Японский производитель микросхем 3D NAND Kioxia предложил своему инвестору, компании SK Hynix, производственные линии в Японии для выпуска памяти, надеясь тем самым изменить его мнение о слиянии с Western Digital, чтобы возобновить переговоры по этому поводу, сообщил в пятницу ресурс Reuters со ссылкой на информационное агентство Jiji.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщается, переговоры между Kioxia и Western Digital, проходившие в прошлом году, зашли в тупик из-за несогласия SK Hynix, опасающейся появления крупного конгломерата на рынке энергонезависимой памяти, с которым ей было бы сложно конкурировать. Kioxia надеется добиться одобрения сделки со стороны SK Hynix в обмен на предоставление ей возможности производить чипы на японских заводах, управляемых совместно Kioxia и Western Digital, пишет Jiji.

Реализация этого предложения позволила бы SK Hynix значительно увеличить объёмы производства памяти 3D NAND, не инвестируя в расширение своих мощностей или создание новых линий. Финансовая сторона возможной сделки между Kioxia и Western Digital пока неизвестна. И на данный момент ни одна из сторон не подтвердила существования такого предложения.

Источник изображения: TrendForce

Согласно данным аналитиков TrendForce за III квартал 2023 года, в случае объединения Kioxia и Western Digital образовавшийся конгломерат будет контролировать примерно треть (31,4 %) мирового рынка 3D NAND по выручке. Это значительно выше доли SK Hynix (20,2 %) и сопоставимо с долей Samsung (31,4 %). Вместе с тем, если даже часть производственных мощностей Kioxia перейдёт к SK Hynix, новая компания, скорее всего, всё же будет крупнее южнокорейского производителя памяти, что объясняет, почему он всё равно будет считать это слияние серьёзной угрозой.

Недавнее включение китайской компании YMTC в так называемый список 1260H американским военным ведомством определённо создаст крупнейшему производителю твердотельной памяти в КНР определённые трудности, но свою причастность к поддержке китайской армии он всячески отрицает и считает шаги американской стороны несправедливыми и безосновательными.

Источник изображения: YMTC

Как отметило издание South China Morning Post, представители YMTC не только опровергли любую причастность компании к выполнению оборонных заказов в Китае, но и заявили о своей готовности вести переговоры с Вашингтоном об исключении этого производителя памяти из злополучного списка 1260H. Для самой компании появление её имени в данном перечне стало полнейшим сюрпризом, и в YMTC подчёркивают, что её продукция не годится для применения в оборонной сфере в принципе. Никто из клиентов YMTC никогда не декларировал использование памяти этой марки для создания техники оборонного назначения.

Более того, YMTC подчёркивает, что является частной компанией без каких-либо связей с оборонным ведомством КНР, и все обвинения в наличии угрозы с её стороны для американской национальной безопасности считает беспочвенными. Включение в список 1260H, как поясняет источник, потенциально грозит YMTC не только отказом американских клиентов от сотрудничества в оборонной сфере, но и блокировкой финансовых операций за пределами Китая со стороны профильных органов власти США.

С декабря 2022 года YMTC находится под санкциями США, касающимися экспорта из страны технологий и оборудования для производства памяти. В условиях таких ограничений компании пришлось активнее приобретать оборудование китайского производства. Скорее всего, поводом для новых санкций со стороны США стали крупные инвестиции в капитал YMTC, якобы полученные от поддерживаемых государством фондов в Китае.

Помимо рассказа о чипах памяти GDDR7 со скоростью 37 Гбит/с на контакт компания Samsung Electronics на конференции 2024 IEEE-SSCC в феврале также раскроет подробности и о других инновационных продуктах в области разработки микросхем памяти. Например, компания расскажет о будущих 280-слойных чипах флеш-памяти 3D QLC NAND объёмом 1 Тбит. В перспективе они будут использоваться в потребительских твердотельных накопителях и смартфонах.

Источник изображения: TechPowerUp

Указанные чипы флеш-памяти Samsung предложат плотность 28,5 Гбит/мм² и скорость 3,2 Гбайт/с. Для сравнения, текущие самые быстрые чипы флеш-памяти 3D NAND, использующиеся в самых передовых NVMe-накопителях, обеспечивают скорость передачи данных до 2,4 Гбайт/с.

