компания также сообщила, что протестировала память с таймингами CL40-52-52-135 при напряжении 1,4 В.

Модули Corsair Vengeance RGB DDR5 CUDIMM оснащены алюминиевыми радиаторами серебристого цвета с 10 зонами RGB-подсветки. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу ОЗУ на высоких скоростях.

На данный момент память DDR5 CUDIMM официально поддерживается только платформой LGA 1851 на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии.

Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах.

Источник изображений: Colorful

Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В.

Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает.

Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186).

Компания Apacer выпустила серию модулей оперативной памяти NOX RGB DDR5. Новинки будут предлагаться как в виде отдельных планок объёмом 16 и 32 Гбайт, так и в составе двухканальных комплектов общим объёмом 32 и 64 Гбайт. В серии будут представлены планки и комплекты со скоростью до 8000 МТ/с.

Источник изображений: Apacer

Память NOX RGB DDR5 со скоростью 5200, 5600 и 6000 МТ/с обладает таймингами CL40-40-40-80 или CL38-48-48-96 и рабочим напряжением 1,25 В. Память со скоростью 6200, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МТ/с обладает таймингами от 32-39-39-84 до 40-40-40-76 и работает с напряжением 1,35 или 1,45 В. Все поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Модули ОЗУ Apacer NOX RGB DDR5 оснащены радиаторами чёрного или серебряного цвета с RGB-подсветкой. Высота планок не превышает 44 мм, так что они не должны мешать установки большинства современных кулеров.

В продаже память Apacer NOX RGB DDR5 доступна с 14 ноября. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Компания V-Color похвасталась рекордным разгоном модуля оперативной памяти Manta DDR5 CUDIMM. Если ещё вчера производитель сообщал о рекорде разгона до 12 264 МТ/с, то сегодня компания озвучила цифру 12 350 МТ/с. Оба рекорда были установлены на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF.

Источник изображения: Wccftech

Для эксперимента использовался модуль оперативной памяти V-Color Manta XFinity RGB CUDIMM DDR5 объёмом 24 Гбайт, который сначала был разогнан американским оверклокером AKM до эффективной частоты 6131,9 МГц (или 12 264 МТ/с). Память заработала при таймингах CL 52-92-92-127.

Источник изображения: HWBOT

Позже результатами разгона такого же модуля памяти и на той же материнской плате поделился канадский оверклокер saltycroissant. Он разогнал модуль памяти до эффективной частоты 6175,4 МГц (12 350,8 МТ/с). В обоих случаях для охлаждения компонентов использовался жидкий азот.

В эксперименте также принимал участие флагманский процессор Core Ultra 9 285K.

Компания Klevv представила новую серию модулей оперативной памяти Urbane V RGB DDR5. В неё вошли двухканальные комплекты общим объёмом 32, 48 и 64 Гбайт, которые состоят соответственно из пар модулей объёмом 16, 24 и 32 Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Новинки оснащены алюминиевыми радиаторами толщиной 2 мм. Высота модулей памяти составляет 42,5 мм. Производитель заявляет, что их установка не помешает использованию самых производительных систем охлаждения CPU.

Радиаторы памяти оснащены RGB-подсветкой с поддержкой 16 млн цветов.

В серию Urbane V RGB DDR5 вошли модули памяти, поддерживающие режимы работы DDR5-6000, DDR5-6400, DDR5-7200, DDR5-7600, DDR5-8000, DDR5-8200 и DDR5-8400, работающие при напряжении от 1,1 до 1,45 В. С заявленными таймингами памяти можно ознакомиться ниже.

Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. На представленные модули ОЗУ предоставляется ограниченная пожизненная гарантия.

В продаже модули памяти Klevv Urbane V RGB DDR5 ожидаются в ноябре. Стоимость комплектов ОЗУ производитель не сообщил.

Компании MSI и Kingston похвастались обновлением мирового рекорда разгона оперативной памяти. Используя материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X, тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) разогнал модуль памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до 12 196 МТ/с.

Источник изображения: VideoCardz

Энтузиаст превзошёл свой предыдущий рекорд разгона того же модуля памяти на 88 МТ/с. В прошлый раз модуль ОЗУ был разогнан до скорости 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль памяти заработал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с), при таймингах CL48-120-120-127-2.

Источник изображения: CPU-Z Validator

В эксперименте также использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S. Чипу замедлили скорость до 400 МГц и отключили почти все ядра, кроме двух.

Источник изображения: HWBOT

Для охлаждения памяти в рамках экстремального разгона применялся жидкий азот.

Компания Acer представила модули оперативной памяти Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition, радиаторы которых покрыты настоящим золотом. По словам производителя, новинки могут работать со скоростью свыше 10 000 МТ/с.

Источник изображений: Acer

Acer сообщила, что в новых модулях памяти Predator Hera DDR5 Special Edition используются чипы памяти от южнокорейского производителя SK hynix. Объём одного модуля составляет 24 Гбайт. Память поддерживает профили разгона Intel XMP. Стандартный профиль обеспечивает скорость 9200 МТ/с и задержки CL46-56-46-134. Второй профиль XMP позволяет увеличить скорость до 9466 МТ/с, а тайминги при этом составят CL48-57-57-134.

Компания заявляет, что в рамках эксперимента вручную разогнала память до скорости 10 270 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Однако Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition выделяется не только потенциалом разгона, но и своим внешним видом. Радиаторы модулей памяти покрыты 24-каратным золотом. Металл нанесён в несколько слоёв, создавая эффект зеркальной поверхности.

