Компания Samsung добавила в свой план по выпуску новых продуктов память 3D DRAM. Информацией об этом производитель поделился на технологической конференции Memcom. Компания планирует представить первый технологический процесс для производства 3D DRAM в течение ближайших четырёх лет.

Источник изображения: Samsung

Крупнейший в мире производитель памяти планирует внедрить производство DRAM с транзисторами с вертикальным каналом (VCT) при переходе на техпроцессы тоньше 10 нм для выпуска памяти, следует из слайда компании, продемонстрированного на конференции Memcom.

Транзистор с вертикальным каналом (VCT) может представлять собой разновидность FinFET, в котором проводящий канал обёрнут тонким кремниевым «плавником», образующим корпус транзистора. VCT также может представлять собой транзистор с кольцевым затвором (GAA), в котором материал затвора окружает проводящий канал со всех сторон. В случае Samsung речь, судя по всему, идёт о процессе производства DRAM на основе FinFET.

От внедрения техпроцесса тоньше 10 нм для производства памяти компанию Samsung отделяет два поколения техпроцессов. Наиболее свежим сейчас является пятое поколение технологии 10-нм класса (фактически 12 нм), которая была представлена в середине 2023 года. Samsung готовит ещё две технологии 10-нм класса, а первое поколение техпроцесса тоньше 10-нм ожидается у производителя во второй половине этого десятилетия.

Источник изображения: Tokyo Electron

Применение 3D-транзисторов для DRAM подразумевает создание и применение конструкции ячеек формата 4F², считающегося с одной из самых эффективных схем расположения ячеек памяти с точки зрения производственных затрат. Производитель оборудования для выпуска чипов, компания Tokyo Electron, ожидает, что производство DRAM с VCT и форматом ячеек 4F² начнётся в 2027–2028 годах. Компания полагает, что для производства DRAM на основе VCT производителям памяти придётся использовать новые материалы для конденсаторов и разрядных шин.

Из предоставленного Samsung изображения планов по выпуску будущих продуктов также становится известно, что компания планирует адаптировать технологию производства многоуровневой памяти DRAM в начале 2030-х, тем самым значительно повысив плотность своих чипов памяти в ближайшие десять лет.

После роста в конце прошлого и начале текущего года, в последнее время спотовые цены на память DRAM стали снижаться, и этот процесс наблюдается уже не первую неделю, сообщает аналитическая компания TrendForce. В сегменте NAND торги остаются вялыми из-за чрезмерных объёмов запасов.

Источник изображения: samsung.com

Текущее снижение спотовых цен на память DRAM является одной из причин относительно консервативного прогноза TrendForce. Производителям продукции противостоят слабый спрос на каналах продаж и постоянный рост уровня запасов. Из-за этого у спотовых трейдеров начало возникать ощущение необходимости распродавать свои активы. Сокращение денежного потока становится все более заметным, и продавцы продолжают снижать цены, чтобы стимулировать продажи.

Источник изображения: trendforce.com

Разрыв между спотовыми и контрактными ценами на модули памяти будет увеличиваться, прогнозируют аналитики TrendForce. Спотовые цены служат опережающим индикатором общего ценового тренда, и такое развитие событий оказывается вредным для рынка. Средняя спотовая цена на основные чипы (DDR4 1Gx8 2666 МТ/с) снизилась на 0,26 %: на минувшей неделе она была $1,921, а на этой стала $1,916.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте NAND трейдеры накопили чрезмерный объём запасов, из-за чего операции здесь проходят довольно вяло. После Китайского Нового года их традиционно агрессивного пополнения не произошло, что заставило некоторых спотовых трейдеров задуматься о возможности сокращения запасов. Цены на пластины TLC ёмкостью 512 Гбит в течение недели не менялись, сохраняя уровень $3,764.

Последний отчёт аналитической компании TrendForce показал, что, несмотря на усилия поставщиков DRAM по сокращению товарных запасов, общий прогноз спроса на этот год остаётся не слишком оптимистичным. Окажет своё влияние и значительное повышение цен поставщиками в четвёртом квартале 2023 года. В результате контрактные цены на DRAM во втором квартале, по прогнозам, вырастут в пределах 3–8 %.

