Опрос
|
реклама
Быстрый переход
Китай завалит рынок недорогой памятью DDR5 — CXMT запустила массовое производство таких чипов
20.12.2024 [16:04],
Павел Котов
Несколько китайских производителей модулей памяти начали выпускать адресованную энтузиастам продукцию стандарта DDR5 на чипах ChangXin Memory Technologies (CXMT). Компания не делала публичных заявлений о работе с DDR5, но если она действительно наладила массовый выпуск таких чипов, то при достаточно высоких объёмах производства CXMT способна оказать некоторое влияние на рынок. Память DDR5 от CXMT производится с использованием собственного техпроцесса G3 с шириной линии 17,5 нм, утверждает ZDNet Korea со ссылкой на собственные источники. Выход годной продукции, по оценкам опрошенных ресурсом экспертов, составляет около 80 %, хотя они не уточнили, какие чипы изучили. Первые сообщения о чипах SDRAM DDR5 от CXMT появились в 2022 году — тогда сообщалось о техпроцессе 17 нм. По версии аналитиков TechInsights, китайский производитель для производства SDRAM DDR5 применяет технологию G4. Компании KingBank и Gloway выпустили в продажу модули DDR5 ёмкостью 32 Гбайт на чипах, имеющих маркировку как «отечественные». Производитель чипов в явном виде не упоминается, но известно, что CXMT является самым передовым производителем DRAM в Китае. В середине ноября CXMT и Fujian Jinhua начали продавать память DDR4 со скидкой 50 % — дешевле, чем бывшие в употреблении чипы. Если теперь CXMT наладила выпуск DDR5, важно понять, какие у компании планы: наводнить рынок дешёвыми чипами, чтобы завоевать свою долю, или работать на максимальную прибыль. Сейчас непросто установить, способна ли компания наводнить рынок дешёвыми чипами. Она располагает внушительными производственными мощностями, но нет ясности, какая их часть будет работать на открытый рынок; основной целью китайских производителей является удовлетворение местного спроса, в том числе со стороны госзаказчиков. Если CXMT действительно отнимет доли рынка у Micron, Samsung и SK hynix в Китае, эти компании будут вынуждены наладить выпуск DDR5 в других регионах, что усилит конкуренцию и снизит цены. Это было бы хорошей новостью для потребителя и не очень — для трёх крупнейших компаний, которые установили своего рода перемирие и отказались от ценовых войн. Lexar выпустила быструю оперативную память для Ryzen 7 9800X3D — ARES DDR5-6000 с задержками CL26
16.12.2024 [11:26],
Дмитрий Федоров
Lexar представила оперативную память ARES DDR5-6000 CL26, которая оптимизирована для платформы AMD AM5 и процессоров Ryzen, включая флагманский Ryzen 7 9800X3D. Как отражено в названии, новые модули отличаются крайне низкими задержками, обеспечивая до 10 % прироста производительности в играх по сравнению с модулями CL30. Геймеры, выбирающие системы на платформе AMD AM5, сталкиваются с необходимостью искать баланс между оптимальной скоростью оперативной памяти и её стабильностью. Частоты в диапазоне 6000–6400 MT/с считаются наиболее подходящими для синхронной работы с шиной Infinity Fabric, что обеспечивает надёжную производительность. Однако выбор частот выше этого диапазона может нарушить синхронизацию, что ведёт к падению производительности всей системы. Память с задержкой CL30 уже зарекомендовала себя как достаточно практичный вариант, однако Lexar ARES DDR5-6000 CL26 отличается ещё более низкой задержкой CAS Latency 26, что делает её особенно привлекательной для геймеров. Производитель утверждает, что эта характеристика улучшает частоту кадров на 1 % в самых динамичных игровых сценах, а общий прирост производительности достигает 10 % в сравнении с популярными модулями CL30. Таким образом, новый комплект памяти становится оптимальным выбором для пользователей, стремящихся получить максимальную производительность без значительного увеличения расходов. Комплект