Компания Samsung объявила о планах предложить клиентам своего контрактного производства чипов передовую технологию пространственной компоновки. Проще говоря, Samsung сможет выпускать чипы, состоящие из нескольких кристаллов, уложенных один на другой. Это позволит Samsung лучше конкурировать с крупнейшим контрактным производителем чипов — TSMC.

Источник изображения: Kedglobal.com

Как сообщает The Korea Economic Daily, на недавно прошедшем форуме Samsung Foundry в Сан-Хосе компания анонсировала запуск услуги по 3D-упаковке с применением стеков HBM (High Bandwidth Memory). В настоящее время память HBM в основном использует 2.5D-технологию, то есть размещается в непосредственной близости от микросхемы GPU или другого чипа на общей кремниевой подложке. Однако Samsung готова устанавливать стеки HBM непосредственно на кристаллы процессоров. Это обеспечит ещё более высокую скорость передачи данных и уменьшит задержки, поскольку позволит отказаться от пересылки данных через подложку.

Ожидается, что 3D-упаковка появится на рынке для HBM четвёртого поколения, которое также называют HBM4. Данная память начнёт активно применяться в 2025–2026 годах. Интересно, что анонс Samsung последовал после презентации генерального директора NVIDIA Дженсена Хуанга (Jensen Huang) на выставке Computex 2024, где он представил Rubin — архитектуру ускорителей вычислений следующего поколения, которая как раз будет использовать памяти HBM4.

Samsung планирует предлагать 3D-упаковку с HBM4 «под ключ», то есть интегрировать на чипы стеки памяти собственного производства. Отдел Samsung, отвечающий за передовую упаковку, будет устанавливать стеки HBM, произведенные в подразделении Samsung по выпуску памяти, с графическими процессорами, изготовленными подразделением контрактного производства.

Компания называет свою новую технологию упаковки SAINT-D, сокращенно от Samsung Advanced Interconnection Technology-D. «3D-упаковка снижает энергопотребление и задержку обработки, улучшая качество электрических сигналов полупроводниковых чипов», — заявил представитель Samsung Electronics. Услуги по 3D-упаковке HBM4 «под ключ» планируется запустить в 2027 году.

Источник изображения: Trendforce.com

В связи с растущим спросом на высокопроизводительные чипы HBM, по прогнозам, в 2025 году на память данного типа придётся 30 % от всего рынка DRAM в следующем году против 21 % в 2024 году.

В прошлом году южнокорейские компании доминировали на рынке памяти HBM, причём более мелкая в глобальном масштабе SK hynix контролировала 53 % сегмента, а Samsung Electronics занимала 38 %. К 2029 году ёмкость рынка HBM может вырасти с $141 до $377 млрд. Власти Южной Кореи задумались о дополнительных мерах поддержки производителей оборудования и материалов для выпуска HBM.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом на уходящей неделе сообщило издание Business Korea, сославшись на запущенный правительством страны процесс пересмотра политики в сфере поддержки производителей ключевых для национальной экономики компонентов. Экспорт полупроводниковой продукции определяет значительную часть ВВП Южной Кореи, поэтому власти страны стараются оказывать поддержку приоритетным направлениям деятельности местных производителей. Значимость сферы производства HBM для мировой отрасли информационных технологий сейчас сложно оспаривать, но проблема заключается в том, что новейшие методы упаковки стеков памяти данного типа полагаются на использование оборудования японских и австрийских поставщиков.

Чтобы усилить позиции национальных производителей и обеспечить стабильность цепочек поставок, власти Южной Кореи хотели бы предложить дополнительные меры поддержки локальным производителям оборудования и материалов, используемых при выпуске передовых типов памяти HBM. Для этого необходимо внести соответствующие поправки в законодательные акты. По мнению экспертов, разработка корейского оборудования для создания стеков HBM с количеством слоёв более 12 штук потребует существенных затрат на исследования, поэтому государственные субсидии окажутся в данном случае более чем уместными.

Участники рынка также предложили включить в перечень приоритетных направлений развития корейской промышленности выпуск контроллеров для силовой электроники, поскольку они сейчас востребованы в автомобилестроении, которое наряду с полупроводниковой отраслью является важной частью южнокорейской экономики.

Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %.

Источник изображения: SK hynix

Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов.

В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4.

Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале.

Как отмечает TrendForce, в марте и апреле цены на микросхемы памяти типа DDR4 стабилизировались после примерно четырёх месяцев непрерывного роста, но этой стабильности теперь угрожает ситуация с балансом спроса и предложения на микросхемы HBM, которые могут выпускаться на тех же предприятиях, что и DDR4 или DDR5. Цены на память двух последних типов в текущем квартале могут вырасти минимум на 5–10 %.

