К автомобильной электронике, которая в наши дни проникает в самые разные системы в составе транспортных средств, предъявляются особые требования по надёжности и устойчивости к экстремальным температурам, а также вибрации. Компания Samsung недавно сообщила, что смогла сертифицировать свою память LPDDR4X на соответствие требованиям Snapdragon Digital Chassis компании Qualcomm.

Источник изображения: Samsung Electronics

По сути, это означает, что Qualcomm доверяет Samsung с точки зрения использования микросхем LPDDR4X в составе мультимедийных систем автомобилей и систем активной помощи водителю, которые оснащает собственными процессорами семейства Snapdragon. Как отмечается, Samsung также разрабатывает память LPDDR5 для использования в автомобильном сегменте, образцы соответствующих микросхем она начнёт поставлять клиентам в четвёртом квартале текущего года. Эти чипы обеспечат высочайшую скоростью передачи информации до 9,6 гигабит в секунду даже в условиях экстремальных температур.

Соответствующая требованиям стандарта AEC-Q100 память LPDDR4X компании Samsung способна работать стабильно при температурах от минус 40 до плюс 105 градусов по шкале Цельсия. Для использования в составе автомобильных мультимедийных систем предназначены микросхемы памяти объёмом до 32 Гбайт. Свою первую память для автомобильной отрасли Samsung выпустила в 2017 году, предложив микросхемы eUFS раньше, чем это сделали конкуренты. В прошлом году был освоен выпуск памяти UFS 3.1 для автомобильного сегмента. По данным HIS, компания Samsung удерживает 32 % рынка памяти для автомобильных систем, уступая только Micron с её 44 %. Как считают эксперты Omdia, мировой рынок автомобильной электроники в период с 2023 по 2028 годы будет в среднем расти на 8 % ежегодно, а сегмент специализированной DRAM будет прибавлять по 16 % в год. К 2027 году его оборот превысит $100 млрд.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Прошло всего два месяца после анонса самой быстрой в мире памяти LPDDR5X для мобильных устройств, а компания SK hynix уже представляет более быструю память LPDDR5T. Данная память станет последним этапом в подготовке к переходу на чипы LPDDR6, а чтобы подчеркнуть исключительно высочайшие качества новинки новая модификация LPDDR5 получила приставку «T», что означает Turbo.

Источник изображений: SK hynix

LPDDR5T будет на 13 % быстрее памяти LPDDR5X, что потребуется новым мобильным устройствам от смартфонов до AR/VR-гарнитур и других устройств, а также для приложений искусственного интеллекта и, особенно, для периферийных ИИ-решений в виде роботов и других решений.

Как известно, скорость передачи представленных в октябре прошлого года чипов LPDDR5X достигает 8,5 Гбит/с на контакт. Скорость работы памяти LPDDR5T заявлена на уровне 9,6 Гбит/с на контакт. При этом потребление чипов выросло незначительно, что позволяет говорить о росте энергоэффективности.

Массовое производство микросхем LPDDR5T компания SK hynix намерена запустить во второй половине текущего года. Продукция сразу же будет пользоваться спросом, поскольку образцы микросхем уже отправлены для изучения многочисленным клиентам компании. Вероятно, в готовых продуктах память LPDDR5T дебютирует на CES 2024, а в широкой продаже появится зимой и весной следующего года.

Микросхемы LPDDR5T производятся с использованием четвёртого поколения техпроцесса класса 10 нм (в обозначении SK hynix — 1anm). Для изготовления ключевых транзисторов ячеек памяти задействован так называемый техпроцесс HKGM (High-K Metal Gate) хорошо известный нам по производству процессоров. Для изоляции металлических затворов транзисторов используется плёнка с высокой диэлектрической проницаемостью, которая снижает токи утечек, что повышает производительность транзисторов и снижает их потребление.

Питание чипов LPDDR5T лежит в сверхнизком диапазоне напряжений, установленном комитетом JEDEC для памяти LPDDR5: от 1,01 до 1,12 В. До появления памяти LPDDR6 более быстрого продукта поколения LPDDR5 может не появиться. Тем не менее, будет интересно узнать, чем компания Samsung ответит на самодеятельность SK hynix в виде маркировки «Турбо»?