Южнокорейская SK hynix пока остаётся главным поставщиком микросхем памяти типа HBM для нужд Nvidia, но ей пытаются составить конкуренцию и Samsung Electronics, и Micron Technology. Корейские СМИ сообщают, что Nvidia стимулирует обострение конкуренции между поставщиками HBM, стремясь получить более выгодные для себя цены на их продукцию.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, недавно из уст представителей SK hynix прозвучали обещания начать поставки образцов 12-ярусных стеков HBM3E своим клиентам, а в третьем квартале приступить к их массовому производству. Подобная активность в информационном поле, как считают представители Business Korea, связана с действиями компании Nvidia, которая не особо скрывает намерения конкурирующих поставщиков HBM от друг друга, пытаясь обострить соперничество и тем самым добиться более выгодных для себя условий закупки.

Недавний визит председателя совета директоров SK Inc. Чэй Тэ Вона (Chey Tae-won) в США, который в конце апреля встретился с главой и основателем Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), как принято считать, был связан как раз с этой темой. Конкурирующая Samsung Electronics начать поставки 12-ярусной HBM3E пообещала до конца текущего полугодия, поэтому SK hynix позже пришлось раскрыть свои аналогичные намерения. Не осталась в стороне даже Micron, которая пока способна выпускать только 8-ярусные стеки HBM3E, но от соответствующих заявлений не воздерживается. По словам корейских источников, все эти действия поставщиков HBM могут быть вызваны активностью Nvidia, которая сильнее давит на них как в графике начала поставок новейшей памяти, так и в вопросах цены.

Мобильная рабочая станция Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 стала первым ноутбуком, оснащённым памятью нового форм-фактора LPCAMM2, который выступает преемником модулей SODIMM.

Источник изображений: lenovo.com

Рабочий ноутбук Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 позиционируется как решение для систем искусственного интеллекта. Он работает на чипах Intel последнего поколения — вплоть до Core Ultra 9 185H; и, помимо интегрированной графики, может комплектоваться либо игровой дискретной видеокартой Nvidia GeForce RTX 4060/4070, либо профессиональной Nvidia RTX 1000/2000/3000 Ada Generation. Кроме того, отмечает Lenovo, это первый в мире ноутбук с памятью LPCAMM2. Она занимает на 64 % меньше места в корпусе и потребляет на 61 % меньше мощности, чем SODIMM, поскольку вместо обычной DDR5 здесь используются чипы LPDDR5X.

Разработчиком стандарта памяти для ноутбуков LPCAMM2 является компания Dell. Впервые проприетарные модули CAMM (Compression Attached Memory Module) использовались в модели Dell Precision 7670 в 2022 году. В 2023 году компания передала свою разработку в JEDEC — организацию, которая устанавливает стандарты технологий памяти. В сентябре JEDEC утвердила стандарт как LPCAMM2, и интерес к нему проявили Samsung и Micron. Помимо выигрыша в аспекте скорости работы, эффективности и физических размерах, LPCAMM2 предлагает возможность работы одного модуля в двухканальном режиме. При этом пользователь может заменять модули памяти нового образца своими силами, как и SODIMM.

Теперь следует дождаться обзоров Lenovo ThinkPad P1 Gen 7 — они покажут, так ли хороша LPCAMM2. И будет повод проверить утверждение Micron, что в режиме ожидания память нового образца сокращает потребление энергии на 80 %.

С наступлением весны и приближением намеченных на осень президентских выборов в США правительство страны начало активнее распределять средства, предусмотренные для стимулирования строительства на её территории передовых предприятий по выпуску полупроводниковых компонентов. Intel, TSMC и Samsung уже получили предварительные гарантии, а очередь до Micron Technology дошла только на этой неделе.

Источник изображения: Micron Technology

Единственный американский производитель микросхем памяти, осуществляющий активную деятельность в наши дни, намерен в ближайшие годы потратить $125 млрд на строительство четырёх новых предприятий в штате Нью-Йорк и одного в штате Айдахо. Кроме того, в штате Вирджиния существующее предприятие по выпуску микросхем типа DRAM будет модернизировано и расширено, на эти нужды до 2030 года компания планирует потратить $3 млрд.