Samsung также расскажет на мероприятии о новом поколении чипов памяти DDR5 стандарта DDR5-8000 с ёмкостью 32 Гбит (4 Гбайт). В этих микросхемах используется симметричная мозаичная архитектура ячеек памяти. Сами чипы будут производиться с использованием 5-го поколения техпроцесса Samsung 10-нм класса.

На основе таких микросхем производители модулей оперативной памяти смогут в перспективе выпускать одноранговые планки памяти DDR5-8000 объём 32 и 48 Гбайт или двухранговые модули памяти объёмом 64 или 96 Гбайт.

Южнокорейские производители памяти, которые сообща контролируют 60 % мирового рынка, в условиях нарастающего противостояния США и Китая, оказались буквально между двух огней. С одной стороны, им удалось добиться послаблений от властей США для развития своего бизнеса в Китае. С другой стороны, Китай является крупнейшим внешнеторговым партнёром Южной Кореи, а полупроводниковая отрасль остаётся важнейшей частью национальной экономики.

Источник изображения: SK hynix

Как поясняет South China Morning Post, дипломатические усилия южнокорейских властей привели к тому, что южнокорейские компании Samsung Electronics и SK hynix получили право поставлять в Китай оборудование для производства памяти в обход общепринятых экспортных ограничений со стороны США. При этом, как долго будут действовать подобные послабления, сказать сложно, но американская экономика в сохранении такого положения дел тоже заинтересована, поскольку Южная Корея выпускает почти 60 % микросхем памяти DRAM и NAND, реализуемой на мировом рынке.

Отказавшись от намерений самостоятельно выпускать флеш-память, корпорация Intel в конце 2021 года продала своё предприятие в китайском Даляне южнокорейской компании SK hynix за $9 млрд. На следующий год американские власти начали ограничивать инвестиции производителей памяти в китайскую экономику, но представители SK hynix заявляют, что у них по-прежнему нет намерений избавляться от китайского предприятия.

Предприятие SK hynix в Даляне в условиях американских санкций могло бы стать для компании обузой, и развитие соответствующей площадки пока идёт с пробуксовкой. Корейские инвесторы уже построили корпус нового предприятия рядом с существующим, но пока не торопятся оснащать его необходимым оборудованием. Расплачиваться за эту покупку SK hynix предстоит до следующего года включительно, а на фасаде предприятия до сих пор красуется логотип Intel. По мнению аналитиков, SK hynix старается избегать резких движений в год президентских выборов в США, поскольку смена политической конъюнктуры может помешать компании развивать свой бизнес на территории КНР.

Ситуация породила слухи о намерениях SK hynix продать предприятие в Даляне, но руководство компании в прошлом году в очередной раз опровергло эту информацию: «Мы вообще не рассматриваем возможность продажи своих предприятий в Даляне. SK hynix продолжит свою деятельность в Китае, одновременно соблюдая законы в тех юрисдикциях, в которых ведёт бизнес, и делая свой вклад в развитие полупроводниковой отрасли в целом» . Важно отметить, что корейские производители памяти сильно зависят от американских поставщиков оборудования для выпуска своей продукции, поэтому пренебрегать интересами американских партнёров они не могут ещё и по этой причине.

Международный валютный фонд уже предупредил, что Южная Корея может сильнее прочих государств Азиатско-Тихоокеанского региона пострадать в результате так называемой торговой войны между США и КНР, выражающейся в постоянном расширении взаимных ограничений на оборот капитала и товаров между двумя этими странами. Компаниям Samsung Electronics и SK hynix даже пришлось повысить расходы на лоббирование своих интересов как внутри Южной Кореи, так и на уровне правительственных структур США. Как можно судить по предоставленным компаниям льготам на работу в Китае, пока эти усилия приносят свои плоды, но что произойдёт после ноябрьских выборов президента США, никто с уверенностью сказать не может.

Для самой Южной Кореи китайский рынок остаётся крупнейшим с точки зрения товарооборота, но США занимают второе место, а также обеспечивают безопасность самого азиатского государства, поэтому местным политикам приходится соблюдать шаткий баланс интересов. Непосредственно SK hynix, которая является вторым по величине производителем памяти в мире, 27 % своей выручки получает именно на китайском рынке.

При этом сторонние эксперты отмечают, что корейские компании стали наращивать экспорт продукции в США весьма активно, и это направление поставок впервые более чем за двадцать лет затмило по своим оборотам китайское к началу текущего года. Если конфронтация между США и КНР продолжит усиливаться, корейским производителям придётся в определённых условиях делать непростой выбор.