памяти ARES DDR5-6000 CL26 разработан с учётом специфики работы процессоров AMD Ryzen 7 9800X3D. В данной конфигурации достигается минимальная задержка, составляющая менее 55 нс, что положительно сказывается на быстродействии системы. Модули памяти, построенные на базе чипов SK hynix A-die, поддерживают стабильную работу при напряжении 1,45 В на частоте 6000 MT/с. Однако ёмкость комплекта ограничена всего двумя модулями по 16 Гбайт каждый, что может оказаться недостаточным для профессиональных пользователей, работающих с ресурсоёмкими задачами. На данный момент оперативную память Lexar ARES DDR5-6000 CL26 можно приобрести исключительно на китайском рынке. Её стоимость составляет 899 юаней ($126). Комплект выпускается в двух цветовых вариантах — чёрном и серебристом, что позволяет подобрать модули под стиль игровой системы. В то же время производитель не объявил о планах продажи новинки за пределами Китая или увеличения объёма каждого модуля до 24 или 32 Гбайт, что существенно ограничивает её потенциальную аудиторию. Установлен новый рекорд разгона памяти DDR5 — 12 666 МТ/с на модуле CUDIMM
03.12.2024 [19:36],
Николай Хижняк
Среди производителей оперативной памяти, материнских плат, а также оверклокеров продолжается гонка лидерство в разгоне ОЗУ. Каждая команда пытается разогнать модули нового формата DDR5 CUDIMM до рекордных скоростей. Недавними успехами похвасталась ASRock, сообщившая о разгоне планки памяти G.Skill Trident Z5 CK объёмом 24 Гбайт до новой рекордной скорости— 12 666 МТ/с (6333 МГц). Сама ASRock не производит оперативную память. Однако компания выпускает материнские платы. Последний рекорд разгона частоты памяти был установлен именно на её плате Z890 Tachi OCF, предназначенной специально для оверклокинга. Очевидно, что при работе на таких скоростях памяти не обойтись обычным воздушным охлаждением. Поэтому для установки рекорда использовался жидкий азот. Разгон проводился оверклокером Алленом Мэтью (Allen Matthew), более известным под псевдонимом Splave. Его результат побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до режима DDR5-12634 или 6317 МГц, о котором было заявлено 27 ноября. Для нового эксперимента также использовался флагманский процессор Intel Core Ultra 9 285K. У чипа были отключены энергоэффективные E-ядра, а производительные P-ядра работали с частотой 2088,8 МГц. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу на высоких скоростях. Именно по этой причине последние недели различные команды заявляют о новых рекордах разгона памяти. Вполне возможно, в перспективе нас ожидают ещё более высокие результаты оверклокинга DDR5 CUDIMM. Практической пользы для обычных потребителей такие скорости не имеют, но показывают запас прочности новых модулей ОЗУ. Corsair выпустила память Vengeance RGB DDR5 CUDIMM с тактовым генератором и разгоном до 9200 МТ/с
03.12.2024 [19:23],
Николай Хижняк
Компания Corsair объявила о старте продаж модулей памяти Vengeance RGB DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с. Новинки доступны в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 и 96 Гбайт соответственно из пар 24- и 48-Гбайт модулей. На момент публикации данной заметки через официальный сайт компании был доступен комплект из двух модулей по 24 Гбайт в версии со скоростью до 8800 МТ/с стоимостью $358,99, а также в версии без RGB-подсветки и со скоростью 9200 МТ/с по цене $377,99. Для первого заявлены тайминги CL42-54-54-141, а для второго — CL44-56-56-148. Оба имеют рабочее напряжение 1,1 В. Компания также сообщила, что протестировала память с таймингами CL40-52-52-135 при напряжении 1,4 В. Модули Corsair Vengeance RGB DDR5 CUDIMM оснащены алюминиевыми радиаторами серебристого цвета с 10 зонами RGB-подсветки. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу ОЗУ на высоких скоростях. На данный момент память DDR5 CUDIMM официально поддерживается только платформой LGA 1851 на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии. Китайские производители памяти захватывают рынок, предлагая DDR4 за полцены