Источник изображения: unsplash.com

Окончательная победа DDR5 на потребительском рынке должна привести к увеличению спроса на DRAM для ПК во втором квартале. Ожидается, что по мере того, как производители перейдут на более совершенные и экономически эффективные процессы производства DDR5, их прибыльность значительно вырастет. Аналитики полагают, что ожидаемый рост спроса на ПК с искусственным интеллектом может привести к небольшому замедлению роста цен на DDR5 во втором квартале.

В секторе серверной DRAM наблюдается постоянная тенденция к увеличению запасов DDR5. Тем не менее, по состоянию на первый квартал, DDR5 не проникла на рынок так широко, как ожидалось. Производители наращивают производство DDR5 и используют стратегии объединения заказов для повышения прибыльности, что приводит к постепенному замедлению роста цен на DDR5. Контрактные цены на DDR4, как ожидается, вырастут больше, чем на DDR5 во втором квартале, постепенно сокращая ценовой разрыв между ними. В целом, контрактные цены на серверную DRAM, по прогнозам, вырастут во втором квартале примерно на 3–8 %, что отражает общую динамику рынка.

Рынок мобильной DRAM достаточно сбалансирован, но не показывает заметных признаков развития. Сокращение производства в сочетании с устойчивым спросом на протяжении предыдущих трёх кварталов привело к значительному истощению запасов производителей. Этот поставило в более выгодное положение поставщиков, которые стремясь повысить свою прибыльность, добиваются повышения контрактных цен на мобильную DRAM на 10–15 %. Аналитики TrendForce полагают, что пассивная переговорная позиция покупателей умерит эти агрессивные ценовые предложения, а рост цен на мобильную DRAM во втором квартале составит те же 3–8 %.

В секторе графической DRAM спрос на модули GDDR6 ёмкостью 16 Гбайт остаётся стабильно высоким, и покупатели, как правило, готовы согласиться с повышением цен со стороны продавцов. В настоящее время не наблюдается никаких признаков потенциального снижения цен. Кроме того, производители переводят производственные мощности на производство HBM, что приводит к относительно консервативному плану производства GDDR. Тем не менее, по прогнозам, контрактные цены на графическую DRAM во втором квартале вырастут на 3–8 %.

Источник изображения: TrendForce

Потребительская DRAM пользуется стабильным спросом в первую очередь в секторах, связанных с ИИ, а также в сфере телевидения и сетевых технологий. Однако спрос остаётся слабым из-за медленного продвижения проектов в китайском секторе ИТ и телекоммуникаций. Существует заметная разница в ценовых стратегиях между крупными мировыми производителями и тайваньскими компаниями. Первые извлекли выгоду из бума ИИ, значительно сократив свои запасы и последовательно поднимают цены, вторые продолжают испытывать последствия высоких товарных запасов, что не даёт им проводить агрессивную ценовую политику.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) принял новый стандарт памяти JESD239 Graphics Double Data Rate (GDDR7) SGRAM. Микросхемы памяти GDDR7 обеспечат вдвое большую пропускную способность по сравнению с GDDR6 —до 192 Гбайт/с на чип, что должно удовлетворить спрос на скоростную память не только в игровом сегменте, но и на рынке высокопроизводительных вычислений и ИИ.

Источник изображения: Samsung

Стандарт JESD239 GDDR7 является первым стандартом JEDEC для памяти DRAM, в котором используется технология интерфейса импульсно-амплитудной модуляции (PAM) для высокочастотных операций. В GDDR7 используется версия PAM3, которая улучшает соотношение сигнал/шум (SNR) для работы на высоких частотах, одновременно повышая энергоэффективность модулей памяти. Благодаря использованию трёх уровней (+1, 0, -1) для передачи трёх битов за два цикла по сравнению с традиционным интерфейсом NRZ (без возврата к нулю), где реализована передача двух битов за два цикла, PAM3 обеспечивает более высокую скорость передачи данных за один цикл, что приводит к улучшению производительности.

