Компании MSI и Kingston похвастались обновлением мирового рекорда разгона оперативной памяти. Используя материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X, тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) разогнал модуль памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до 12 196 МТ/с.

Источник изображения: VideoCardz

Энтузиаст превзошёл свой предыдущий рекорд разгона того же модуля памяти на 88 МТ/с. В прошлый раз модуль ОЗУ был разогнан до скорости 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль памяти заработал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с), при таймингах CL48-120-120-127-2.

Источник изображения: CPU-Z Validator

В эксперименте также использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S. Чипу замедлили скорость до 400 МГц и отключили почти все ядра, кроме двух.

Источник изображения: HWBOT

Для охлаждения памяти в рамках экстремального разгона применялся жидкий азот.

Компания Acer представила модули оперативной памяти Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition, радиаторы которых покрыты настоящим золотом. По словам производителя, новинки могут работать со скоростью свыше 10 000 МТ/с.

Источник изображений: Acer

Acer сообщила, что в новых модулях памяти Predator Hera DDR5 Special Edition используются чипы памяти от южнокорейского производителя SK hynix. Объём одного модуля составляет 24 Гбайт. Память поддерживает профили разгона Intel XMP. Стандартный профиль обеспечивает скорость 9200 МТ/с и задержки CL46-56-46-134. Второй профиль XMP позволяет увеличить скорость до 9466 МТ/с, а тайминги при этом составят CL48-57-57-134.

Компания заявляет, что в рамках эксперимента вручную разогнала память до скорости 10 270 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Однако Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition выделяется не только потенциалом разгона, но и своим внешним видом. Радиаторы модулей памяти покрыты 24-каратным золотом. Металл нанесён в несколько слоёв, создавая эффект зеркальной поверхности.

Когда модули памяти появятся в продаже и сколько будут стоить — неизвестно. Однако с учётом их возможностей, а также дизайнерского оформления, цена у них будет соответствующей.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Компания TeamGroup представила свои первые модули памяти нового формата CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) — потребительского класса CAMM2 DDR5 7200 МГц и промышленного класса CAMM2 DDR5 6400 МГц. Новинки стали частью фирменной серии ОЗУ T-Create.

Источник изображений: TeamGroup

Для модулей памяти CAMM2 DDR5 7200 МГц производитель заявляет тайминги CL34-42-42-84. Разогнанная память обеспечивает скорость записи, копирования и чтения на уровне 108 000 Мбайт/с, 106 000 Мбайт/с и 117 000 Мбайт/с, при этом сохраняя весьма низкую для памяти DDR5 задержку на уровне 55 нс. Указанные модули памяти направлены на потребительский и игровой сегменты покупателей. Однако доступность на рынке материнских плат с поддержкой памяти формата CAMM2 пока вызывает большие вопросы.

В пресс-релизе производитель отмечает, что для тестирования модулей использовалась материнская плата MSI Z790 Project Zero, оснащённая соответствующим слотом для памяти CAMM2. Производители плат пока не говорили о готовности к выпуску решений с поддержкой памяти в новом формфакторе. Однако ранее интерес к использованию нового типа памяти в настольных ПК выражали MSI, Asus и ASRock.

В перспективе TeamGroup планирует выпуск модулей памяти CAMM2 с поддержкой скорости 8000 и 9000 МТ/с.

«По сравнению с традиционными модулями памяти SO-DIMM, U-DIMM и R-DIMM память CAMM2 предлагает революционный дизайн с несколькими очевидными преимуществами. Она поддерживает работу в двухканальном режиме в рамках одного модуля ОЗУ, что упрощает архитектуру системы и значительно сокращает потребление энергии ПК. Модули CAMM2 оснащены встроенным тактовым генератором (Client Clock Driver, CKD), обеспечивающим более надёжную передачу сигнала. Сами модули памяти CAMM2 при этом компактные и идеально подходят для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Улучшенная тепловая конструкция модулей CAMM2 обеспечивает большую эффективность рассеивания тепла, раскрывая больше потенциала в компактном пространстве. Память CAMM2 превосходит предыдущие стандарты по разгону, скорости чтения и задержке, обеспечивая исключительно плавный пользовательский опыт», — описывает новый формат памяти TeamGroup.