Падение контрактных цен на DRAM, начавшееся ещё в четвёртом квартале 2021 года, удалось окончательно остановить лишь в четвёртой четверти 2023 года. Также в третьем квартале 2023 года удалось начать восстановление сегмента NAND, который демонстрировал спад четыре квартала подряд. И если производители сумеют удержать эффективный контроль над уровнем загрузки своих мощностей, восходящий тренд удастся сохранить, уверены аналитики TrendForce.

Источник изображения: samsung.com

Сезон роста откроется уже в текущем, первом квартале 2024 года, говорят аналитики TrendForce, подтверждая свои первоначальные прогнозы: рост цен на DRAM на 13–18 % и подорожание NAND на 18–23 % квартал к кварталу. Несмотря на в целом консервативный прогноз спроса во II квартале 2024 года, поставщики чипов памяти начали повышать коэффициенты загрузки мощностей уже в III квартале 2023 года. Ожидается, что покупатели NAND досрочно завершат пополнение запасов в I квартале 2024 года. Всё это уже привело к более умеренному росту цен в квартальном исчислении — на 3–8 % для DRAM и NAND в прогнозе на II квартал 2024 года.

Источник изображения: trendforce.com

III квартал 2024 года ознаменуется традиционным пиковым сезоном, когда североамериканские клиенты начнут энергичнее пополнять запасы ключевых компонентов. Контрактные цены на DRAM и NAND продолжат рост, который составит 8–13 %, но лишь при условии, что загрузка мощностей будет поддерживаться ниже 100 %. На рынке DRAM дальнейшему увеличению средней цены продажи (ASP) будут способствовать растущие темпы проникновения DDR5 и HBM.

Продолжение общего роста цен ожидается и в IV квартале 2024 года, опять же, если сохранится эффективная стратегия контроля производства. Рост цен квартал к кварталу составит 8–13 % — снова за счёт DDR5 и HBM, хотя по DDR5 к этому моменту не исключается и снижение показателей. Другими словами, рост контрактных цен в сегменте DRAM в 2024 году отражает изменения в ассортименте продукции, а не общий рост по всем чипам DRAM. Контрактные цены на NAND в IV квартале 2024 года вырастут на 0–5 % по сравнению с предыдущим кварталом.

После затяжного периода, характеризовавшегося излишками микросхем памяти типа NAND на рынке, производители стараются привести предложение и спрос в состояние равновесия. По оценкам экспертов TrendForce, уже в этом квартале контрактные цены на флеш-память вырастут на 15–20 %, при этом клиенты увеличат объёмы закупок.

Источник изображения: SK hynix

Ситуация с политикой производителей в первом квартале будет неоднородной, как считает источник, но некоторые из них начнут наращивать объёмы выпуска продукции. Если спрос при этом не вырастет пропорционально для компенсации увеличенного предложения, то цены на твердотельную память могут опуститься во второй половине текущего года.

В сегменте клиентских твердотельных накопителей цены в прошлом квартале выросли на 13–18 %, а в этом квартале они прибавят ещё 15–20 %, поскольку производители ПК будут их активно закупать, особенно в сегменте ноутбуков. Сейчас на этом рынке активно происходит распространение накопителей с интерфейсом PCI Express 4.0, производители заключают с клиентами крупные контракты.

В корпоративном сегменте спрос со стороны американских провайдеров облачных услуг на твердотельные накопители пока не начал расти, но зато соответствующее поведение демонстрируют их китайские конкуренты, а также независимые производители серверного оборудования. Корпоративные клиенты стараются закупить запас твердотельных накопителей, пока цены не выросли ещё сильнее. Если в прошлом квартале они увеличились на 10–15 %, то в этом могут вырасти на 18–23 %.

В сегменте так называемых хромбуков и смартфонов спрос на твердотельную память тоже стабилизируется. Производители активно поднимают цены, а в сегменте накопителей типа eMMC начальной ёмкости возник заметный дефицит. По всей номенклатуре таких накопителей в первом квартале контрактные цены могут вырасти на 18–23 %, хотя в прошлом квартале всё ограничилось повышением цен на 10–15 %.