Источник изображения: Micron Technology

Материал на страницах TrendForce ссылается на опубликованную Nikkei на прошлой неделе новость о намерениях поставщиков памяти поднять цены на DRAM на 5 или 10 % относительно первого квартала. Представители ресурса поясняют, что на данном этапе основным фактором, вызывающим рост цен на DDR4/DDR5, станет дефицит мощностей для выпуска HBM. Как уже отмечалось накануне, производство последнего типа памяти требует большего количества кремниевых пластин, поскольку кристаллы HBM сами по себе крупнее, да и уровень брака при производстве стеков HBM достаточно высок. Переориентируя производственные линии DRAM под выпуск более прибыльной HBM, компании невольно сокращают мощности, на которых можно выпускать DDR, и это предсказуемо создаёт условия для роста цен.

В сегменте HBM темпы строительства новых предприятий будут зависеть от прибыльности данного бизнеса. Сейчас все квоты на производство HBM у основных поставщиков уже распределены не только до конца текущего, но и на значительную часть следующего года. Новые же предприятия будут введены в строй не ранее следующего года. На рынок при этом выходят ускорители Nvidia с увеличенным объёмом памяти типа HBM3E, это лишь повышает спрос на соответствующие микросхемы. Стало быть, формируются условия для роста цен на прочие типы DRAM и дефицит предложения.

Южнокорейская компания Samsung Electronics традиционно сильно зависит от производства памяти, но многолетние попытки снизить эту зависимость не помешали ей на этой неделе назначить в качестве руководителя полупроводникового бизнеса Чун Юн Хёна (Jun Young Hyun), который с 2000 года участвовал в разработке DRAM и NAND разных поколений, а также руководил бизнесом компании по выпуску аккумуляторов.

Источник изображения: BusinessWire

На этом посту новый глава полупроводникового подразделения Samsung сменяет Кюн Ки Хёна (Kyung Kye-hyun), который отныне будет руководить исследовательским подразделение Advanced Institute of Technology и курировать перспективные направления бизнеса. Как считается, данные перестановки произошли после того, как крупнейший производитель памяти в мире отстал от своего соперника SK hynix в сфере разработки и производства HBM, весьма востребованной в эпоху систем искусственного интеллекта.

В этом году SK hynix столкнулась с самым быстрым ростом выручки с 2010 года, её акции подорожали с начала текущего года на 36 %. Этой компании удалось стать крупнейшим поставщиком чипов HBM для ускорителей вычислений. SK hynix вынашивает планы по расширению производства HBM, подразумевающие многомиллиардные инвестиции не только на территории Южной Кореи, но и в США. Samsung в текущем году рассчитывает увеличить объёмы поставок HBM минимум в три раза и приступит к массовому производству 12-ярусных стеков HBM3E в текущем квартале. Фондовый рынок на смену руководства профильного подразделения Samsung отреагировал вяло, акции компании потеряли в цене менее 1 %.

Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.

Первоначально AMD пыталась продвигать память HBM в сегменте игровых видеокарт, но больше всего эта память пригодилась конкурирующей Nvidia при создании ускорителей вычислений для систем искусственного интеллекта. Китай до сих пор не мог выпускать память такого класса, но недавно появились свидетельства того, что местные компании серьёзно продвинулись в этой сфере.

Источник изображения: CXMT

Являющаяся лидером среди китайских производителей DRAM компания CXMT, как сообщает Reuters со ссылкой на осведомлённые источники, уже создала первые образцы памяти типа HBM в сотрудничестве с Tongfu Microelectronics, которая обеспечила партнёра технологиями по их упаковке в стек. Образцы этой памяти китайского производства уже демонстрируются неким потенциальным клиентам. В документах, которые стали доступны Reuters, также упоминаются намерения компании Xinxin приступить к строительству в Ухане предприятия по выпуску HBM, которое смогло бы ежемесячно обрабатывать по 3000 кремниевых пластин типоразмера 300 мм. Материнской структурой этой компании является YMTC — крупнейший в Китае производитель памяти типа 3D NAND, который уже находится под санкциями США.

По информации источника, CXMT и другие компании также проводят регулярные переговоры с южнокорейскими и японскими поставщиками оборудования для оснащения своих будущих предприятий, на которых может быть налажен выпуск HBM. Агентству Reuters также удалось выяснить, что планы по организации выпуска HBM2 в сотрудничестве с китайскими партнёрами к 2026 году вынашивает Huawei Technologies. В качестве одного из партнёров должна выступить Fujian Jinhua Integrated Circuit, тоже находящаяся под санкциями США.