Компания заявляет, что модули памяти CAMM2 появятся в продаже в первом квартале 2025 года. Вероятно, именно тогда производители материнских плат больше расскажут о своих решениях с поддержкой данного типа памяти.

Компания Apple объявила, что минимальный объём оперативной памяти у ноутбуков MacBook Air с процессорами M2 и M3 теперь составляет 16 Гбайт. При этом цена самой доступной конфигурации ноутбука по-прежнему составляет $999. То есть Apple теперь предлагает вдвое больше ОЗУ за те же деньги.

Источник изображения: Apple

До этого Apple просила $200 за увеличение объёма оперативной памяти с минимальных 8 Гбайт до 16 Гбайт. Увеличение минимального объёма оперативной памяти делает MacBook Air более конкурентным на фоне других решений. Наиболее вероятной причиной увеличения объёма ОЗУ является внедрение новых ИИ-функций Apple Intelligence, которым требуется для работы больше оперативной памяти.

В последний раз Apple увеличивала минимальный объём оперативной памяти у MacBook Air в 2016 году. Тогда компания анонсировала 13-дюймовую версию с 8 Гбайт, пришедшую на замену 11-дюймовой модели с 4 Гбайт памяти в базовой конфигурации.

Все представленные Apple на этой неделе компьютеры, то есть обновлённые iMac, Mac Mini и MacBook Pro, предлагают не менее 16 Гбайт оперативной памяти.

Компания Micron представила комплект модулей оперативной памяти Crucial Pro DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Для ОЗУ заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Источник изображений: Crucial

Память Crucial Pro DDR5-6400 поддерживает профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO с скоростью 6400 МТ/с и таймингами CL 38-40-40-84, а также 6000 МТ/с и CL36-38-38-80. Заявленное рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,35 В.

Новинки оснащены радиаторами охлаждения белого или чёрного цвета без RGB-подсветки. Производитель отмечает, что чипы памяти DDR5 в составе указанных модулей производятся с использованием фирменного техпроцесса Micron 1ß (1-beta).

На память Crucial Pro DDR5-6400 предоставляется пожизненная гарантия производителя. В продаже комплекты памяти уже появились. Производитель оценил их в $118,99.

Компания G.Skill сообщила об очередном рекордном разгоне своей оперативной памяти. Южнокорейскому энтузиасту Safedisk удалось заставить работать модуль оперативной памяти Trident Z5 RGB DDR5 на скорости 12 112 МТ/с в одноканальном режиме.

Источник изображения: G.Skill

Новый рекорд всего на 4 МГц выше предыдущего, установленного тайваньским оверклокером Кованом Янгом (Kovan Yang). Ему удалось разогнать память Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с.

Для разгона ОЗУ G.Skill использовался жидкий азот. Эксперимент проводился на флагманской материнской плате Asus ROG Maximus Z890 Apex с участием флагманского процессора Core Ultra 9 285K. Чип работал на частоте 3000 МГц. Модуль памяти Trident Z5 RGB DDR5 с базовой скоростью 5600 МТ/с запустила на скорости 12 112 МТ/с при таймингах CL52-92-92-127-2.

Результаты разгона были проверены в HWBOT и CPU-Z Validator.

Сразу несколько производителей оперативной памяти сообщили о разгоне модулей памяти DDR5 до рекордной скорости выше 12 000 МТ/с. Использовались новейшие модули CUDIMM в сочетании с материнскими платами с чипсетом Intel Z890 и процессорами Core Ultra 200S.

Источник изображения: VideoCardz

Компания Kingston отчиталась о разгоне своей памяти Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с, что является самым высоким результатом в истории на данный момент. Рекорд установил оверклокер Кован Янг (Kovan Yang), который добился эффективной частоты 6053,7 МГц (12 108 МТ/с) на материнской плате MSI MEG Z890 UNIFY-X.