В рамках церемонии, которая прошла сегодня в штате Нью-Йорк, власти США объявили о готовности выделить по «Закону о чипах» до $6,1 млрд безвозвратных субсидий и до $7,5 млрд в форме льготных кредитов для нужд компании Micron Technology. С учётом уже распределённых средств среди прочих соискателей субсидий, правительство США располагает ещё $6,5 млрд бюджетных средств, которые должны быть распределены до конца текущего года между компаниями, выражающими твёрдые намерения наладить выпуск передовых полупроводниковых компонентов на территории США.

Одно из строящихся предприятий Micron в Айдахо будет введено в строй в 2026 году, ещё два предприятия в штате Нью-Йорк будут запущены в 2028 и 2029 годах. Два дополнительных предприятия в этом штате, которые будут построены позже, действием предварительного соглашения с властями США не покрываются. С учётом наличия у SK hynix планов по строительству в стране предприятия по упаковке чипов памяти, США могут стать единственным регионом планеты, где имеются предприятия всех крупнейших производителей памяти и современных чипов прочего назначения. Из выделенных Micron средств $40 млн будут направлены на обучение персонала для новых предприятий в Нью-Йорке и Айдахо, проекты этого производителя в целом позволят создать 20 000 новых рабочих мест на территории США.

GlobalFoundries, Intel, TSMC и Samsung уже получили от властей США гарантии предоставления субсидий и льготных кредитов на строительство на территории страны новых предприятий, которые займутся выпуском чипов до конца текущего десятилетия. На очереди теперь остаётся Micron Technology, и Bloomberg сообщает, что соответствующее заявление будет сделано на следующей неделе.

Источник изображения: Micron Technology

Для этого у президента США Джозефа Байдена (Joseph Biden) на 25 апреля запланирована поездка в штат Нью-Йорк, где Micron Technology к 2041 году обещает построить аж четыре новых предприятия по выпуску микросхем памяти. По данным источника, власти США выделят Micron $6,1 млрд безвозвратных субсидий и некоторую сумму льготных кредитов. Впрочем, по условиям «Закона о чипах», субсидированию подлежат лишь проекты со сроком реализации до 2030 года, поэтому в штате Нью-Йорк у Micron под действие этой программы попадут лишь два из четырёх предприятий по производству памяти, если они будут построены вовремя. Ещё одно предприятие Micron будет построено в штате Айдахо, оно может получить субсидии без подобных ограничений.

Формально, Министерство торговли США после всех принятых решений располагает ещё около $16 млрд безвозвратных субсидий, которые планирует распределить между соискателями до конца текущего года, но Bloomberg предупреждает, что $3,5 млрд из этой суммы пойдёт на финансирование проекта по производству чипов оборонного назначения, поскольку Пентагон не нашёл возможности покрыть эти затраты из собственных средств. Получается, что в распоряжении чиновников осталось около $13 млрд, и в эту сумму не входят упоминаемые выше $6,1 млрд для компании Micron.

Предприятие Micron в Айдахо должно начать работу в 2026 году, на его строительство планируется потратить около $15 млрд. Кластер в штате Нью-Йорк будет поэтапно расширяться до 2041 года, его бюджет достигает $100 млрд. Придётся ли Micron как-то подстраиваться под требования Министерства торговли США, как это произошло с TSMC и Samsung, которые взяли на себя обязательство наладить выпуск 2-нм чипов на территории страны до 2030 года, пока сказать сложно. У производства микросхем памяти есть своя специфика, власти США могут потребовать от Micron наладить выпуск HBM на территории страны, как это произошло с Samsung.

Компания Micron выпустила твердотельные накопители 2500-й серии, в которых впервые используются чипы флеш-памяти QLC NAND с количеством слоёв более 200. При этом новинки быстрее, чем накопители серии Micron 2550 на базе памяти TLC NAND, хотя исторически TLC-памяти быстрее, чем на QLC.

Источник изображений: Micron

Память QLC в одной ячейке способна хранить четыре бита информации, а TLC — три. Таким образом, в случае с памятью QLC контроллеру SSD приходится согласовывать 16 состояний напряжения QLC на ячейку вместо 8 у TLC. Как результат, операции чтения и записи индивидуальных ячеек у памяти QLC медленнее, чем у TLC. Повысить скорость накопителей на базе QLC-памяти можно через программную составляющую SSD-контроллера, а также с помощью кеш-памяти SLC (один бит на ячейку) и параллельного доступа к данным.