18.11.2024 [19:40],
Сергей Сурабекянц
Процесс перехода на DDR5 и HBM3 набрал обороты, но память прежних поколений по-прежнему пользуется большой популярностью. На этом фоне китайские производители DRAM Changxin Memory (CXMT) и Fujian Jinhua предлагают огромные скидки на чипы DDR4 — до 50 % по сравнению с аналогичными микросхемами от южнокорейских производителей. В некоторых случаях цена на новые чипы DDR4 оказывается ниже, чем на восстановленные при помощи реболлинга. Производственная мощность CXMT выросла с 70 000 пластин в месяц в 2022 году до 200 000 в 2024 году. Компания намерена увеличить объёмы производства до 300 000 пластин в месяц и занять 11 % мирового рынка DRAM в ближайшие годы. Fujian Jinhua, несмотря на санкции правительства США, также удалось нарастить производство DDR4. Избыточное предложение чипов DDR4 привело к острой ценовой конкуренции: китайские производители предлагают цены на 50 % ниже, чем Micron, Samsung и SK hynix, и на 5 % ниже даже подержанных чипов памяти после реболлинга. Такое агрессивное ценообразование снижает цены на рынке DDR4, заметно влияя на потребительский сегмент. Тем не менее, промышленные клиенты по-прежнему осторожны в отношении памяти DRAM от китайских производителей. Реагируя на ценовое давление, корейские производители DRAM сокращают производство DDR4 и переходят на DDR5 и HBM3 — микросхемы, которые китайские поставщики в настоящее время не в состоянии производить массово. Этот шаг направлен на сохранение прибыльности и противодействие конкурентному преимуществу китайских производителей в сегменте DDR4. Ожидается, что переход на DDR5 и HBM3 стабилизирует рынок DRAM, решив проблему избыточного предложения и перенаправив ресурсы на более продвинутые, пользующиеся высоким спросом технологии памяти. Правительство Китая активно поддерживало расширение производства микросхем DRAM с помощью субсидий и национальной политики, способствуя росту внутреннего производства. Эта поддержка позволяет китайским производителям предлагать высококонкурентные цены, не беспокоясь о немедленной прибыльности, поскольку их целью является доминирование как на местных, так и на международных рынках. Китайские производители DRAM также изучают косвенные стратегии выхода в такие регионы, как Индия, где они рассчитывают на партнёрские отношения с тайваньскими брендами. Этот подход призван смягчить политические и экономические риски, связанные с санкционной политикой США, и расширить присутствие на рынках, опасающихся прямых китайских продуктов. CXMT недавно столкнулась с масштабной производственной задержкой, вызванной человеческим фактором. В брак отправились 65 000 пластин — почти треть месячного производства. Тем не менее, это не остановило расширение компании: мощности растут, а на заводах в Хэфэе и Пекине продолжается модернизация. Colorful представила память iGame Shadow DDR5 со скоростью до 8000 МТ/с и iGame Shadow DDR5 CKD со скоростью до 9600 МТ/с
16.11.2024 [14:37],
Николай Хижняк
Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах. Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В. Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает. Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой. По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186). Apacer представила память NOX RGB DDR5 со скоростью до 8000 МТ/с
14.11.2024 [18:21],
Николай Хижняк