Лидерами в производстве HBM остаются южнокорейские SK hynix и Samsung Electronics, но в технологическом плане от них почти не отстаёт и американская Micron Technology, готовая начать поставки HBM3E. Китайские компании пока рассчитывают наладить выпуск только HBM2, но и это для них будет серьёзным технологическим прорывом. Отставание китайских разработчиков памяти от мировых лидеров в этой сфере может измеряться десятью годами, по мнению отраслевых экспертов.

CXMT располагает около 130 патентными заявками, связанными с технологией производства HBM, причём некоторые из них теоретически позволяют выпускать HBM3. Компания также закупила необходимое для выпуска такой памяти оборудование впрок, опасаясь скорого введения санкций США. При производстве таких микросхем используются технологии американского происхождения, поэтому национальное законодательство даёт властям страны право ограничивать экспорт не только готовой продукции такого типа в недружественные государства, но и необходимого для выпуска HBM оборудования.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).

Эксперты TrendForce до апрельского землетрясения на Тайване ожидали, что по итогам второго квартала контрактные цены на DRAM вырастут на 3–8 %, а флеш-память подорожает на 13–18 %, но актуальная обстановка позволяет им рассчитывать на более заметный рост цен на DRAM и NAND в силу целого ряда факторов.

Источник изображения: SK hynix

В частности, контрактные цены на DRAM по итогам второго квартала теперь могут вырасти на 13–18 %, а в сегменте NAND — на 15–20 %. Если само по себе землетрясение на Тайване способно повлиять на рынок памяти лишь в узких его сегментах, то высокий спрос на HBM и экспансия выпуска микросхем HBM3E влияют на него гораздо сильнее.

По словам специалистов TrendForce, до апрельского землетрясения цены на память DRAM и NAND для смартфонов и ПК росли на протяжении двух или трёх кварталов подряд, и покупатели не были готовы спокойно воспринимать дальнейшее повышение цен, но после землетрясения некоторые производители компьютеров начали перестраховываться и закупать память по существенно возросшим ценам, хотя и не в массовом порядке. К концу апреля контрактные цены на память из-за этого успели вырасти сильнее, чем ожидалось в начале квартала.

Во-вторых, производители памяти стали более агрессивно смещать приоритеты в сторону выпуска HBM, из-за этого мощности под выпуск DRAM других типов и NAND могли сокращаться. Компания Samsung Electronics, например, к концу текущего года рассчитывает задействовать под выпуск стеков HBM3E до 60 % всех мощностей, пригодных для выпуска памяти по техпроцессу «альфа» 10-нм класса. Естественно, возможности по выпуску памяти других типов с использованием этой технологии в результате сократятся — может быть ограничено производство DDR5, например. Покупатели даже начали запасаться памятью заранее, опасаясь предстоящего дефицита в третьем квартале. Представители TrendForce в своих прогнозах исходят из предположения, что во втором квартале память типа HBM займёт не более 4 % структуры поставок производителей.

В сегменте серверных твердотельных накопителей стремление провайдеров облачных услуг добиться более высокой энергетической эффективности в сегменте систем искусственного интеллекта толкает их более активно закупать накопители на основе памяти типа QLC. Поставщики последней в ответ на резкий рост спроса искусственно сдерживают темпы отгрузок, поскольку пока не понимают, как будет складываться конъюнктура рынка дальше, и не желают остаться без адекватных запасов продукции. Сейчас память типа NAND в основном реализуется по цене, обеспечивающей окупаемость производства, но компании не торопятся вкладывать средства в увеличение объёмов выпуска флеш-памяти.

В стороне от этих тенденций, как поясняют представители TrendForce, останется память типа eMMC и UFS, поскольку она ограничится минимальным ростом контрактных цен во втором квартале на 10 %.

По данным TrendForce, уже сейчас покупатели HBM ведут с поставщиками переговоры о ценах и объёмах поставок памяти данного типа на 2025 год, и в это легко поверить, оглядываясь на заявление SK hynix о распределении основной части производственных квот на следующий год. По прогнозам аналитиков, в этом году спрос на HBM вырастет на 200 %, а в следующем удвоится от этого уровня.