Источник изображения: TrendForce

В сегменте UFS запасы продукции на стороне клиентов, выпускающих смартфоны, достигли критически низких значений, особенно если речь идёт о решениях поколения UFS 4.0. Производители смартфонов начали увеличивать объёмы закупок соответствующей памяти. Рост цен на кремниевые пластины в конце прошлого года усугубил желание производителей памяти быстрее отбить возросшие расходы, что сказывается на росте цен. На некоторые виды продукции в сегменте UFS цены выросли на 30 %, а в целом по первому кварталу представители прогнозируют их рост на 18–23 %, в основном за счёт рынка смартфонов.

Кремниевые пластины с памятью типа NAND в текущем квартале в среднем подорожают на 8–13 %, поскольку ситуация с неопределённостью динамики спроса не позволяет поставщикам в полной мере получить выгоду от роста отпускных цен. В среднем контрактные цены на микросхемы NAND в текущем квартале вырастут на 15–20 %, как считают аналитики TrendForce, тогда как в прошлом квартале они увеличились на 13–18 %.

На этой неделе южнокорейский гигант Samsung Electronics отчитается о предварительных итогах прошлого квартала, но даже такие значения для инвесторов станут важным индикатором состояния всего рынка полупроводниковых компонентов, поскольку эта компания является его крупнейшим участником. Прибыль Samsung должна сократиться на 14 %, что соответствует минимальному снижению за шесть предыдущих кварталов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Даже отрицательная динамика прибыли, по словам South China Morning Post, в этом случае станет хорошим сигналом для участников рынка и инвесторов, поскольку прибыль крупнейшего производителя памяти по крайней мере замедлит темпы снижения до минимального за полтора года значения. Консенсус 30 аналитиков гласит, что в прошлом квартале операционная прибыль Samsung наверняка сократилась на 35 % до $2,82 млрд в годовом сравнении. Последний раз компания отчитывалась о росте квартальной прибыли в годовом сравнении во втором квартале 2022 года.

Полупроводниковый бизнес Samsung, как ожидается, в прошлом квартале ограничил свои операционные убытки суммой около $912 млн, что в три с лишним раза меньше, чем наблюдалось во втором и третьем кварталах прошлого года. Цены на память типов DRAM и NAND в четвёртом квартале начали расти, и это во многом способствовало улучшению динамики финансовых показателей деятельности Samsung. По оценкам TrendForce, в мобильном сегменте цены на DRAM в прошлом квартале выросли на 18–23 %, а цены на память типа NAND в мобильном сегменте могли увеличиться на 10–15 %. С первого полугодия Samsung неоднократно сокращала объёмы производства памяти, чтобы стимулировать рост цен. В прошлом квартале она также более активно распродавала запасы продукции по сравнению с конкурентами. Как ожидают эксперты, в сегменте DRAM компания Samsung уже должна была выйти на безубыточность в прошлом квартале.

В мобильном сегменте операционная прибыль Samsung могла в прошлом квартале достичь $1,9 млрд, отрицательное влияние на неё могли оказать снижающиеся объёмы продаж флагманских моделей смартфонов с гибким дисплеем. Каждая из двух моделей сократила объёмы реализации на 1 млн штук по сравнению с третьим кварталом, как считают аналитики.

В последние месяцы цены на флеш-память NAND росли после затяжного падения, но эксперты TrendForce поясняют, что текущий уровень ещё далёк от того, который обеспечит участникам рынка возврат к прибыльности. В результате в ближайшее время поставщики флеш-памяти будут вынуждены поднять цены как минимум на 40 %, чтобы уйти от убытков.

Источник изображения: Samsung Electronics

Если же рассчитывать на получение прибыли, то производителям памяти нужно будет поднять цены на 50 % или даже выше, как убеждены представители TrendForce. По итогам прошлого квартала южнокорейская компания Samsung Electronics занимала первое место на рынке памяти типа NAND в показателях выручки с долей 31,4 %. На втором месте располагалась SK Group, в состав которой входят SK hynix и Solidigm (бывший бизнес Intel), с долей 20,2 %. Замыкает тройку лидеров американская Western Digital с долей рынка 16,9 %, а её партнёр Kioxia, с которой в этом году не состоялась сделка по объединению, довольствуется четвёртым местом и 14,5 % рынка.