В составе серии накопителей Micron 2500 используются 232-слойные чипы флеш-памяти QLC NAND со скоростью ввода-вывода 2400 МТ/с на контакт, что на 50 % больше, чем у 176-слойных QLC-чипов. Они также обладают почти на 30 % большей плотностью по сравнению с 176-слойной QLC-памятью в составе накопителей Micron 2400 и на 31 % больше плотностью по сравнению с 232-слойными чипами флеш-памяти TLC NAND, которые используются в серии SSD Micron 2550.

Накопители Micron 2500 до 24 % быстрее в операциях чтения и до 31 % в операциях записи, чем накопители Micron 2450 на 176-слойных чипах памяти TLC. Ниже представлена сравнительная таблица с моделями SSD от Micron на основе флеш-памяти TLC и QLC.

Источник изображения: Blocks and Files

Для новой серии SSD Micron 2500 заявляется скорость в операциях последовательного чтения и записи до 7,1 Гбайт/с и до 6 Гбайт/с соответственно. Производительность в операциях случайного чтения и записи у новинок составляет до 1 млн IOPS, что практически сопоставимо с показателями серии SSD Micron 3500 на базе 232-слойных чипов памяти TLC NAND. При этом по скорости последовательного чтения новинки оказываются даже быстрее. По словам производителя, серия накопителей 2500 на чипах QLC обеспечила в бенчмарке PC Mark10 результат до 45 % выше по сравнению с тремя конкурентами с памятью TLC.

Накопители Micron 2500 будут выпускаться в трёх форматах NVMe M.2: малом (22 × 30 мм), среднем (22 × 42 мм) и большом (22 × 80 мм). Новинки соответствуют стандарту PCIe 4.0 и используют протокол NVMe 1.4. Для SSD Micron 2500 заявляется используется технология буфера HMB. Другими словами, они не имеют собственного буфера памяти DRAM и используют для этих целей часть системной памяти DRAM.

Новинки будут выпускаться в объёмах 512 Гбайт, 1 и 2 Тбайт. Для младшей модели заявлен ресурс в 200 TBW (терабайт перезаписанной информации), для двух других — 300 и 600 TBW соответственно. На все модели предоставляется пять лет гарантии или 2 млн часов работы на отказ.

Крупнейшие компании на рынке флеш-памяти, включая Micron, Samsung и Western Digital, объявили о повышении цен на свои продукты. Причины называются самые разные, однако производители отчасти ссылаются на землетрясение на Тайване. Правда, если производственные мощности Micron действительно пострадали, Samsung, похоже, пытается извлечь больше прибыли из корпоративного сегмента и повышенного спроса на ИИ-технологии.

Источник изображения: Samsung

Случившееся 3 апреля землетрясение стало сильнейшим в регионе за последние 25 лет и привело к многочисленным разрушениям. Сразу после окончания стихийного бедствия Micron остановила большую часть производства на Тайване. Сильнее всего пострадали высокотехнологичные производства серверной DRAM, потребительскому направлению NAND для SSD и флэш-накопителей повезло больше. Тайваньские СМИ сообщают, что за последние месяцы Micron подняла цены более чем на 20 %, что, видимо, не особо сказалось на поставках потребительских продуктов компании.

Samsung также объявила о повышении цен на корпоративные SSD, которые, вероятно, во втором квартале 2024 года подорожают на 20–25 %. По слухам, на рынке наблюдается дефицит корпоративных SSD, что вполне логично, ведь их, вероятно, используют в системах искусственного интеллекта. Однако основным компонентом ИИ-вычислений остаются графические процессоры, и там всё тоже не слишком гладко. По всей видимости, Samsung решила воспользоваться дефицитом SSD на рынке ИИ-систем и сыграть на этом. А поскольку компания удерживает 40 % рынка корпоративных SSD, её ценовые решения влияют на всю отрасль.

Western Digital не осталась в стороне и объявила о повышении цен на HDD и накопители на флеш-памяти, ссылаясь на перебои с поставками.

Американская компания Micron Technology хоть и претендует на субсидии в США, которые направит на развитие местных предприятий, располагает четырьмя производственными площадками на Тайване, которые после землетрясения в начале месяца до сих пор не восстановили работу в полном объёме. В целом же в текущем квартале объёмы поставок DRAM сократятся на 4–6 % из-за последствий землетрясения.

Источник изображения: Micron Technology

Таким прогнозом компания поделилась на этой неделе, как сообщает Reuters. В долгосрочной перспективе это стихийное бедствие не окажет существенного влияния на способность Micron поставлять микросхемы памяти типа DRAM. Компания будет подводить итоги квартала в начале июня, поэтому сложно судить о том, на какой период затянется восстановление работы тайваньских предприятий.