Другими особенностями памяти GDDR7 являются:

• независимые от ядра шаблоны тренировки LFSR (регистр сдвига с линейной обратной связью) и счетчики ошибок для повышения точности и сокращения времени тренировки;
• удвоение числа независимых каналов с двух до четырёх по сравнению с GDDR6;
• поддержка плотности чипов от 16 до 32 Гбит, включая поддержку двухканального режима для удвоения пропускной способности системы;
• удовлетворение потребности рынка в надёжном, доступном и удобном в обслуживании решения за счёт внедрения новейших функций обеспечения целостности данных, включая ECC на кристалле (ODECC) с отчётами об ошибках в реальном времени, проверкой данных, проверкой ошибок и очисткой, а также чётности адресов команд с блокировкой команд (CAPARBLK).

В пресс-релизе JEDEC отмечается, что ведущие производители памяти, включая Micron, Samsung и SK hynix, а также компании AMD и NVIDIA, выпускающие продукты на основе их решений, выразили интерес к новому стандарту памяти GDDR7.

Выручка индустрии, связанной с выпуском оперативной памяти DRAM, по итогам четвёртого квартала 2023 года выросла на 29,6 % по сравнению с предыдущим кварталом и достигла $17,46 млрд, подсчитали в TrendForce. Рост связан с активизацией усилий по накоплению запасов потребителями и строгим контролем объёма производства со стороны ведущих производителей. В текущем квартале прогнозируется рост контрактных цен на 20 % при небольшом снижении объёмов поставок.

Источник изображения: samsung.com

Звание лидера сохранила за собой Samsung, которой удалось увеличить выручку на 50 % квартал к кварталу до $7,95 млрд в основном за счёт поставок DDR5, отгрузки серверной DRAM выросли более чем на 60 %. SK hynix нарастила поставки на 1–3 %, но за счёт сегментов HBM и DDR5 и серверной DRAM смогла увеличить среднюю цену продажи (ASP) на 17–19 %, а выручка выросла на 20,2 % до $5,56 млрд. Micron отметилась ростом объёмов и цен на 4–6 % по каждому показателю, что помогло ей увеличить выручку на 8,9 % до $3,35 млрд за квартал из-за относительно невысоких долей DDR5 и HBM.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung в I квартале начала восстанавливать производство, достигнув уровня загрузки до 80 % после значительного сокращения в IV квартале 2023 года. Во второй половине года ожидается заметный рост спроса, что приведёт к постоянному увеличению производственных мощностей в течение IV квартала 2024 года. SK hynix активно расширяет мощности HBM, особенно с развёртыванием массового производства HBM3e. Micron также активизирует выпуск полупроводниковых пластин, стремясь увеличить долю передового техпроцесса 1-beta для продуктов HBM, DDR5 и LPDDR5(X).

Тайваньская Nanya демонстрирует рост объёмов и цен, но из-за медленного восстановления продаж в потребительском секторе выручка компании в IV квартале увеличилась на 12,1 % до $274 млн. Winbond, запустившая новые мощности на заводе KH, нацелилась на сокращение запасов и расширение клиентской базы без повышения контрактных цен — её доходы выросли на 19,5 % до $133 млн. PSMC сыграла на росте спотовых и контрактных цен и активизировала поставки клиентам, а из-за низкого начального показателя её выручка в сегменте DRAM выросла на 110 % до $39 млн. С учётом полупроводникового подряда общий доход PSMC увеличился на 11,6 %.

Компания Samsung открыла в США новую исследовательскую лабораторию, сообщает издание The Korea Times со ссылкой на свои источники. Предприятие, расположенное в Кремниевой долине, занимается разработкой технологий оперативной памяти 3D DRAM в рамках программы Device Solutions America. По данным издания, задача новой лаборатории Samsung — вывести компанию в лидеры на мировом рынке памяти 3D DRAM.

Источник изображения: Samsung

3D DRAM представляет собой оперативную память DRAM, которую предполагается производить с использованием технологии трёхмерного размещения транзисторов вместо применяемого сейчас планарного размещения. Цель трёхмерного производственного процесса заключается в более эффективном использовании физических ограничений микросхем путём вертикального наложения дополнительных слоёв ячеек памяти или целых кристаллов друг на друга.

Примером технологии оперативной 3D-памяти может служить технология кеш-памяти 3D V-Cache, которая используется в потребительских процессорах AMD Ryzen X3D, а также в её некоторых серверных чипах. В данном случае 3D V-Cache представляет собой дополнительный слой кеш-памяти 3-го уровня, который наслаивается поверх основного слоя кеш-памяти L3 процессора.