Источник изображения: Kingston

Согласно данным HWBOT, охлаждение компонентов осуществлялось с помощью жидкого азота. Память «завелась» с таймингами CL45-120-120-127-2 в сочетании с процессором Core Ultra 7 265KF, у которого были отключены энергоэффективные E-ядра. На больших P-ядрах чип работал на частоте 400 МГц.

Источник изображения: CPU-Z Validator

Компания G.Skill, в свою очередь, сообщила о чуть более скромных результатах разгона памяти — 12 042, 12 046 и 12 066 МТ/с. Разгон проводили оверклокеры BenchMarc, OGS, Dreadzone и CENS. Эксперимент проводился с использованием материнской платы Asus ROG Maximus Z890 Apex и процессора Core Ultra 9 285K. Для охлаждения также использовался жидкий азот. В режиме DDR5-12066 память работала с таймингами CL52-92-92-127-2.

Компания Corsair сообщила о подготовке к выпуску модулей памяти Vengeance CUDIMM DDR5, работающих со скоростью до 10 000 МТ/с. Информацией производитель поделился в своих социальных сетях.

Источник изображений: Corsair

Corsair показала работу новых модулей памяти в режиме DDR5-10000, который был установлен через встроенный профиль разгона XMP. Память работала с таймингами CL48-60-60-157-217в системе с процессором Intel Core Ultra 7 265K и материнской платой для оверклокеров ASRock Z890 Taichi OCF.

По словам Corsair, новинки будут выпущены к концу ноября. Информации о ценах, а также подробные технические характеристики модулей памяти производитель не сообщил. Известно лишь, что планки имеют объём 24 Гбайт.

Компания Kingston сообщила о расширении серии оперативной памяти Fury Renegade модулями ОЗУ CUDIMM DDR5, предназначенными для работы на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии с процессорами Intel Core Ultra 200S.

Источник изображений: Kingston

Оперативная память Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 будет выпускаться в виде одиночных модулей объёмом 24 Гбайт, а также в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Новинки оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, так и без неё. Для новинок заявляется скорость работы 8400 МТ/с. Полные характеристики новых модулей ОЗУ компания не приводит.

Производитель отмечает, что поскольку модули памяти CUDIMM и UDIMM используют одинаковый 288-контактный DIMM-интерфейс, память Kingston Fury UDIMM с поддержкой профилей разгона Intel XMP и AMD EXPO также совместима с материнскими платами Intel 800-й серии. Однако компания рекомендует проверить совместимость с помощью списка QVL того или иного производителя материнской платы или с помощью конфигуратора Kingston для проверки поддерживаемых скоростей и ёмкостей модулей.

Поставки модулей памяти Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 начнутся с 18 ноября.

Компания G.Skill официально представила комплекты модулей оперативной памяти CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK и CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK RGB, оснащённые встроенным тактовым генератором. Последний позволяет модулям CUDIMM стабильно работать на более высоких тактовых частотах по сравнению с обычными UDIMM.

Источник изображений: G.Skill

Новые двуканальные комплекты ОЗУ CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK и CUDIMM DRR5 Trident Z5 CK RGB общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт) предлагают поддержку скоростей от 8000 МТ/с до 9600 МТ/с и работают с таймингами от CL40-48-48 до CL46-58-58.

Новинки предназначены специально для использования с материнскими платами Intel 800-й серии и новейшими процессорами Core Ultra 200S.

G.Skill CUDIMM DDR5-9000

Производитель сообщает, что специально для оверклокеров подготовил комплект ОЗУ CUDIMM DDR5-9000 общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт), работающий с таймингами CL42-56-56-144 в режиме Gear 2. Эффективность работы этого комплекта памяти была продемонстрирована в паре с новым флагманским процессором Core Ultra 9 285K и материнской платой Asus ROG Maximus Z890 Apex.

G.Skill CUDIMM DDR5-9600

Двухканальный комплект памяти CUDIMM DDR5 со скоростью до 9600 МТ/с того же объёма и таймингами CL46-58-58 в режиме Gear 4 был протестирован на совместимость и стабильность работы с процессором Core Ultra 7 265K и материнской платой ASRock Z890 Taichi OCF.