В марте глава Micron Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra) сообщил, что все квоты на выпуск памяти типа HBM на текущий год уже раскуплены, и захвачена даже некоторая часть следующего года. Он с тех пор не уточнял, затронуло ли тайваньское землетрясение производственные мощности, связанные с выпуском памяти этого типа.

Пока СМИ активно обсуждали выделение субсидий властями США на строительство предприятий Intel и TSMC, а также предстоящее аналогичное событие у Samsung, все как-то забыли, что американская Micron Technology ещё в позапрошлом году пообещала, что потратит более $100 млрд на строительство предприятий в США в течение ближайших двух десятилетий. Эксперты считают, что компания вполне может рассчитывать на субсидии в размере более $5 млрд.

Источник изображения: Micron Technology

Напомним, в октябре 2022 года Micron Technology объявила о намерениях построить в штате Нью-Йорк огромный производственный комплекс по выпуску микросхем памяти, который обеспечит работой 50 000 человек. Только в текущем десятилетии на эти нужды Micron собиралась потратить $20 млрд, а всего за два десятилетия была готова выделить $100 млрд на развитие одной только этой площадки. Кроме того, в штате Айдахо компания собирается построить предприятие стоимостью $15 млрд, растянув эти расходы на ближайшие десять лет.

Словом, Micron рассчитывает серьёзно вложиться в развитие национальной полупроводниковой промышленности. Представители Citi считают, что это позволяет компании рассчитывать на получение субсидий в размере более $5 млрд. Это не так уж мало, если учесть, что без предполагаемой доли Samsung в оставшемся бюджете Министерства США на выделение субсидий сейчас находится около $20 млрд, после достижения договорённостей с Intel ($8,5 млрд) и TSMC ($6,6 млрд). Если ещё $6,6 млрд достанутся Samsung, то в распоряжении чиновников останутся около $13,3 млрд, из них Micron Technology могла бы претендовать на $5 млрд, как считают аналитики Citi. Ожидается, что решение о выделении субсидий Samsung Electronics будет принято властями США на следующей неделе, сроки согласования субсидий для Micron пока не уточняются.

Завтра в китайской столице начнёт работу Форум по развитию Китая, который в этом году посетит представительная делегация зарубежных бизнесменов. Накануне министр торговли КНР Ван Вэньтао (Wang Wentao) провёл серию встреч с руководителями зарубежных компаний полупроводникового сектора, чтобы заверить их в наличии у китайских властей намерений продолжать плодотворное сотрудничество.

Источник изображения: Apple

Об этих встречах поведали ресурсы Bloomberg и Nikkei Asian Review. С главой Apple Тимом Куком (Tim Cook), который находится в Китае с рабочей поездкой со среды, китайский министр торговли встретился ещё вчера, после чего руководитель американской корпорации заявил, что она продолжит инвестировать не только в торговую сеть на территории страны, но и в развитие цепочек поставок и прикладные исследования.

Попавшая в прошлом году под китайские санкции американская компания Micron Technology не только направила на форум своего генерального директора Санджея Мехротру (Sanjay Mehrotra), но и позволила ему заявить о намерениях увеличить объём инвестиций в китайскую экономику. Китайский министр не обошёл вниманием и главу Qualcomm Криштиано Амона (Cristiano Amon), которого также призвал усилить инвестиции в китайский рынок. Правда, глава американского разработчика мобильных процессоров заявил в ответ, что рассчитывает на формирование властями США и Китая стабильных условий для развития бизнеса.

С главой южнокорейской SK hynix Квак Но Чуном (Kwak Noh-Jung) у китайского министра торговли состоялась беседа на тему возможного расширения бизнеса в КНР, поскольку для этого производителя памяти Китай остаётся не только крупнейшей производственной площадкой, но и важным рынком сбыта продукции. Беседа Ван Вэньтао с председателем совета директоров французского банка BNP Paribas была сосредоточена на посредничестве этой финансовой структуры в налаживании взаимовыгодных отношений между китайским и европейским бизнесом. Министр торговли Китая также провёл встречу в формате круглого стола с представителями зарубежных производителей фармакологической продукции.

Компания Micron показала на конференции Nvidia GTC 2024 необычные модули оперативной памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт. Данные модули с большой высотой предназначены для нового поколения серверных систем, в том числе на базе будущих процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Micron сообщила, что уже начала рассылать образцы заинтересованным покупателям.