Источник изображения: TrendForce

Крупные игроки рынка продолжают сокращать объёмы производства памяти типа NAND, поскольку этот вид продукции обеспечивает меньшую прибыль по сравнению с DRAM. Та же Samsung, например, с сентября текущего года сократила объёмы выпуска микросхем типа NAND на 50 % от максимально возможных. Предпочтение сейчас отдаётся выпуску 128-слойной памяти типа 3D NAND. В целом на рынке твердотельной памяти в некоторых сегментах уже наблюдается дефицит продукции, и это позволяет участникам двигать цены вверх. При этом точка окупаемости ещё не достигнута, и для её достижения поставщики микросхем NAND должны повысить цены ещё минимум на 40 %. В ближайшие кварталы цены будут только расти, как резюмируют специалисты TrendForce.

Китайские производители чипов или оборудования для их производства периодически становятся подозреваемыми в делах о промышленном шпионаже, но существуют и противоположные по схеме взаимодействия прецеденты. Недавно китайская компания YMTC обвинила американского производителя памяти Micron Technology в нарушении восьми своих патентов.

Источник изображения: Micron Technology

Как сообщает Reuters, девятого ноября YMTC подала иск в Федеральный окружной суд Северного округа Калифорнии, обвинив в нарушении прав на использование интеллектуальной собственности Micron Technology и её подразделение по работе с потребительскими продуктами Micron Consumer Product Group. Какие именно технологии Micron, по мнению YMTC, незаконно у неё позаимствовала, не уточняется, но американская компания обвиняется истцом в использовании интеллектуальной собственности YMTC для конкуренции с этой компанией и укрепления своих позиций на рынке.

Представители YMTC в комментариях Reuters подтвердили существование такого иска, заодно пояснив, что он имеет отношение к патентам компании, описывающим технологии разработки, изготовления и функционирования памяти типа 3D NAND. Напомним, что китайская YMTC с лета начала снабжать своих клиентов 232-слойной памятью типа 3D NAND, вплотную приблизившись к технологическим возможностям зарубежных конкурентов, а в показателях плотности хранения информации даже превзойдя их. Представители YMTC выразили надежду, что иск будет рассмотрен органами правосудия США в сжатые сроки.

Напомним, что с мая текущего года продукция Micron Technology, в соответствии с решением китайских властей, не может использоваться на объектах критически важной информационной инфраструктуры КНР. При этом сама компания Micron не отказывается от намерений вложить $603 млн в расширение китайских мощностей по тестированию и упаковке памяти. От выпуска чипов типа DRAM на территории КНР она отказалась в прошлом году, хотя до этого китайский рынок обеспечивал до половины всей выручки Micron. В прошлом году эта доля не превысила 16 %. В 2018 году Micron обвинила в хищении своей интеллектуальной собственности китайскую компанию Fujian Jinhua, так что взаимоотношения с местными производителями у неё уже давно не самые благоприятные.

Преобладание негативных тенденций в финансовой отчётности Samsung, сильно зависящей от состояния рынка памяти, не помешало инвесторам найти поводы для оптимизма. По крайней мере, операционная прибыль компании в прошлом квартале превзошла ожидания аналитиков, в два раза они ошиблись и с прогнозом по степени снижения чистой прибыли.

Источник изображения: Samsung Electronics

Как поясняет Bloomberg, аналитики в среднем ожидали получения компанией Samsung Electronics чистой прибыли в $1,86 млрд по итогам минувшего квартала, но фактически она достигла $4,1 млрд, хотя при этом и снизилась на 40 % в годовом сравнении. В прошлом квартале чистая прибыль компании сокращалась на 86 %, поэтому снижение темпов падения показателя можно считать определённым успехом.

Операционная прибыль сократилась за год на 77,6 % до $1,8 млрд, но всё равно оказалась выше ожиданий рынка. Зато в последовательном сравнении операционная прибыль компании выросла на 262,6 %. Совокупная выручка Samsung в прошлом квартале приблизилась к $50 млрд, лишь чуть-чуть не оправдав прогнозов аналитиков. В годовом сравнении выручка компании упала на 12,2 %. Собственные прогнозы по выручке и операционной прибыли, которые были названы в текущем месяце, Samsung Electronics даже слегка превзошла.

В текущем квартале уверенности Samsung в дальнейшем улучшении ситуации на рынке памяти добавляют стабилизация спроса и снижение темпов инфляции, а также выход новых продуктов в исполнении её клиентов, особенно в сегменте ПК и смартфонов. Помимо выхода новинок, спрос на память в этом квартале должны подогревать системы искусственного интеллекта.