Разгон до DDR5-10000

Компания G.Skill также продемонстрировала потенциал разгона комплекта памяти CUDIMM DDR5 Trident Z5 CK до скорости 10 000 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Тесты проводились на материнских платах Asus ROG Maximus Z890 Apex и ASRock Z890 Taichi OCF. Производитель опубликовал скриншоты тестирования ОЗУ на такой скорости в стресс-тестах AIDA64 и Memtest.

G.Skill отмечает, что комплекты памяти Trident Z5 CK CUDIMM DDR5-9600 в версиях без RGB-подсветки и с подсветкой уже появились в продаже. Вариант без подсветки оценивается в $389,99, а светящийся — на $10 дороже. Новинки доступны у ретейлера Newegg. В ближайшее время география продаж будет расширена.

Компания V-Color представила комплект оперативной памяти CUDIMM DDR5 Manta Xfinity со скоростью работы 8800 МТ/с. Напомним, память CUDIMM отличается от обычной UDIMM наличием встроенного тактового генератора, позволяющего модулям ОЗУ стабильно работать на более высоких частотах.

Источник изображений: V-Color

В рамках серии ОЗУ CUDIMM DDR5 Manta Xfinity производитель выпустил только один двуканальный комплект памяти общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Он работает с таймингами CL42-56-56-134 при напряжении 1,45 В.

Размеры модулей ОЗУ составляют 133 × 43 × 7,7 мм. Новинки будут выпускаться в чёрно-серебряном или чёрно-золотом оформлении и будут доступны как с RGB-подсветкой, так и без неё.

Согласно пресс-релизу производителя, комплекты памяти CUDIMM DDR5-8800 Manta Xfinity доступны в продаже с сегодняшнего дня. Однако о стоимости новинок компания не сообщила.

Компания TeamGroup представила два новых цветовых решения для своих модулей оперативной памяти T-Force Xtreem DDR5 и T-Force Xtreem ARGB DDR5. Первые теперь доступны, в том числе, в розовом варианте исполнения, а вторые — в белом. Ранее производитель предлагал эти модули в чёрном исполнении.

Источник изображений: TeamGroup

Модули памяти T-Force Xtreem DDR5 предлагаются в виде двухканальных комплектов ОЗУ общим объёмом 32 (2×16) Гбайт и 48 (2×24) Гбайт с частотой от 6000 до 7600 МГц и таймингами CL30 (DDR5-6000) и CL36 (DDR5-7600). Они оснащены алюминиевыми радиаторами охлаждения без RGB-подсветки. Для них заявлено рабочее напряжение от 1,25 до 1,4 В в зависимости от комплекта.

В свою очередь модули T-Force Xtreem ARGB DDR5 имеют RGB-подсветку и предлагаются в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2×16) Гбайт со скоростью от 6000 до 8000 МТ/с, 48 (2×24) Гбайт со скоростью от 6800 до 8200 МТ/c, 64 (2×32) Гбайт со скоростью 6000 и 6800 МТ/с, а также 96 (2×48) Гбайт со скоростью 6800 МТ/с. Указанные комплекты памяти работают с таймингами CL30, CL32, CL34, CL36 и CL38, обладая рабочим напряжением от 1,35 до 1,4 В.

Все модули памяти серии T-Force Xtreem поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Samsung объявила о выпуске первых в мире 24-гигабитных микросхем памяти GDDR7. Эта память отличается самой высокой на сегодняшний день ёмкостью и скоростью, превышающей 40 Гбит/с, что делает её идеальным решением для высокопроизводительных ускорителей будущего. Тестирование новинки основными заказчиками начнётся в этом году, а массовое производство запланировано на начало 2025 года. Весьма вероятно, эта память пропишется в GeForce RTX 5090 и других видеокартах нового поколения.