Источник изображений: Micron

Продемонстрированные производителем модули памяти MCRDIMM DDR5 объёмом 256 Гбайт работают со скоростью 8800 МГц. Они предназначены для серверных систем формата 1U. В основе указанных модулей памяти используются 32-гигабитные микросхемы DDR5. С каждой стороны такого модуля расположено по 40 чипов памяти. Энергопотребление одного модуля ОЗУ MCRDIMM DDR5-8800 объёмом 256 Гбайт составляет около 20 Вт, что относительно немного, учитывая, что ранее выпущенные тем же производителем модули DDR5-8000 RDIMM объёмом 128 Гбайт при стандартном профиле DDR5-4800 потребляют 10 Вт.

Multiplexer Combined Ranks (MCR) DIMM — тип двухранговых модулей ОЗУ, которые работают параллельно с двумя рангами благодаря использованию специального буфера. Этот буфер позволяет двум физическим рангам действовать так, как если бы они были двумя отдельными модулями памяти, работающими параллельно. Благодаря этому производительность таких модулей эффективно удваивается за счёт одновременного извлечения 128 байтов данных из обоих рангов за такт. Буфер работает со своим хост-контроллером памяти DDR5, что позволяет памяти работать на скорости выше, чем предусмотрено стандартом. В данном случае речь идёт о 8800 МТ/с.

Обычно модули с двумя физическими рангами функционируют как один модуль. Таким образом, центральный процессор или контроллер памяти за один такт извлекает только 64 байта данных. Память MCRDIMM удваивают это значение, тем самым существенно увеличивая ёмкость и производительность каждого модуля.

Тот факт, что Micron решила показать свои модули памяти MCRDIMM объёмом 256 Гбайт именно на конференции Nvidia GTC 2024, посвящённой ИИ, может говорить о том, что компания рассматривает этот продукт в качестве решения для ИИ-серверов нового поколения, например, на базе процессоров Intel Xeon Scalable Granite Rapids. Системы на их основе будут использовать огромные объёмы памяти для обучения ИИ-моделей, поэтому указанные модули ОЗУ придутся как нельзя кстати. Сами чипы Intel Xeon Scalable Granite Rapids будут поддерживать 12-канальный режим работы памяти по два модуля на канал. Таким образом, на основе модулей Micron можно будет создавать серверы с 3 Тбайт ОЗУ при использовании 12 слотов памяти и до 6 Тбайт ОЗУ при использовании 24 слотов памяти.

Американская компания Micron Technology воодушевила инвесторов не только с точки зрения динамики выручки и прибыли в прошлом квартале, но и с точки зрения прогноза на ближайшие кварталы. Кроме того, результаты квартала превзошли ожидания рынка. В результате курс акций компании после закрытия основной сессии вырос почти на 20 %.

Источник изображения: Micron Technology

За прошлый квартал Micron Technology смогла увеличить выручку на 58 % в годовом сравнении до $5,8 млрд, последовательно выручка выросла на 23 %. Сегмент DRAM формировал 71 % выручки компании в минувшем квартале, на этом направлении выручка последовательно выросла на 21 % до $4,2 млрд, хотя в ёмкостном выражении объёмы поставок увеличились всего на несколько процентов. Зато средняя цена реализации поднялась на 18–19 %, преимущественно за счёт высокого спроса на память HBM и DDR5 в серверном сегменте. Кстати, год назад реализация DRAM приносила Micron 74 % всей выручки, поэтому нельзя утверждать, что данный вид деятельности стал сильнее доминировать в структуре выручки. Многое в этом смысле зависит от уровня цен.

Направление NAND последовательно увеличило профильную выручку Micron на 27 % до $1,6 млрд, те же 27 % оно формировало в совокупной выручке компании. При этом фактические объёмы поставок флеш-памяти Micron сократила на несколько процентов, но средняя цена реализации выросла последовательно более чем на 30 %. В целом, как оценивает ситуацию руководство Micron, именно усилия производителей по сокращению объёмов выпуска продукции способствовали росту цен на твердотельную память.

Структурно поставки микросхем памяти Micron делит между четырьмя подразделениями: сетевые и вычислительные решения в годовом сравнении увеличили выручку на 59 % до $2,2 млрд, мобильный сегмент вырос на 69 % до $1,6 млрд, встраиваемые решения прибавили 28 % до $1,11 млрд, а системы хранения при скромном абсолютном значении $905 млн добились впечатляющего роста выручки на 79 % по сравнению с аналогичным периодом предыдущего года.