Располагая самыми крупными производственными мощностями в мире, Samsung рассчитывает заработать на увеличении объёмов выпуска памяти типа HBM3 и HBM3E, которая сейчас востребована в сегменте систем искусственного интеллекта. По прогнозам сторонних аналитиков, в текущем квартале Samsung всё же будет допущена к поставкам памяти типа HBM3 для нужд компании NVIDIA, тогда как до этого потребности последней тщетно пыталась удовлетворить лишь SK hynix. С середины следующего года, по некоторым оценкам, Samsung начнёт снабжать памятью типа HBM3P ускорители вычислений следующего поколения. В четвёртом квартале, как ожидает Samsung, цены на память будут расти, а спрос на неё будет восстанавливаться ещё быстрее, чем в предыдущем. По мнению руководства корейской компании, отрасль достигла дна, и спрос на память начинает восстанавливаться в сегменте ПК и смартфонов. При этом в текущем году придётся и дальше сокращать объёмы выпуска памяти, но это в большей степени относится к микросхемам типа NAND. Помимо HBM3, компания будет увеличивать объёмы производства памяти типа DDR5.

На полупроводниковом направлении Samsung последовательно сократила операционные убытки с 3,26 до 2,8 млрд долларов. Начало выпуска смартфонов Apple iPhone 15, как предполагается, существенно увеличило доходы Samsung в сегменте панелей для экранов мобильных устройств.

Прибыль Samsung от реализации мобильных устройств выросла до $2,4 млрд, но по сравнению с прошлым годом изменилась незначительно. Особой популярностью пользовались флагманские модели серии Galaxy S23 и складные смартфоны марки. В мобильном сегменте спрос должен стабилизироваться в следующем году, по прогнозам руководства Samsung, объёмы поставок вырастут на двузначное количество процентов.

В текущем году Samsung увеличит капитальные расходы незначительно, до $39,7 млрд, но и эта сумма будет для компании рекордной. Из них примерно $35,1 млрд будут предназначены полупроводниковому сектору бизнеса. Приоритет будет отдан наращиванию производства микросхем памяти с высокой плотностью типа той же HBM3. В следующем году профильные производственные мощности планируется увеличить в два с половиной раза, как минимум. Представители Samsung на отчётном мероприятии выразили надежду, что NVIDIA не будет в дальнейшем полагаться на единственного поставщика памяти типа HBM3, коим остаётся конкурирующая SK hynix. После публикации отчётности акции Samsung начали было расти в цене, но потом упали на 0,3 %.

Президент и глава подразделения памяти Samsung Electronics Юнг-Бэ Ли (Jung-Bae Lee) сообщил в своём блоге, что в начале 2024 года компания начнёт массовое производство памяти 3D NAND 9-го поколения с более чем 300 слоями. Это позволяет ожидать появления до конца 2024 года новых и более ёмких SSD Samsung, плотность записи у которых будет оставаться самой высокой в отрасли.

Источник изображения: Samsung

Интересно отметить, что первой о намерении преодолеть рубеж в 300 слоёв в составе памяти 3D NAND сообщила компания SK Hynix. В августе этого года на мероприятии Flash Memory Summit (FMS) 2023 она показала образец 321-слойной 3D NAND. Компания Samsung не раскрывает детали о своей разработке, но обещает, что это будет самая многослойная память в индустрии. Она даже может быть с меньшим чему у SK Hynix количеством слоёв, ведь свою передовую память конкурент Samsung начнёт выпускать лишь к середине 2025 года.

Ещё одним различием 300-слойной памяти Samsung и SK Hynix станет их компоновка. Если SK Hynix намерена выпускать 321-слойные чипы в виде стека из трёх установленных друг на друга блоков, то Samsung обещает запустить в производство двухстековые структуры. Каждый из блоков изготавливается на кремниевой подложке в собственном цикле и после порезки из них монтируются готовые чипы в виде стековых конструкций. Очевидно, что двухстековые структуры Samsung будут проще, надёжнее и, возможно, дешевле трёхстековых структур SK Hynix. Но есть нюанс: в каждом блоке памяти Samsung будет больше слоёв, что делает их сложнее и дороже в изготовлении.

Также глава подразделения памяти Samsung сообщил, что специалисты компании работают над повышением производительности будущей памяти, а не только над увеличением её ёмкости. Прогресс не стоит на месте, и в совокупности с новым интерфейсом PCIe 5.0 мы можем достаточно скоро увидеть в продаже более совершенные SSD Samsung.