Источник изображений: Samsung

Новое решение от Samsung найдёт применение не только в традиционных областях — видеокартах, игровых консолях и системах автономного вождения, но также в дата-центрах и рабочих станциях для ИИ. Благодаря высокой скорости передачи данных и увеличенной ёмкости новая GDDR7 станет ключевым компонентом для инфраструктуры, требующей быстрого доступа к большим объёмам информации.

«Разработав в прошлом году первую в отрасли 16-гигабитную GDDR7, Samsung укрепила своё технологическое лидерство на рынке графической DRAM этим последним достижением», — заявил ЁнЧхоль Бэ (YongCheol Bae), исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти Samsung. Он также отметил, что компания продолжит выпускать инновационные продукты, отвечающие растущим потребностям индустрии ИИ и высокопроизводительных вычислений.

Новая 24-гигабитная GDDR7 использует DRAM пятого поколения, изготовленную по техпроцессу 10-нм класса, что позволило увеличить плотность ячеек на 50 % без изменения размеров упаковки. Это значительное технологическое достижение обеспечивает более высокую ёмкость и производительность по сравнению с предыдущими решениями.

Одним из ключевых технологических достижений Samsung является применение трёхуровневой амплитудно-импульсной модуляции PAM3, которая позволяет достигать скорости свыше 40 Гбит/с, что на 25 % быстрее по сравнению с предыдущим поколением GDDR6. В зависимости от условий эксплуатации производительность может увеличиваться до 42,5 Гбит/с.

Энергоэффективность новинки была значительно улучшена за счёт внедрения технологий, ранее использовавшихся в мобильных устройствах, теперь впервые применённых в графической памяти. Внедрение методов управления тактовой частотой и двухуровневого дизайна питания (VDD) позволило существенно сократить потребление энергии, что привело к повышению энергоэффективности более чем на 30 %. Это особенно критично для систем с высокой вычислительной нагрузкой, где каждый процент энергоэффективности приводит к ощутимым выгодам.

Для обеспечения стабильной работы GDDR7 при высоких скоростях обработки данных была минимизирована утечка тока за счёт использования новых методов управления питанием. Это позволяет значительно снизить энергопотери и повысить надёжность системы даже при максимальных нагрузках.

Компания Crucial представила модули оперативной памяти DDR5 CUDIMM для новейших настольных компьютеров и DDR5 CSODIMM компактного формата для ноутбуков и мини-ПК со скоростью 6400 МТ/с. Компания предложит для настольных и мобильных ПК модули объёмом до 64 Гбайт — прежде такие были только в серверном сегменте.

Источник изображений: Crucial

Модули памяти CUDIMM и CSODIMM отличаются от обычных модулей DIMM и SO-DIMM соответственно наличием встроенного тактового генератора (Clock Driver, CKD), который повышает общую стабильность работы модулей памяти и позволяет им стабильно функционировать на более высоких частотах. Некоторые производители уже анонсировали выпуск модулей памяти DDR5 CUDIMM со скоростью свыше 9000 МТ/с. Crucial к таким скоростям пока не стремится и хочет начать с малого. Первые модули CUDIMM и CSODIMM производителя будут работать на скорости 6400 МТ/с с задержками CL52-52-52-103.

По словам Crucial, её первые модули памяти CUDIMM уже прошли проверку совместимости с новейшими процессорами Intel Core Ultra 200S. Компания отмечает, что первой в мире завершила проверку на совместимость с Core Ultra 200S модулей памяти CUDIMM ёмкостью 64 Гбайт на базе 32-Гбит микросхем памяти.

Однако в продажу производитель сначала выпустит двухканальные комплекты DDR5-6400 общим объёмом 32 Гбайт (2×16 Гбайт), а также отдельные модули DDR5-6400 объёмом 16 Гбайт. А вот модули объёмом 64 Гбайт, которые позволят оснастить настольный ПК сразу 256 Гбайт оперативной памяти, появятся в продаже в первой половине 2025 года.

Производитель уже озвучил цены на модули памяти DDR5 CUDIMM объёмом 16 Гбайт. Одиночный модуль оценивается $84,99, а комплект из двух — в $169,99.