Источник изображения: SK hynix

В прошлом году на долю HBM приходилось 2 % мирового объёма производства DRAM в натуральном выражении, а в стоимостном доля достигала 8 %, поскольку одна микросхема HBM в среднем в пять раз дороже DDR5. В текущем году в программе выпуска DRAM память типа HBM может занять 5 % в натуральном измерении, а в стоимостном её доля может перевалить за 20 %, как считают эксперты TrendForce. Наконец, в следующем году HBM будет формировать более 10 % объёмов производства DRAM в натуральном измерении, а в стоимостном выражении её доля превысит 30 %.

В этом квартале, как сообщает источник, поставщики предварительно увеличили стоимость микросхем памяти HBM2E, HBM3 и HBM3E на 5–10 % для контрактов со сроком поставки в 2025 году. Как уже отмечали недавно SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, все три компании готовы начать поставки микросхем HBM3E в текущем полугодии, просто в случае с Micron это будут только восьмиярусные стеки, а два других производителя готовы предложить 12-ярусные. Пока уровень выхода годной продукции при выпуске микросхем HBM3E не превышает 40–60 %, но с течением времени увеличатся объёмы производства, вырастет качество, а цены снизятся. Пока память типа HBM3E используется преимущественно в ускорителях вычислений Nvidia, но с четвёртого квартала этого года к ним присоединятся и ускорители AMD, причём сразу потребляя 12-ярусные стеки.

В конце февраля южнокорейская компания SK hynix уже заявляла, что фактически обеспечена заказами на выпуск памяти типа HBM до конца текущего года. Сезон квартальных отчётов заставил компанию поднять ставки, заявив о наличии заказов вплоть до конца 2025 года, попутно пообещав начать поставки новейшей HBM3E в третьем квартале текущего года.

Источник изображения: SK hynix

К массовому производству микросхем HBM3E компания приступит в следующем квартале, как отмечается в свежем заявлении SK hynix. Производитель по-прежнему считает, что объёмы выпуска HBM будут увеличиваться в среднем на 60 % в ближайшие годы. По традиции, собственные инвестиции SK hynix в расширение производства памяти распланированы вплоть до 2046 года, и к этому сроку компания собирается вложить $91 млрд в развитие крупнейшего комплекса по производству памяти в Йонъине. На первом этапе на строительство нового предприятия, которое войдёт в состав нового комплекса, планируется потратить около $14,5 млрд. Ещё $3,87 млрд будет вложено в строительство предприятия по тестированию и упаковке памяти в штате Индиана. Как пояснили на этой неделе представители SK hynix, финансировать эти проекты компания рассчитывает преимущественно за счёт собственных средств, поскольку рассчитывает на пропорциональный рост прибыли.

Ситуация с расширением производства HBM руководству SK hynix нравится тем, что заказы клиентов растут предсказуемо, и это позволяет более чётко планировать строительство новых предприятий. По крайней мере, у компании появляется больше уверенности, что новые линии по выпуску HBM окажутся загружены работой, тогда как традиционный рынок DRAM в целом более непредсказуем с точки зрения колебания спроса и предложения.

Поставки образцов новейшей 12-ярусной памяти типа HBM3E своим клиентам, главным из которых остаётся Nvidia, компания SK hynix начнёт в мае текущего года, а в третьем квартале приступит к её массовому производству. К 2028 году, как считают в SK hynix, доля микросхем памяти для систем искусственного интеллекта, включая HBM и DDR, в стоимостном выражении достигнет 61 % всех поставок продукции этой марки. В прошлом году этот показатель не превышал 5 %, так что нет ничего удивительного в том, что заказами на поставку HBM компания теперь обеспечена вплоть до конца следующего года.

Группа китайских производителей чипов во главе с Huawei Technologies при поддержке правительства Китая планирует к 2026 году начать производство микросхем памяти HBM (High Bandwidth Memory), которые являются одним из ключевых компонентов ускорителей искусственного интеллекта. Этот проект является частью усилий Китая по созданию отечественных альтернатив чипам искусственного интеллекта Nvidia.

В последние годы Китай инвестировал огромные средства в развитие отечественной полупроводниковой промышленности с целью уменьшить свою зависимость от иностранных технологий и преодолеть экспортные ограничения США. Хотя чипы HBM непосредственно не подпадают под эти ограничения, они производятся с использованием технологии, доступ к которой Huawei закрыт из-за американских санкций.

Основными участниками проекта, стартовавшего в прошлом году, стали производитель микросхем памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit и Huawei. Обе компании находятся под санкциями США. К проекту также привлечены другие китайские производители чипов и разработчики технологий их упаковки. Они будут работать над адаптацией своих чипов памяти для процессоров искусственного интеллекта, разработанных Huawei, и предоставят вспомогательные компоненты для печатных плат.