The Korea Times напоминает, что именно Samsung является первой компанией, которая более десятилетия назад представила технологию трёхмерной флеш-памяти NAND, которую компания называет V-NAND. Она и по сей день используется в твердотельных накопителях. Кроме того, другие производители тоже освоили выпуск флеш-памяти 3D NAND, и с каждым годом наращивают число слоёв — в современных чипах их число перевалило за 230.

Технология трёхмерного производства кеш-памяти доказала свою эффективность в процессорном сегменте. Samsung ещё в октябре 2023 года заявила, что трёхмерная структура кристаллов оперативной памяти, производимых с использованием техпроцессов тоньше 10 нм, в перспективе позволит создавать более ёмкие чипы памяти DRAM с плотностью, превышающей 100 Гбит на микросхему.

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Корпорация Microsoft установила минимально рекомендуемый объём оперативной памяти для ПК, работающих с ИИ-ассистентом Copilot, на уровне 16 Гбайт, сообщает TrendForce. По сути, это подтолкнёт активных пользователей ПК к модернизации своих систем. По меньшей мере, оперативной памяти придётся добавить, поскольку многие до сих пор обходились вдвое меньшим объёмом.

Источник изображения: Samsung Electronics

К таким рассуждениям приходит ресурс PC Gamer, который утверждает, что 8 Гбайт памяти уже давно считаются разумным минимумом объёма оперативной памяти для ПК. По крайней мере, это было справедливо для решения офисных задач, тогда как любители игр уже опираются на 16 Гбайт в качестве минимальной разумной отметки. Правда заключается в том, что и при работе с базовыми приложениями типа браузера с несколькими вкладками упереться в предел производительности по критерию оперативной памяти можно довольно быстро уже сейчас, если использовать лишь 8 Гбайт ОЗУ.

Цены на оперативную память DDR4 и DDR5 сейчас не так высоки, поэтому перейти с 8 на 16 Гбайт ОЗУ можно с умеренными затратами, если это возможно технически. Во всяком случае, не все ноутбуки позволяют провести такую операцию, и тогда придётся задуматься уже о замене всего устройства.

Распространение процессоров с функциями ускорения работы систем искусственного интеллекта начнётся уже в этом году, и рассчитывать на увеличение минимального объёма оперативной памяти лучше заблаговременно, пока цены на микросхемы DRAM не так высоки. В дальнейшем, как отмечают эксперты TrendForce, интеграция памяти типа LPDDR5x непосредственно на процессор или материнскую плату будет получать всё большее распространение, и тогда самостоятельное увеличение объёма ОЗУ станет невозможным.

Samsung разрабатывает новый тип памяти под названием Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM, которая обладает очень высокой пропускной способностью, малой задержкой и низким энергопотреблением. Компания предлагает в первую очередь использовать новую память в системах искусственного интеллекта на базе больших языковых моделей (LLM), хотя также подобная память подойдёт и для других рабочих нагрузок, включая клиентские.

Источник изображения: Samsung

LLW DRAM от Samsung — это память с низким энергопотреблением, обладающая широкими возможностями ввода-вывода, низкой задержкой и пропускной способностью в 128 Гбайт/с на модуль (или стэк), что сопоставимо с сочетанием памяти DDR5-8000 и 128-битной шины. Одной из ключевых особенностей LLW DRAM от Samsung заявлено её низкое энергопотребление — 1,2 пДж/бит, хотя компания не сообщила, при какой скорости передачи данных измерена эта величина.

Хотя Samsung пока не раскрыла технических подробностей о LLW DRAM, стоит вспомнить, что компания уже некоторое время разрабатывает память с широкими интерфейсами, например, GDDR6W. Возможно, что Samsung объединяет ёмкость нескольких таких модулей DRAM, интегрированных в один корпус, с использованием технологии Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) для расширения пропускной способности интерфейса и снижения энергопотребления.

Samsung стандартизировала свою память GDDR6W во втором квартале 2022 года и планировала использовать её в системах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислительных ускорителях и клиентских ПК. Вполне вероятно, что LLW DRAM будет использована в периферийных вычислительных устройствах для систем искусственного интеллекта, таких как смартфоны, ноутбуки и, возможно, автомобильные системы.

