Стоимость чипов оперативной памяти типа DDR4 заметно выросла в последнее время, несмотря на высокий уровень запасов и распространение памяти DDR5. Покупатели по-прежнему предпочитают DDR4 более новой DDR5 из-за того, что последняя продаётся по значительно более высокой цене, сообщает TrendForce в последнем отчёте о тенденциях цен на компьютерную память.

По данным аналитиков, средняя спотовая цена на популярные чипы DDR4 1Gx8 2666MT/s выросла на 2,92 % — с $1,918 на прошлой неделе до $1,974 на этой неделе. Поставщики чипов оперативной памяти намерены стабилизировать спотовые цены на продукцию DDR4. Тем не менее, эксперты отмечают, что для определения наметившегося роста необходим дальнейший мониторинг уровня запасов.

Источник изображениq: Trendforce

В то же время, спотовый рынок флеш-памяти NAND остаётся вялым, а цены на различные продукты начали снижаться после того, как цена на 512-гигабитные TLC-чипы в пластинах упала ниже порога в 3 доллара за штуку на прошлой неделе. При этом покупатели осторожно относятся к ценовым запросам, несмотря на замедление снижения спотовых цен, что не оставляет поводов для оптимизма в отношении сделок.

Аналитики TrendForce считают, что в третьем квартале цены на флеш-память NAND будут расти медленнее, чем ожидалось ранее. Это связано с тем, что производители активно наращивают производство, а спрос на рынке потребительской электроники остаётся слабым.

Источник изображения: Copilot

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, корпоративный сектор продолжает инвестировать в серверную инфраструктуру, особенно на фоне растущего внедрения искусственного интеллекта (ИИ), что стимулирует спрос на корпоративные SSD. Однако рынок потребительской электроники остаётся вялым. Это, в сочетании с агрессивным наращиванием производства флеш-память поставщиками во второй половине года, с одной стороны может привести к увеличению коэффициента достаточности (CAR) на продукты NAND — до 2,3 % в третьем квартале, с другой стороны ограничит рост цен на 5-10 %.

Несмотря на то, что в этом году цены на флеш-память NAND показали заметное восстановление, поскольку производители усилено работали над тем, чтобы вернуть прибыльность, резкий рост производства и низкий спрос на розничном рынке привели к снижению цен.

В отношении клиентских SSD, даже несмотря на то, что продажи ноутбуков входят в традиционный сезон пикового спроса, настроение клиентов по закупкам остаётся умеренным. Цены на конечные продукты для ПК ещё не полностью отразили подорожание прошлого года, а объёмы закупок во второй половине года не показал значительного роста.

Источник изображения: Trendforce.com

В корпоративном сегменте, расширение внедрения серверов для ИИ стимулирует значительные инвестиции в ИТ-инфраструктуру и, как ожидается, приведёт к увеличению заказов серверных OEM (оригинальных производителей оборудования) в третьем квартале.

Для встраиваемых энергонезависимых систем памяти (eMMC) третий квартал не показал значительного спроса, однако производители настроены добиться повышения цен. Но это решимость может привести лишь к минимальному росту цен и оставить контрактные цены практически такими же.

В сегменте UFS (универсальный флеш-накопитель), высокие уровни запасов и медленная их реализация со стороны производителей, создают более широкий ценовой выбор для покупателей. Хотя производители и стремятся к значительному повышению цен в третьем квартале, но по мнению аналитиков, можно ожидать сопротивления со стороны покупателей. А в связи с избыточными запасами и слабым спросом на рынке, цены на UFS в третьем квартале могут увеличиться всего на 3-8 %.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Компания Lenovo выпустила ноутбук ThinkPad P1 с инновационной технологией памяти LPCAMM2, которая энергоэффективна как распаиваемая память LPDDR, но при этом модуль можно легко заменить, открутив всего 3 винта. До сих пор производителям приходилось выбирать между съёмной и энергоэффективной оперативной памятью. LPCAMM2 пытается устранить различия.

Источник изображений: iFixit

До появления LPCAMM2 производителям приходилось делать непростой выбор между классическими модулями оперативной памяти типа SO-DIMM, и энергоэффективной, но несъёмной памятью LPDDR, припаянной к материнской плате. Теперь же LPCAMM2 совмещает преимущества обеих технологий.

Модули LPCAMM2 крепятся к материнской плате при помощи винтов, а не припаиваются, как обычная память LPDDR в современных ноутбуках. Это делает LPCAMM2 легко заменяемой и модернизируемой. Пользователь может самостоятельно увеличить объём ОЗУ или заменить вышедший из строя модуль.

Как продемонстрировали специалисты iFixit на примере ноутбука ThinkPad P1, заменить модуль LPCAMM2 можно всего за пару минут. Для этого достаточно снять крышку корпуса, извлечь аккумулятор и открутить три винта крепления памяти отверткой. Процедура аналогична замене жёсткого диска или оперативной памяти в настольных ПК.

Помимо Micron, разработавшей стандарт LPCAMM2, к производству такой памяти уже подключились компании Samsung и ADATA, что указывает на то, что новый формат может быстро получить широкое распространение и станет де-факто отраслевым стандартом, а пользователи избавятся от проблем с недостатком объёма или выходом из строя памяти в ноутбуках.

Прошло всего два месяца после анонса самой быстрой в мире памяти LPDDR5X для мобильных устройств, а компания SK hynix уже представляет более быструю память LPDDR5T. Данная память станет последним этапом в подготовке к переходу на чипы LPDDR6, а чтобы подчеркнуть исключительно высочайшие качества новинки новая модификация LPDDR5 получила приставку «T», что означает Turbo.

Источник изображений: SK hynix

LPDDR5T будет на 13 % быстрее памяти LPDDR5X, что потребуется новым мобильным устройствам от смартфонов до AR/VR-гарнитур и других устройств, а также для приложений искусственного интеллекта и, особенно, для периферийных ИИ-решений в виде роботов и других решений.

Как известно, скорость передачи представленных в октябре прошлого года чипов LPDDR5X достигает 8,5 Гбит/с на контакт. Скорость работы памяти LPDDR5T заявлена на уровне 9,6 Гбит/с на контакт. При этом потребление чипов выросло незначительно, что позволяет говорить о росте энергоэффективности.

Массовое производство микросхем LPDDR5T компания SK hynix намерена запустить во второй половине текущего года. Продукция сразу же будет пользоваться спросом, поскольку образцы микросхем уже отправлены для изучения многочисленным клиентам компании. Вероятно, в готовых продуктах память LPDDR5T дебютирует на CES 2024, а в широкой продаже появится зимой и весной следующего года.

Микросхемы LPDDR5T производятся с использованием четвёртого поколения техпроцесса класса 10 нм (в обозначении SK hynix — 1anm). Для изготовления ключевых транзисторов ячеек памяти задействован так называемый техпроцесс HKGM (High-K Metal Gate) хорошо известный нам по производству процессоров. Для изоляции металлических затворов транзисторов используется плёнка с высокой диэлектрической проницаемостью, которая снижает токи утечек, что повышает производительность транзисторов и снижает их потребление.

Питание чипов LPDDR5T лежит в сверхнизком диапазоне напряжений, установленном комитетом JEDEC для памяти LPDDR5: от 1,01 до 1,12 В. До появления памяти LPDDR6 более быстрого продукта поколения LPDDR5 может не появиться. Тем не менее, будет интересно узнать, чем компания Samsung ответит на самодеятельность SK hynix в виде маркировки «Турбо»?