Компания Apacer выпустила серию модулей оперативной памяти NOX RGB DDR5. Новинки будут предлагаться как в виде отдельных планок объёмом 16 и 32 Гбайт, так и в составе двухканальных комплектов общим объёмом 32 и 64 Гбайт. В серии будут представлены планки и комплекты со скоростью до 8000 МТ/с. Память NOX RGB DDR5 со скоростью 5200, 5600 и 6000 МТ/с обладает таймингами CL40-40-40-80 или CL38-48-48-96 и рабочим напряжением 1,25 В. Память со скоростью 6200, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МТ/с обладает таймингами от 32-39-39-84 до 40-40-40-76 и работает с напряжением 1,35 или 1,45 В. Все поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Модули ОЗУ Apacer NOX RGB DDR5 оснащены радиаторами чёрного или серебряного цвета с RGB-подсветкой. Высота планок не превышает 44 мм, так что они не должны мешать установки большинства современных кулеров. В продаже память Apacer NOX RGB DDR5 доступна с 14 ноября. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил. Установлен новый рекорд разгона памяти DDR5 — 12 350 МТ/с на модуле CUDIMM
14.11.2024 [18:05],
Николай Хижняк
Компания V-Color похвасталась рекордным разгоном модуля оперативной памяти Manta DDR5 CUDIMM. Если ещё вчера производитель сообщал о рекорде разгона до 12 264 МТ/с, то сегодня компания озвучила цифру 12 350 МТ/с. Оба рекорда были установлены на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF. Для эксперимента использовался модуль оперативной памяти V-Color Manta XFinity RGB CUDIMM DDR5 объёмом 24 Гбайт, который сначала был разогнан американским оверклокером AKM до эффективной частоты 6131,9 МГц (или 12 264 МТ/с). Память заработала при таймингах CL 52-92-92-127. Позже результатами разгона такого же модуля памяти и на той же материнской плате поделился канадский оверклокер saltycroissant. Он разогнал модуль памяти до эффективной частоты 6175,4 МГц (12 350,8 МТ/с). В обоих случаях для охлаждения компонентов использовался жидкий азот. В эксперименте также принимал участие флагманский процессор Core Ultra 9 285K. Klevv представила комплекты модулей памяти Urbane V RGB DDR5 — до 64 Гбайт и 8400 МТ/с
05.11.2024 [18:35],
Николай Хижняк
Компания Klevv представила новую серию модулей оперативной памяти Urbane V RGB DDR5. В неё вошли двухканальные комплекты общим объёмом 32, 48 и 64 Гбайт, которые состоят соответственно из пар модулей объёмом 16, 24 и 32 Гбайт. Новинки оснащены алюминиевыми радиаторами толщиной 2 мм. Высота модулей памяти составляет 42,5 мм. Производитель заявляет, что их установка не помешает использованию самых производительных систем охлаждения CPU. Радиаторы памяти оснащены RGB-подсветкой с поддержкой 16 млн цветов. В серию Urbane V RGB DDR5 вошли модули памяти, поддерживающие режимы работы DDR5-6000, DDR5-6400, DDR5-7200, DDR5-7600, DDR5-8000, DDR5-8200 и DDR5-8400, работающие при напряжении от 1,1 до 1,45 В. С заявленными таймингами памяти можно ознакомиться ниже. Все новинки поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. На представленные модули ОЗУ предоставляется ограниченная пожизненная гарантия. В продаже модули памяти Klevv Urbane V RGB DDR5 ожидаются в ноябре. Стоимость комплектов ОЗУ производитель не сообщил. MSI и Kingston похвастались новым рекордом разгона DDR5 — 12 196 МТ/с
04.11.2024 [14:48],
Николай Хижняк
Компании MSI и Kingston похвастались обновлением мирового рекорда разгона оперативной памяти. Используя материнскую плату MSI MEG Z890 UNIFY-X, тайваньский оверклокер Кован Янг (Kovan Yang) разогнал модуль памяти Kingston Fury Renegade DDR5 CUDIMM объёмом 24 Гбайт до 12 196 МТ/с. Энтузиаст превзошёл свой предыдущий рекорд разгона того же модуля памяти на 88 МТ/с. В прошлый раз модуль ОЗУ был разогнан до скорости 12 108 МТ/с. Согласно подтверждённым данным, модуль памяти заработал на эффективной частоте 6097,6 МГц (12 196 МТ/с), при таймингах CL48-120-120-127-2. В эксперименте также использовался процессор Core Ultra 7 265KF из новой серии Arrow Lake-S. Чипу замедлили скорость до 400 МГц и отключили почти все ядра, кроме двух. Для охлаждения памяти в рамках экстремального разгона применялся жидкий азот. Acer представила модули памяти, покрытые настоящим золотом — Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition
04.11.2024 [13:24],
Николай Хижняк
Компания Acer представила модули оперативной памяти Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition, радиаторы которых покрыты настоящим золотом. По словам производителя, новинки могут работать со скоростью свыше 10 000 МТ/с. Acer сообщила, что в новых модулях памяти Predator Hera DDR5 Special Edition используются чипы памяти от южнокорейского производителя SK hynix. Объём одного модуля составляет 24 Гбайт. Память поддерживает профили разгона Intel XMP. Стандартный профиль обеспечивает скорость 9200 МТ/с и задержки CL46-56-46-134. Второй профиль XMP позволяет увеличить скорость до 9466 МТ/с, а тайминги при этом составят CL48-57-57-134. Компания заявляет, что в рамках эксперимента вручную разогнала память до скорости 10 270 МТ/с при использовании обычного воздушного охлаждения. Однако Predator Hera CUDIMM DDR5 Special Edition выделяется не только потенциалом разгона, но и своим внешним видом. Радиаторы модулей памяти покрыты 24-каратным золотом. Металл нанесён в несколько слоёв, создавая эффект зеркальной поверхности. Когда модули памяти появятся в продаже и сколько будут стоить — неизвестно. Однако с учётом их возможностей, а также дизайнерского оформления, цена у них будет соответствующей. TeamGroup представила модули памяти DDR5 нового формата CAMM2 с частотой до 7200 МГц
01.11.2024 [14:39],
Николай Хижняк
Компания TeamGroup представила свои первые модули памяти нового формата CAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) — потребительского класса CAMM2 DDR5 7200 МГц и промышленного класса CAMM2 DDR5 6400 МГц. Новинки стали частью фирменной серии ОЗУ T-Create. Для модулей памяти CAMM2 DDR5 7200 МГц производитель заявляет тайминги CL34-42-42-84. Разогнанная память обеспечивает скорость записи, копирования и чтения на уровне 108 000 Мбайт/с, 106 000 Мбайт/с и 117 000 Мбайт/с, при этом сохраняя весьма низкую для памяти DDR5 задержку на уровне 55 нс. Указанные модули памяти направлены на потребительский и игровой сегменты покупателей. Однако доступность на рынке материнских плат с поддержкой памяти формата CAMM2 пока вызывает большие вопросы. В пресс-релизе производитель отмечает, что для тестирования модулей использовалась материнская плата MSI Z790 Project Zero, оснащённая соответствующим слотом для памяти CAMM2. Производители плат пока не говорили о готовности к выпуску решений с поддержкой памяти в новом формфакторе. Однако ранее интерес к использованию нового типа памяти в настольных ПК выражали MSI, Asus и ASRock. В перспективе TeamGroup планирует выпуск модулей памяти CAMM2 с поддержкой скорости 8000 и 9000 МТ/с. «По сравнению с традиционными модулями памяти SO-DIMM, U-DIMM и R-DIMM память CAMM2 предлагает революционный дизайн с несколькими очевидными преимуществами. Она поддерживает работу в двухканальном режиме в рамках одного модуля ОЗУ, что упрощает архитектуру системы и значительно сокращает потребление энергии ПК. Модули CAMM2 оснащены встроенным тактовым генератором (Client Clock Driver, CKD), обеспечивающим более надёжную передачу сигнала. Сами модули памяти CAMM2 при этом компактные и идеально подходят для использования в составе тонких и лёгких ноутбуков. Улучшенная тепловая конструкция модулей CAMM2 обеспечивает большую эффективность рассеивания тепла, раскрывая больше потенциала в компактном пространстве. Память CAMM2 превосходит предыдущие стандарты по разгону, скорости чтения и задержке, обеспечивая исключительно плавный пользовательский опыт», — описывает новый формат памяти TeamGroup. Компания заявляет, что модули памяти CAMM2 появятся в продаже в первом квартале 2025 года. Вероятно, именно тогда производители материнских плат больше расскажут о своих решениях с поддержкой данного типа памяти. Micron выпустила комплект модулей памяти Crucial Pro DDR5-6400 на 32 Гбайт