Когда модули памяти появятся в продаже и сколько будут стоить — неизвестно. Однако с учётом их возможностей, а также дизайнерского оформления, цена у них будет соответствующей.

Компания TeamGroup представила свои первые модули памяти нового формата CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) — потребительского класса CAMM2 DDR5 7200 МГц и промышленного класса CAMM2 DDR5 6400 МГц. Новинки стали частью фирменной серии ОЗУ T-Create.

Источник изображений: TeamGroup

Для модулей памяти CAMM2 DDR5 7200 МГц производитель заявляет тайминги CL34-42-42-84. Разогнанная память обеспечивает скорость записи, копирования и чтения на уровне 108 000 Мбайт/с, 106 000 Мбайт/с и 117 000 Мбайт/с, при этом сохраняя весьма низкую для памяти DDR5 задержку на уровне 55 нс. Указанные модули памяти направлены на потребительский и игровой сегменты покупателей. Однако доступность на рынке материнских плат с поддержкой памяти формата CAMM2 пока вызывает большие вопросы.

В пресс-релизе производитель отмечает, что для тестирования модулей использовалась материнская плата MSI Z790 Project Zero, оснащённая соответствующим слотом для памяти CAMM2. Производители плат пока не говорили о готовности к выпуску решений с поддержкой памяти в новом формфакторе. Однако ранее интерес к использованию нового типа памяти в настольных ПК выражали MSI, Asus и ASRock.

В перспективе TeamGroup планирует выпуск модулей памяти CAMM2 с поддержкой скорости 8000 и 9000 МТ/с.

«По сравнению с традиционными модулями памяти SO-DIMM, U-DIMM и R-DIMM память CAMM2 предлагает революционный дизайн с несколькими очевидными преимуществами. Она поддерживает работу в двухканальном режиме в рамках одного модуля ОЗУ, что упрощает архитектуру системы и значительно сокращает потребление энергии ПК. Модули CAMM2 оснащены встроенным тактовым генератором (Client Clock Driver, CKD), обеспечивающим более надёжную передачу сигнала. Сами модули памяти CAMM2 при этом компактные и идеально подходят для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Улучшенная тепловая конструкция модулей CAMM2 обеспечивает большую эффективность рассеивания тепла, раскрывая больше потенциала в компактном пространстве. Память CAMM2 превосходит предыдущие стандарты по разгону, скорости чтения и задержке, обеспечивая исключительно плавный пользовательский опыт», — описывает новый формат памяти TeamGroup.

Компания заявляет, что модули памяти CAMM2 появятся в продаже в первом квартале 2025 года. Вероятно, именно тогда производители материнских плат больше расскажут о своих решениях с поддержкой данного типа памяти.

Компания Apple объявила, что минимальный объём оперативной памяти у ноутбуков MacBook Air с процессорами M2 и M3 теперь составляет 16 Гбайт. При этом цена самой доступной конфигурации ноутбука по-прежнему составляет $999. То есть Apple теперь предлагает вдвое больше ОЗУ за те же деньги.

Источник изображения: Apple

До этого Apple просила $200 за увеличение объёма оперативной памяти с минимальных 8 Гбайт до 16 Гбайт. Увеличение минимального объёма оперативной памяти делает MacBook Air более конкурентным на фоне других решений. Наиболее вероятной причиной увеличения объёма ОЗУ является внедрение новых ИИ-функций Apple Intelligence, которым требуется для работы больше оперативной памяти.

В последний раз Apple увеличивала минимальный объём оперативной памяти у MacBook Air в 2016 году. Тогда компания анонсировала 13-дюймовую версию с 8 Гбайт, пришедшую на замену 11-дюймовой модели с 4 Гбайт памяти в базовой конфигурации.

Все представленные Apple на этой неделе компьютеры, то есть обновлённые iMac, Mac Mini и MacBook Pro, предлагают не менее 16 Гбайт оперативной памяти.

Компания Micron представила комплект модулей оперативной памяти Crucial Pro DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Для ОЗУ заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Источник изображений: Crucial

Память Crucial Pro DDR5-6400 поддерживает профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO с скоростью 6400 МТ/с и таймингами CL 38-40-40-84, а также 6000 МТ/с и CL36-38-38-80. Заявленное рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,35 В.

Новинки оснащены радиаторами охлаждения белого или чёрного цвета без RGB-подсветки. Производитель отмечает, что чипы памяти DDR5 в составе указанных модулей производятся с использованием фирменного техпроцесса Micron 1ß (1-beta).

На память Crucial Pro DDR5-6400 предоставляется пожизненная гарантия производителя. В продаже комплекты памяти уже появились. Производитель оценил их в $118,99.

Компания G.Skill сообщила об очередном рекордном разгоне своей оперативной памяти. Южнокорейскому энтузиасту Safedisk удалось заставить работать модуль оперативной памяти Trident Z5 RGB DDR5 на скорости 12 112 МТ/с в одноканальном режиме.

Источник изображения: G.Skill

Новый рекорд всего на 4 МГц выше предыдущего, установленного тайваньским оверклокером Кованом Янгом (Kovan Yang). Ему удалось разогнать память Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с.

Для разгона ОЗУ G.Skill использовался жидкий азот. Эксперимент проводился на флагманской материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex с участием флагманского процессора Core Ultra 9 285K. Чип работал на частоте 3000 МГц. Модуль памяти Trident Z5 RGB DDR5 с базовой скоростью 5600 МТ/с запустила на скорости 12 112 МТ/с при таймингах CL52-92-92-127-2.

Результаты разгона были проверены в HWBOT и CPU-Z Validator.