Samsung редко раскрывает информацию о том, когда её многообещающие технологии появятся на рынке, поэтому сроки выхода LLW DRAM в реальных устройствах пока неясны. Но, поскольку Samsung уже обнародовала подробности об ожидаемой производительности технологии, разработка LLW DRAM, вероятно, практически завершена.

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

Южнокорейский полупроводниковый гигант SK Hynix занял второе место в рейтинге рыночной капитализации Корейской биржи на конец 2023 года благодаря росту акций на фоне ожиданий восстановления рынка памяти, сообщил ресурс Nikkei Asia.

Источник изображения: SK Hynix

Корейский композитный индекс цен на акции (КОСПИ) вырос в 2023 году на 18,7 % под влиянием роста рыночной капитализации шести из 10 крупнейших компаний страны. В 2022 году из-за спада рынка чипов и роста процентных ставок упали акции всех 10 крупнейших компаний, за исключением LG Energy Solution, которая была включена в листинг в том же году.

Бесспорным лидером стала Samsung Electronics, чья рыночная капитализация выросла на 42 % до 468 трлн вон (около $356 млрд) на фоне ожиданий завершения спада рынка чипов. SK Hynix, нарастившая продажи чипов DRAM, увеличила свою рыночную капитализацию на 89 % до 103 трлн вон (около $78 млрд), в то время как занимающая в рейтинге третье место LG Energy Solution, производитель аккумуляторов, сократила капитализацию на 2 % до 100 трлн вон (около $76 млрд).

Вместе с SK Hynix лидером по росту акций стала сталелитейная компания POSCO Holdings (81 %) на фоне ожиданий увеличения доходов от производства материалов для аккумуляторов, поскольку её главный завод полностью восстановили после разрушений, нанесённых тайфуном.

Также поднялись в рейтинге Hyundai Motor и её дочерняя компания Kia благодаря продажам автомобилей класса high-end в Европе и США. Рыночная капитализация Hyundai выросла на 33 % до 43 трлн вон (около $33 млрд), а Kia — на 67 % до 40 трлн вон (около $30 млрд).

У компаний, связанных с производством аккумуляторов, показатели оказались не столь хорошими, LG Chem, материнская компания LG Energy Solution, и крупный производитель аккумуляторов Samsung SDI упали в рейтинге.

Продажи электромобилей выросли не так сильно, как ожидалось, в связи с чем вырос риск переизбытка предложения из-за значительных капвложений. Также влияет на изменения в рейтинге неопределённость в цепочке поставок аккумуляторов, вызванная напряжённостью между США и Китаем.

У технологических компаний, ориентированных на онлайн-технологии, год также был далеко не лучшим. На фоне насыщения южнокорейского рынка и ужесточения регуляторных правил в Южной Корее, Kakao продемонстрировала рост лишь на 2 %, опустившись с 10-го места в конце 2022 года на 14-е. В 2021 году она заняла пятое место.

Naver осталась на восьмом месте. Её опередил Coupang, крупный интернет-магазин, котирующийся на Нью-Йоркской фондовой бирже, с рыночной капитализацией в $28,9 млрд.

В минувшую среду в Южной Корее обвинили бывшего сотрудника Samsung Electronics в краже конфиденциальной информации, касающейся ключевых полупроводниковых технологий, с целью передачи их китайской компании за денежное вознаграждение, пишет ресурс Yonhap News Agency.

Источник изображения: Yonhap News Agency

Как стало известно, прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинение гражданину Киму (Kim), который ранее занимал должность руководителя отдела в Samsung, в нарушении закона о защите промышленных технологий. Ким обвиняется в краже принадлежащей Samsung конфиденциальной информации, касающейся производства микросхем DRAM, и её передаче китайскому производителю чипов памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) для использования в разработке собственных продуктов.

Прокуратура подозревает Кима в передаче CXMT данных о семи ключевых технологиях для производства полупроводников и других технологиях Samsung в обмен на десятки миллионов долларов после его перехода в китайскую фирму в 2016 году. Также Ким подозревается в переманивании 20 технических специалистов из Samsung и других фирм в китайскую компанию, которым предлагалось высокое финансовое вознаграждение. Китайская CXMT, которая была новичком на рынке в 2016 году, быстро вышла в лидеры китайской отрасли по производству микросхем оперативной памяти DRAM.