29.10.2024 [19:58],
Николай Хижняк
Компания Micron представила комплект модулей оперативной памяти Crucial Pro DDR5-6400 объёмом 32 Гбайт (2 × 16 Гбайт). Для ОЗУ заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Память Crucial Pro DDR5-6400 поддерживает профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO с скоростью 6400 МТ/с и таймингами CL 38-40-40-84, а также 6000 МТ/с и CL36-38-38-80. Заявленное рабочее напряжение модулей памяти составляет 1,35 В. Новинки оснащены радиаторами охлаждения белого или чёрного цвета без RGB-подсветки. Производитель отмечает, что чипы памяти DDR5 в составе указанных модулей производятся с использованием фирменного техпроцесса Micron 1ß (1-beta). На память Crucial Pro DDR5-6400 предоставляется пожизненная гарантия производителя. В продаже комплекты памяти уже появились. Производитель оценил их в $118,99. Kingston и G.Skill похвалились рекордным разгоном памяти DDR5 — выше 12 000 МТ/с с модулями CUDIMM
25.10.2024 [16:15],
Николай Хижняк
Сразу несколько производителей оперативной памяти сообщили о разгоне модулей памяти DDR5 до рекордной скорости выше 12 000 МТ/с. Использовались новейшие модули CUDIMM в сочетании с материнскими платами с чипсетом Intel Z890 и процессорами Core Ultra 200S. Компания Kingston отчиталась о разгоне своей памяти Fury Renegade DDR5 CUDIMM до скорости 12 108 МТ/с, что является самым высоким результатом в истории на данный момент. Рекорд установил оверклокер Кован Янг (Kovan Yang), который добился эффективной частоты 6053,7 МГц (12 108 МТ/с) на материнской плате MSI MEG Z890 UNIFY-X. Согласно данным HWBOT, охлаждение компонентов осуществлялось с помощью жидкого азота. Память «завелась» с таймингами CL45-120-120-127-2 в сочетании с процессором Core Ultra 7 265KF, у которого были отключены энергоэффективные E-ядра. На больших P-ядрах чип работал на частоте 400 МГц. Компания G.Skill, в свою очередь, сообщила о чуть более скромных результатах разгона памяти — 12 042, 12 046 и 12 066 МТ/с. Разгон проводили оверклокеры BenchMarc, OGS, Dreadzone и CENS. Эксперимент проводился с использованием материнской платы Asus ROG Maximus Z890 Apex и процессора Core Ultra 9 285K. Для охлаждения также использовался жидкий азот. В режиме DDR5-12066 память работала с таймингами CL52-92-92-127-2. Kingston в ноябре выпустит модули памяти Fury Renegade CUDIMM DDR5-8400 для Core Ultra 200S
25.10.2024 [14:37],
Николай Хижняк
Компания Kingston сообщила о расширении серии оперативной памяти Fury Renegade модулями ОЗУ CUDIMM DDR5, предназначенными для работы на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии с процессорами Intel Core Ultra 200S. Оперативная память Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 будет выпускаться в виде одиночных модулей объёмом 24 Гбайт, а также в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 Гбайт (2×24 Гбайт). Новинки оснащены радиаторами с RGB-подсветкой, так и без неё. Для новинок заявляется скорость работы 8400 МТ/с. Полные характеристики новых модулей ОЗУ компания не приводит. Производитель отмечает, что поскольку модули памяти CUDIMM и UDIMM используют одинаковый 288-контактный DIMM-интерфейс, память Kingston Fury UDIMM с поддержкой профилей разгона Intel XMP и AMD EXPO также совместима с материнскими платами Intel 800-й серии. Однако компания рекомендует проверить совместимость с помощью списка QVL того или иного производителя материнской платы или с помощью конфигуратора Kingston для проверки поддерживаемых скоростей и ёмкостей модулей. Поставки модулей памяти Kingston Fury Renegade CUDIMM DDR5 начнутся с 18 ноября. |