По сообщениям осведомлённых источников, консорциум под руководством Huawei уже создал как минимум две производственные линии для изготовления памяти HBM, используя компоненты разных поставщиков и провоцируя внутреннюю конкуренцию. Сама Huawei, вероятно, станет крупнейшим покупателем HBM.

Один из крупнейших в мире производителей чипов памяти, южнокорейская компания SK Hynix объявила в среду о планах инвестировать 5,3 трлн вон (около $3,86 млрд) в строительство завода по производству памяти DRAM в Южной Корее, пишет агентство Reuters. Компания отметила, что новый производственный объект будет в основном сосредоточен на выпуске микросхем памяти класса HBM.

Источник изображения: SK Hynix

Являющаяся одним из основных партнёров Nvidia, SK Hynix планируют начать строительство завода под названием M15X в конце апреля с тем, чтобы начать массовое производство чипов памяти в ноябре 2025 года.

Согласно прогнозу SK Hynix, рынок HBM будет расти более чем на 60 % в год, при этом спрос на DRAM общего назначения будет постоянно увеличиваться, особенно на чипы большой ёмкости для серверов.

SK Hynix указала в заявлении, что с учётом запланированного постепенного увеличения инвестиций в оборудование общий объём вложений в новый завод в Южной Корее в долгосрочной перспективе составит более 20 трлн вон (около $14,6 млрд).

Напомним, что в прошлом году из-за спада на рынке микросхем SK Hynix сократила годовые инвестиции на 50 % и сообщила в октябре, что их рост в 2024 году будет минимальным. Несмотря на эту позицию, спрос на её чипы памяти HBM, используемые в ИИ-ускорителях, настолько высок, что существующие мощности компании полностью зарезервированы на этот год, и на большую часть следующего года, отмечено в сообщении SK Hynix.

Компания Samsung объявила, что изготовила образец 16-слойного стека памяти HBM — такие будут применяться с переходом на память HBM4. Предсерийные образцы этих стеков появятся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году.

Источник изображения: samsung.com

О создании стека HBM из 16 кристаллов с гибридным соединением сообщил вице-президент Samsung Ким Дэ У (Kim Dae-woo), передаёт TheElec. Этот чип был изготовлен в соответствии со стандартом HBM3, но аналогичное решение будет использоваться и в более производительной продукции HBM4. Ожидалось, что Samsung использует гибридное соединение лишь для одного или двух кристаллов, но в итоге компания применила этот метод ко всем шестнадцати.

Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.

В чипах HBM3E компания Samsung применяет технологию TC-NCF, а гибридное соединение обещает быть более эффективным, поскольку позволяет компактно добавлять больше слоёв без сквозных соединений TSV (Through Silicon Via).

Ещё в начале февраля появились слухи о готовности южнокорейской компании SK hynix построить в штате Индиана предприятие по выпуску микросхем памяти класса HBM. На этой неделе данные намерения были подтверждены официально: на строительство предприятия SK hynix потратит $3,87 млрд, а работу оно начнёт во второй половине 2028 года.

Источник изображения: SK hynix

Помимо линии по тестированию и упаковке памяти типа HBM адекватного тому времени поколения, американское предприятие SK hynix разместит и профильный исследовательский центр, который сосредоточится на разработке прогрессивных методов упаковки чипов. Представители SK hynix отдельно подчеркнули, что новое предприятие позволит укрепить цепочки поставок, направленные на снабжение рынка США передовыми чипами для ускорения систем искусственного интеллекта.

Теоретически, если к тому времени в Аризоне начнёт функционировать второе предприятие TSMC, которое сможет выпускать 3-нм чипы, то Nvidia сможет получать на территории США как ускорители вычислений собственной разработки, так и память для них, хотя сейчас она в этом отношении сильно зависит от Тайваня и Южной Кореи соответственно, причём конечный этап сборки и тестирования чипов всё равно проходит на Тайване, где компания TSMC располагает линиями по упаковке компонентов с использованием технологии CoWoS.

Расположенный в Индиане Университет Пердью окажется в одном с будущим предприятием SK hynix городе Уэст-Лафейетт, что позволит этому учебному заведению готовить кадры для предприятия южнокорейской компании. Соответствующие договорённости уже достигнуты, а ещё местные власти готовы способствовать развитию необходимой транспортной и инженерной инфраструктуры. Сможет ли SK hynix претендовать на федеральные субсидии по «Закону о чипах» США, пока сказать сложно, ибо выделение средств идёт очень медленно, и ближе к началу очереди уже стоят более крупные проекты других компаний. Предприятие SK hynix в Индиане должно обеспечить работой более тысячи местных жителей.