По данному делу проходит ещё один экс-сотрудник Samsung, обвиняемый в сговоре с Кимом с целью кражи и передачи информации о ключевых технологиях его бывшей компании китайскому производителю CXMT.

В четвёртом квартале ожидается повышение цен на чипы флеш-памяти NAND и оперативной памяти DRAM — рост цен на последние за этот период составит 3–8 %, уверены аналитики TrendForce. Дальнейшая судьба этой тенденции будет определяться готовностью поставщиков удержать сниженные объёмы производства и степенью восстановления фактического спроса, а ключевым рынком в данном разрезе окажется серверный.

Источник изображения: samsung.com

В сегменте DRAM для ПК уже в III квартале был взят курс на рост цен DDR5. Ожидаемое подорожание DDR4 станет стимулом для OEM-производителей компьютеров нарастить закупки. При этом запасы поставщиков пока остаются значительными, угроза дефицита отсутствует, а Samsung была вынуждена дополнительно сократить производство. Перед лицом отрицательной валовой прибыли от продуктов DRAM большинство производителей исчерпало возможности и дальше снижать цены, нащупывая почву для их роста — таким образом, рост цен в секторе DDR4 для ПК составит 0–5 %, в DDR5 — 3–8 %. Учитывая, что DDR5 сейчас находится на стадии интенсивного внедрения, диапазон роста в 3–8 % будет актуален для всего рынка DRAM для ПК в IV квартале.

Если во II квартале запасы покупателей серверной DRAM составляли 20 %, то в последнее время они выросли до 30–35 %. Но поскольку в III квартале фактически задействованы были 15 %, то освоение рынка происходит медленнее, чем ожидалось. Сокращение производства Samsung затронуло сегмент DDR4, в результате чего сократились и поставки серверной продукции DDR4. В таких условиях ресурсов для дальнейшего снижения цен на DDR4 больше не остаётся, и производители в стремлении нарастить прибыль ускоряют выпуск DDR5. На рынке серверной продукции средние цены на DDR4 в IV квартале меняться не будут, а цены на DDR5 продолжат движение по нисходящей. Но с учётом роста поставок DDR5 и их разницы в цене с DDR4 на 50–60 % смешанная средняя цена продажи (ASP) пойдёт в рост. В результате за IV квартал контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %.

Источник изображения: trendforce.com

В сегменте мобильной DRAM запасы вернулись к здоровому уровню раньше, чем в других. Благодарить за это следует эластичность цен, вызванную увеличением ёмкости памяти на устройство и оживлению спроса во второй половине 2023 года. Производство смартфонов в IV квартале едва ли достигнет прошлогодних показателей, но традиционный сезонный рост на 10 % является определяющим показателем для спроса на мобильную DRAM. Стоит, однако, отметить, что запасы производителей остаются высокими, а сокращение производства ещё не успело отразиться на избыточном предложении, зато производители уже начали настаивать на повышении цен. Для продукции с высокими запасами, такими как LPDDR4X и товары, изготовленные на основе старых производственных процессов, рост контрактных цен в IV квартале будет 3–8 %. А вот запасы LPDDR5(X) не столь велики, и здесь рост цен составит 5–10 %.

Динамика нишевого рынка оперативной памяти для видеокарт и игровых консолей, и готовность потребителей платить больше позволяют предположить, что закупки 16-Гбит чипов GDDR6 в преддверии роста цен в 2024 году останутся стабильными. В III квартале NVIDIA выпустила обновлённый серверный ускоритель L40S, что способствовало истощению запасов производителя. Игровые ноутбуки демонстрируют высокие продажи, опережая показатели по рынку лэптопов в целом. Все эти процессы приведут к росту контрактных цен на графическую DRAM на 3–8 % в IV квартале.

В сентябре Samsung начала в значительной мере сокращать производство — в IV квартале соответствующие показатели могут выйти на 30 %. В ожидании сокращения запасов производители стремятся повысить цены на потребительскую DRAM — до 10 %, что помогло бы им избежать убытков. Некоторые подняли цены уже в конце сентября, но спрос по-прежнему остаётся вялым. В итоге баланс спроса и предложения установить не получается, и рост контрактных цен на потребительскую DRAM, по прогнозам, в IV квартале составит 3–8 %, что ниже целевых показателей у производителей.