Примечательно, что по итогам прошлого квартала Micron удалось получить чистую прибыль в размере $476 млн, тогда как год назад компания столкнулась с убытками на сумму $2,08 млрд. Фактически, текущему кварталу предшествовали подряд пять убыточных. Руководство Micron Technology выразило надежду, что цены будут расти на протяжении всего 2024 года, а фискальный 2025 год, который завершится в августе 2025 года принесёт ей рекордную выручку и значительно улучшенные показатели прибыльности.

В серверном сегменте спрос на HBM и DDR5 вызывает дефицит производственных мощностей, поскольку та же HBM3E при своём производстве требует в три раза большее количество кремниевых пластин по сравнению с DDR5. Если добавить сюда и трудности с наращиванием мощностей по упаковке памяти класса HBM, то после перехода к выпуску HBM4 ситуация должна только усугубиться. Уже в следующем году объёмы производства HBM поравняются с объёмами выпуска DRAM в целом.

В прошлом фискальном квартале Micron уже начала поставлять в коммерческих масштабах микросхемы памяти типа HBM3E. Она обеспечивает снижение энергопотребления на 30 % по сравнению с конкурирующими решениями этого поколения, микросхемы этого типа производства Micron будут использоваться компанией Nvidia для оснащения своих ускорителей вычислений H200, хотя данная продукция Micron сейчас проходит сертификацию и на соответствие требованиям других производителей процессоров. В этом году Micron рассчитывает выручить несколько миллионов долларов США от реализации HBM, все квоты на её выпуск в текущем календарном году уже раскуплены, и большинство квот на следующий год тоже распределено между клиентами. В 2025 году Micron начнёт серийный выпуск 12-ярусных стеков памяти типа HBM3E. На серверном рынке по итогам текущего года объёмы поставок серверных систем вырастут на 5–9 %, как прогнозирует руководство компании.

В сегменте ПК объёмы продаж при этом вырастут на скромные 2–3 %, так называемые AI PC начнут составлять заметную часть продаж только в следующем году. В среднесрочной перспективе спрос на DRAM будет расти на 14–16 %, в сегменте NAND рост незначительно превысит 20 %. Планы в отношении капитальных затрат до сентября текущего года не поменялись, Micron рассчитывает в текущем фискальном году потратить от $7,5 до $8,0 млрд. Компания ожидает решения властей США по выделению ей субсидий по «Закону о чипах», рассчитывая направить полученные средства на развитие производственных комплексов в Айдахо и штате Нью-Йорк. В текущем квартале Micron рассчитывает выручить $6,6 млрд, что тоже выше ожиданий аналитиков. Норму прибыли по итогам текущего квартала удастся поднять с 20 до 26,5 %, как считают в компании.

Прежде чем стать генеральным директором Intel на постоянной основе в январе 2019 года, Роберт Свон (Robert Swan) пару лет работал на посту финансового директора, и только отставка Брайана Кржанича (Brian Krzanich) вынудила его стать у руля корпорации. С февраля 2021 года её возглавляет Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger), а Роберт Свон получил возможность найти применение своим компетенциям в совете директоров Micron Technology.

Источник изображения: Intel

Напомним, что после ухода из Intel в 2021 году Роберт Свон работал в венчурной компании Andreessen Horowitz на должности операционного партнёра, а также был директором Radial. На этой неделе американский производитель памяти Micron Technology объявил о назначении Роберта Свона в состав своего совета директоров. Помимо руководства Intel, в компании Micron припомнили и опыт Свона в статусе финансового директора eBay. Руководство Micron выразило надежду, что многосторонний опыт Свона поможет компании развиваться в верном стратегическом направлении и добиться успехов в будущем.

Роберт Свон ранее был членом совета директоров не только Intel, но и eBay, Applied Materials и Skype. Он продолжает оставаться членом совета директоров Nike и Flexport. Представители совета директоров Micron ценят Свона за его способность управлять компанией в сложной рыночной обстановке и продвигать инновации, всё это должно пойти на пользу компании.

Идею использования нанопечати при изготовлении полупроводниковых компонентов готова поддержать не только компания Canon, поставляющая соответствующее оборудование. Среди непосредственно производителей чипов тоже нашлась сторонница внедрения данной технологии, и ею стала компания Micron Technology. Отдельные слои микросхем памяти DRAM, по её словам, дешевле изготавливать методом нанопечати.

