Во флагманских смартфонах Huawei Mate 70 нашли память SK hynix, которой там быть не должно

Канадские эксперты TechInsights продолжают анализировать компонентную базу представленных осенью уходящего года смартфонов Huawei семейства Mate 70, их очередным открытием стало обнаружение микросхем DRAM и NAND производства SK hynix в составе Mate 70 Pro и Mate 70 Pro Plus, хотя американские санкции теоретически должны были ограничить доступ китайского гиганта к таким чипам памяти.

Источник изображения: Huawei Technologies

Во всяком случае, как сообщает South China Morning Post, внутри смартфона Mate 70 Pro исследователи обнаружили микросхему DRAM производства SK hynix объёмом 12 Гбайт, а также чип флеш-памяти NAND объёмом 512 Гбайт той же марки. В составе более дорогого смартфона Mate 70 Pro Plus аналогичный чип флеш-памяти сочетался с 16-гигабайтной микросхемой DRAM производства SK hynix.

Как поясняют авторы исследования, южнокорейская компания использовала 14-нм техпроцесс в сочетании с EUV-литографией при выпуске обеих микросхем DRAM. Принято считать, что подобную память SK hynix начала поставлять во второй половине 2021 года, девять месяцев спустя после вступления в силу экспортных ограничений США в отношении Huawei Technologies. В компании SK hynix факт сотрудничества с Huawei в указанный период всячески отрицают, но представители TechInsights при этом подчёркивают, что основная часть выпущенных Huawei в прошлом году флагманских смартфонов использовала именно чипы памяти SK hynix. В моделях попроще уже применяется память китайского производства: DRAM поставляет CXMT, а NAND выпускает YMTC. В силу каких-то причин Huawei до сих пор предпочитает комплектовать свои старшие модели смартфонов памятью производства SK hynix.