В 2016 году корейская компания Samsung Electronics первой в отрасли выпустила на рынок микросхемы памяти HBM первого поколения для применения в сегменте высокопроизводительных вычислений. Через год появилась 8-слойная память типа HBM2, позже вышли микросхемы HBM2E и HBM3, а память типа HBM4 компания рассчитывает представить в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщается в корпоративном блоге компании, при выпуске микросхем типа HBM4 будут применяться инновации, направленные на улучшение термодинамических свойств этого вида продукции — проще говоря, будут применены решения для лучшего отвода тепла. При сборке стеков памяти будет применяться непроводящая полимерная плёнка, дополнительно механически защищающая монтируемые друг на друга чипы. Метод гибридного медного соединения будет сочетать медные проводники с плёночным оксидным изолятором вместо традиционного припоя.

Кроме того, как признаются представители Samsung Electronics, в начале 2023 года компания создала подразделение, курирующее передовые методы упаковки чипов. Своим клиентам южнокорейский гигант будет готов предложить услуги по тестированию и упаковке чипов с использованием методов 2.5D и 3D, которые могут быть востребованы разработчиками компонентов для высокопроизводительных вычислений и систем искусственного интеллекта.

К числу своих технологических достижений Samsung также относит выпуск микросхем оперативной памяти типа DDR5, позволяющих создавать модули памяти объёмом 128 Гбайт, а также освоение 12-нм техпроцесса в данной сфере. В дальнейшем компания рассчитывает использовать для выпуска микросхем памяти литографические нормы тоньше 10 нм.

В сфере высокопроизводительных вычислений может найти достойное применение и технология HBM-PIM, предусматривающая выполнение определённой части вычислений непосредственно силами самой микросхемы памяти. Быстродействие при этом удаётся повысить до 12 раз по сравнению с традиционной архитектурой микросхем памяти. Помимо HBM, такая архитектура будет внедряться и на микросхемах памяти, работающих с протоколом CXL.

Представленные недавно модули оперативной памяти LPCAMM, по словам представителей Samsung, можно будет применять не только в ноутбуках, но и в серверных системах, где их высокая плотность позволит увеличить объём используемой оперативной памяти без дополнительной потребности в занимаемых площадях. Такие модули памяти будет занимать на 60 % меньше места по сравнению с SO-DIMM, а производительность при этом вырастает на величину до 50 %. Энергетическая эффективность таких модулей памяти выше на 70 %.

Компания Micron Technology сообщила о начале массового производства и поставок 16-гигабитных чипов памяти DDR5, выполненных по самому передовому технологическому процессу производителя — 1β (1-beta). На основе этой памяти могут создаваться модули ОЗУ для серверов и персональных компьютеров со скоростью до 7200 МТ/с.

Источник изображений: Micron

Компания заявляет, что переход на техпроцесс 1β с передовой технологией High-K CMOS, четырёхфазной регулировкой тактовой частоты и синхронизацией тактов позволил увеличить производительность на 50 %, а энергоэффективность на ватт увеличена на 33 % по сравнению с прошлым поколением памяти.

С ростом количества ядер CPU для удовлетворения растущих потребностей рабочих нагрузок центров обработки данных значительно возрастает и потребность в более ёмкой памяти с высокой пропускной способностью. Память DRAM DDR5 со скоростью передачи данных до 7200 МТ/с на основе техпроцесса 1β от Micron позволяет масштабировать вычислительные возможности с более высокой производительностью для таких сфер, как обучение и интеграция искусственного интеллекта (ИИ), генеративного ИИ, анализ данных и базы данных в памяти (IMDB) в центрах обработки данных и на клиентских платформах.

Новые микросхемы памяти Micron получили объём 16, 24 и 32 Гбит (2, 3 и 4 Гбайт) и предлагают скорость работы от 4800 до 7200 MT/с. Новая память будет доступна как в серверном, так и в потребительском сегменте. Micron планирует распространить использование передового техпроцесса 1β на производство кристаллов памяти LPDDR5x, GDDR7 и даже HBM3e, отмечает производитель.