Источник изображения: Canon

Речь в соответствующем материале, надо полагать, идёт о достаточно тонких техпроцессах, если проводить аналогию с традиционной оптической литографией. Как отмечается в исходной статье, технология нанопечати позволяет достигать разрешающей способности менее одного нанометра. При этом на дизайн чипа не накладываются геометрические ограничения, характерные для оптической технологии, а требования к взаимному позиционированию обрабатываемых материалов и оснастки куда проще.

Поскольку оборудование для нанопечати микросхем в пять раз дешевле современных EUV-сканеров для оптической литографии, производители могут добиваться сопоставимых успехов при меньших затратах. Важно понимать, что технология нанопечати не вытесняет классическую литографию на всех этапах производства микросхем памяти, но она хотя бы позволит снизить себестоимость отдельных технологических операций. По крайней мере, в этом убеждены представители Micron.

Китайскому производителю оперативной памяти Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. удалось в судебном порядке доказать свою непричастность к краже коммерческих секретов американской Micron Technology, в которой его обвиняли в США. Об этом сообщил ресурс Bloomberg.

Источник изображения: Fujian Jinhua Integrated Circuit

Спустя пять лет после того, как Fujian Jinhua была внесена Министерством торговли США в чёрный список как угроза национальной безопасности, окружной судья США Максин М. Чесни (Maxine M. Chesney) в Сан-Франциско признала компанию невиновной и сняла с неё ранее предъявленные обвинения в экономическом шпионаже и других преступлениях.

В своём постановлении судья отметила, что прокуратуре не удалось доказать, что Fujian Jinhua незаконно присвоила разработки Micron Technology, которые предположительно поступили к ней через тайваньскую United Microelectronics Corp. (UMC) в рамках производственной сделки. В 2020 году UMC признала себя частично виновной в краже коммерческой тайны и выплатила штраф в размере $60 млн.

В связи с решением суда Micron Technology выступила с заявлением, в котором указала, что достигла глобального мирового соглашения с Fujian Jinhua, в рамках которого они отказались от всех претензий друг к другу. Сюда входит гражданский иск, поданный американской компанией за год до того, как Министерство юстиции США выдвинуло уголовные обвинения против китайской фирмы, поддерживаемой правительством Китая. Свой иск против Fujian Jinhua и её тайваньского партнёра UMC с обвинением в краже коммерческой тайны, касающейся производства чипов памяти, американская компания подала в 2017 году.

Декабрьское соглашение об урегулировании было подписано Micron Technology после того, как китайское правительство запретило использование её чипов в критической инфраструктуре из-за серьёзных рисков для национальной безопасности. По данным американской компании, на предприятия, базирующиеся в материковом Китае и Гонконге, приходится около четверти всего её дохода.

Компания Micron представила на выставке MWC 2024 самые компактные микросхемы флеш-памяти стандарта UFS 4.0, предназначенные для смартфонов, планшетов и других мобильных устройств. Размеры упаковки чипа составляет всего 9 × 13 мм. Они будут выпускаться в объёмах до 1 Тбайт и предложат скорости последовательного чтения и записи до 4300 и 4000 Мбайт/с соответственно.

Источник изображений: Micron

Новые микросхемы памяти Micron UFS 4.0 построены на базе 232-слойных чипов 3D TLC NAND. Сокращение размеров микросхем компания объясняет потребностью производителей смартфонов и других мобильных устройств в оснащении своих продуктов более крупными батареями. Новые микросхемы памяти стандарта UFS 4.0 от компании Micron являются результатом совместных усилий специалистов компании из лабораторий в США, Китае и Южной Корее.

Площадь новых микросхем сократилась на 20 % по сравнению с чипами UFS производителя, выпущенных в июне прошлого года. Компания заявляет, что сокращение размера микросхем также привело к снижению их энергопотребления, но без потери в общей производительности. В новых чипах памяти Micron используется новая проприетарная технология HPM (High-Performance Mode), которая оптимизирует производительность памяти при интенсивном использовании смартфона и повышает её скорость работы на 25 %.

Micron сообщила, что уже начала поставки образцов памяти UFS 4.0 OEM-производителям устройств. Компания предлагает микросхемы ёмкостью 256 и 512 Гбайт, а также объёмом 1 Тбайт.