В этом году на снижение объёмов выпуска памяти типа NAND решилась даже лидирующая на рынке компания Samsung Electronics, хотя на фоне конкурентов она в этом смысле держалась дольше всех. Невольная консолидация участников рынка в таком решении принесла свои плоды и, как отмечает TrendForce, в четвёртом квартале контрактные цены на твердотельную память в целом вырастут на 8–13 %.

Источник изображения: Samsung Electronics

Дальнейшая динамика цен, по мнению экспертов, будет зависеть от наличия спроса на твердотельные накопители в серверном сегменте. Если он проявит себя на фоне интереса корпоративных клиентов к теме искусственного интеллекта, то цены на твердотельную память в следующем году продолжат расти.

В потребительском сегменте на рынке SSD, как считают аналитики TrendForce, контрактные цены на накопители вырастут в четвёртом квартале на те же самые 8–13 %. Что характерно, цены будут расти как на изделия начального уровня, так и на дорогие. Накопленные складские запасы продукции, по сути, оставляют мало запаса для дальнейшего снижения цен на клиентские SSD. Производители ПК создали запас накопителей, превышающий реальную потребность конечного рынка, и пока рост цен возможен лишь в отдельных нишах.

Источник изображения: TrendForce

Непосредственно в серверном сегменте, как поясняет TrendForce, спрос начал расти уже во втором полугодии, хотя крупные облачные провайдеры в США всё ещё располагают существенными запасами накопителей данных. В Китае спрос тоже начал расти, поскольку уровень складских запасов среди местных облачных провайдеров снизился до разумных значений. К тому же близость сезона осенних распродаж заставляет китайских интернет-гигантов заблаговременно вкладываться в модернизацию технической инфраструктуры. В целом в четвёртом квартале провайдеры должны вернуться к закупкам серверных накопителей в достаточно крупных количествах. Контрактные цены на SSD в серверном сегменте в четвёртом квартале вырастут на 5–10 %, по мнению представителей TrendForce.

В сегменте eMMC, ориентированном на встраиваемые решения, контрактные цены на твердотельные накопители в текущем квартале вырастут на 10–15 %, поскольку здесь и складские запасы ниже, и объёмы производства ниже, поэтому для продавцов складываются более благоприятные условия. На рынке карт памяти (UFS) рост контрактных цен в четвёртом квартале тоже достигнет 10–15 %, поскольку участники рынка в большинстве своём уже исчерпали дальнейшие возможности для снижения цен. Контрактные цены на кремниевые пластины для выпуска памяти типа 3D NAND вырастут в текущем квартале на 13–18 %, поскольку предшествующие снижения объёмов поставок создали для этого необходимые условия.

С 2014 года компания Samsung Electronics развивает свою производственную площадку в китайском городе Сиань, и в настоящее время она обеспечивает до 40 % объёмов выпуска микросхем памяти типа 3D NAND этой марки, но лишь в 128-слойном исполнении. Послабления в сфере экспортного контроля США позволят Samsung в следующем году наладить в Китае выпуск более современных 236-слойных микросхем.

Источник изображения: Samsung Electronics

Перед этим компании предстоит до конца текущего года поставить на предприятие в Сиане необходимое для производства такой памяти технологическое оборудование, и в данном контексте снятие экспортных ограничений со стороны США на бессрочной основе пришлось весьма кстати, хотя подобными послаблениями компания уже пользовалась с октября прошлого года, но первично только в рамках двенадцатимесячного периода. Теперь же в политике властей США появилось больше ясности, и Samsung может приступить к программе модернизации своей китайской производственной площадки, которая является крупнейшей в мире по выпуску памяти типа 3D NAND.

Выпуск 128-слойной памяти в дальнейшем будет не так выгоден, и возникший на рынке избыток микросхем этого поколения Samsung сейчас может использовать для модернизации предприятия в Китае без ущерба для объёмов поставок. Тем более, что сам по себе переход от выпуска памяти шестого поколения (128 слоёв) к восьмому (236 слоёв) снижает производительность предприятия примерно на 30 % из-за возросшей продолжительности производственного цикла. В любом случае, из-за перепроизводства памяти китайское предприятие Samsung сейчас всё равно загружено примерно на 20 % от своих номинальных возможностей.

Переход на выпуск более современной 236-слойной памяти позволит Samsung в конечном итоге снизить себестоимость продукции и сохранить конкурентоспособность бизнеса в глобальных масштабах. Компания является крупнейшим производителем памяти в мире, для неё важно своевременно проводить модернизацию предприятий для поддержания этого статуса, и текущие правила экспортного контроля США ей в этом не препятствуют.

Для производства памяти типа 3D NAND, подразумевающей использование пространственной компоновки с вертикальными соединениями между слоями в чипах, требуется специальное оборудование, и до сих пор рынок полностью контролировала американская компания Lam Research. Японской Tokyo Electron удалось разработать более производительный метод выпуска таких микросхем, который позволит увеличить количество слоёв памяти до 400 штук.

Источник изображения: Tokyo Electron

Как поясняет Nikkei Asian Review, в июне этого года компания Tokyo Electron представила свой метод травления отверстий для формирования вертикальных межсоединений в чипах памяти 3D NAND. Выпуск специализированного оборудования позволит Tokyo Electron бросить вызов американской Lam Research, а её клиентам предоставит возможность повысить производительность линий по выпуску памяти данного типа. По крайней мере, новый подход к травлению отверстий позволяет повысить производительность в два с половиной раза по сравнению с существующим.

Более того, разработанная японской компанией технология оказывает меньше пагубного воздействия на окружающую среду. По прогнозам Tokyo Electron, через два или три года клиенты компании смогут начать выпуск памяти типа 3D NAND с 400 слоями. Сегмент оборудования для травления отверстий в слоях микросхем 3D NAND сейчас является крупнейшим на рынке оборудования для травления кремниевых пластин. По прогнозам японского поставщика, ёмкость этого сегмента к 2027 году увеличится в четыре раза до $2 млрд по сравнению с текущим годом.

В прошлом фискальном году Tokyo Electron продала оборудования для травления на сумму не более $3,9 млрд, что соответствует примерно четверти её совокупной выручки. С помощью новой технологии компания рассчитывает как минимум удвоить профильную выручку. На рынке систем травления в полупроводниковой отрасли, чьи обороты в прошлом году достигли $20 млрд, компания Tokyo Electron довольствовалась вторым местом и долей в 25 %, тогда как лидером оставалась американская Lam Research, контролирующая половину сегмента. За последние пять лет Tokyo Electron на 77 % увеличила расходы на исследования и разработки, поэтому создание новой технологии травления отверстий в чипах 3D NAND стало закономерным итогом такой инвестиционной политики. В этом году компания рассчитывает потратить на исследования и разработки рекордные $1,34 млрд, даже несмотря на ожидаемое снижение прибыли. Компания уже использует искусственный интеллект для разработки новых материалов, применяемых в производстве. К 2025 году производители памяти начнут активно вкладываться в модернизацию своих предприятий, и Tokyo Electron на этом этапе получить возможность укрепить свои рыночные позиции.

Сентябрь для рынка флеш-памяти стал переломным моментом, поскольку впервые с начала года по итогам данного месяца объёмы экспорта микросхем типа NAND из Южной Кореи выросли на 5,6 % в годовом сравнении, тогда как в предыдущие месяцы этого года они снижались. В этой стране работают два крупнейших производителя памяти, поэтому такой отскок внушает надежду на преодоление дна всей отраслью.

Источник изображения: Samsung Electronics

Об этом позволяет судить отчёт Министерства торговли Южной Кореи, как поясняет Bloomberg. По итогам августа экспорт микросхем типа NAND из этой страны сократился в годовом сравнении на 8,9 %, поэтому сентябрьский рост позволяет рассчитывать на перелом тренда. В то же время, поставки памяти типа DRAM из Южной Кореи в сентябре снизились на 24,6 % по сравнению с аналогичным месяцем прошлого года, но это всё равно было ниже августовского снижения на 35,2 %.

В географическом выражении поставки полупроводниковой продукции из Южной Кореи сильнее всего в сентябре увеличились на европейском направлении (56,5 %), тогда как в США и Китай было поставлено меньше полупроводниковых изделий, чем годом ранее, на 30,5 и 22,7 % соответственно. Компании Samsung Electronics и SK hynix значительную часть своей продукции производят на территории Китая, поэтому полученные недавно льготы в части поставок оборудования на местные предприятия позволяют им рассчитывать на стабильную работу в условиях ужесточения санкций США против КНР.