Google планирует повысить производительность устройство под управлением Android, обеспечив им поддержку страниц памяти размером 16 Кбайт. Сейчас это нововведение активно тестируется.

Источник изображений: android-developers.googleblog.com

«В большинстве процессоров есть выделенный аппаратный модуль, называемый блоком управления памятью (MMU) и преобразующий адреса из используемых программой в физическое расположение в памяти. Преобразование исходит из размера страницы. Каждый раз, когда программе требуется больше памяти, операционной системе приходится вмешиваться и производить запись в „таблице страниц“, назначая этот фрагмент памяти процессу. То есть система может тратить больше времени на то, чтобы видео смотрелись отлично, игры работали хорошо, а приложения — плавно, и меньше времени на заполнение низкоуровневых документов операционной системы», — пояснили в Google.

Сейчас Android «создана и оптимизирована для работы с размером страницы 4 Кбайт». В Google подсчитали, что переход на более крупный размер страниц обещает «общий рост производительности на 5–10 %», но при этом общий расход памяти вырастет примерно на 9 %. В частности, если ресурсы памяти ограничены, время запуска приложений в среднем сокращается на 3,16 %, а в некоторых случаях и на 30 %; потребление энергии во время запуска при запуске приложения в среднем уменьшается на 4,56 %; «горячий» запуск камеры ускоряется в среднем на 4,48 %, «холодный» — на 6,60 %; время загрузки системы сокращается в среднем на 1,5 % или на 0,8 с, гласят подсчёты Google.

В Android 15 компания перестроила ОС «с нуля для поддержки работы с различными размерами страниц, что сделало её безразличной к размеру страницы». Разработчикам приходится перекомпилировать приложения для поддержки устройств с размером страницы 16 Кбайт, и теперь «один и тот же двоичный файл приложения может работать на устройствах со страницами памяти как 4, так и 16 Кбайт». Развёртывание нововведения может начаться с Android 15 QPR1 Beta 1 на Pixel 8 и 8 Pro. Доступная разработчикам опция «Загрузка с размером страницы 16 Кбайт» потребует разблокировки загрузчика и очистки устройства, поэтому рядовым пользователям она не подойдёт. Сейчас Google сотрудничает с «партнёрами по SoC и OEM, чтобы вскоре включить эту опцию на новых устройствах», но пока основной рабочий вариант — эмулятор x86_64.

Для рядовых пользователей компания пообещала развернуть нововведение в «ближайшем будущем», хотя на текущий момент «нет ни доступных, ни ожидаемых Android-устройств к выпуску Android 15, которые поддерживают размер страницы 16 Кбайт». Предполагается, что на практике переход будет производиться по мере увеличения объёмов оперативной памяти на конечных устройствах.

Изначально стандарт CAMM продвигался компанией Dell, чтобы заменить модули SO-DIMM для ноутбуков, но в своём втором поколении такая память готовится прописаться и в настольных системах, что и доказала MSI в своей недавней трансляции. Представители тайваньской марки показали прототипы модулей памяти типа CAMM2 для настольных систем.

Источник изображений: MSI, ExtremeTech

Использование модулей CAMM2 в настольной системе (на фото слева) вынуждает производителя серьёзно переработать компоновку материнской платы. Особенность CAMM2 заключается в том, что такой модуль памяти устанавливается «плашмя» на материнскую плату, и ему нужно чуть больше пространства на её поверхности, чем паре модулей DIMM. Зато единственный модуль CAMM2 обеспечивает работу памяти в двухканальном режиме, и с этой точки зрения наблюдается некоторая экономия. Для установки CAMM2 на материнскую плату необходимо воспользоваться отвёрткой, поскольку он прикручивается к ней винтами через резьбовые стойки.

При желании модули памяти CAMM2 можно оснастить теплораспределителем, и даже снабдить его регулируемой подсветкой, но для этого придётся тянуть к памяти отдельный кабель. Такой вариант расположения модуля памяти в какой-то мере улучшает условия циркуляции воздуха в районе процессорного разъёма, но вот крупный 24-контактный разъём питания материнской платы из-за него приходится переносить в другое место. MSI расположила его над процессорным разъёмом, в «северной» части материнской платы. Представители MSI также подчеркнули, что модули CAMM2 устраняют недостаток модулей DIMM, который с ростом ёмкости теряли в номинальной производительности. Модули CAMM2 дешевле в производстве и обеспечивают более высокое быстродействие. Правда, это справедливо лишь для условий массового выпуска, а пока настольные CAMM2 будут оставаться дефицитным товаром, на низкие цены рассчитывать не придётся. Такая память может прописаться в настольных системах к концу года, когда производители предложат материнские платы очередного поколения.

Компания G.Skill анонсировала выпуск модулей оперативной памяти серий Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal со скоростью 6400 МТ/с и низкими таймингами CL30-39-39-102. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2x16) Гбайт.

Источник изображений: G.Skill

Для представленных модулей ОЗУ производитель заявляет поддержку профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Планки памяти Trident Z5 RGB оснащаются белыми и чёрно-белыми радиаторами охлаждения с RGB-подсветкой.

Более премиальные модули памяти Trident Z5 Royal оснащены зеркальными радиаторами серебристого и золотого цветов, также имеющими RGB-подсветку.

Для всех представленных модулей ОЗУ Trident Z5 RGB и Trident Z5 Royal DDR5-6400 CL30-39-39-102 заявляется рабочее напряжение в 1,40 В.

Производитель не сообщил стоимость новинок, но отметил, что в продаже они появятся в этом месяце.

Компания Klevv представила модули оперативной памяти CRAS V RGB ROG Certified DDR5, сертифицированные Asus ROG и поддерживающие профиль разгона DDR5-7400. Новинки будут предлагаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт.

Источник изображений: Klevv

Базовая скорость модулей ОЗУ Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 составляет 7200 МТ/с. Они работают с таймингами CL34-44-44-84. При установке в материнские платы Asus ROG указанные модули ОЗУ смогут работать на скорости 7400 МТ/с с таймингами CL36-46-46-86. Рабочее напряжение новинок составляет 1.4 В. Они поддерживают профили разгона Intel XPM 3.0 и AMD EXPO.

Модули оперативной памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 имеют размеры 133.3 × 44 × 8 мм. Они оснащены радиаторами охлаждения с толщиной 2 мм, которые быстро рассеивают тепло от нагревающихся элементов планок ОЗУ. Также новинки имеют ARGB-подсветку с поддержкой самых популярных приложений для управления RGB-подсветкой, включая Asus Aura Sync, Gigabyte RGB Fusion 2.0, MSI Mystic Light и ASRock Polychrome Sync.

На модули памяти Klevv CRAS V RGB ROG Certified DDR5 предоставляется пожизненная гарантия производителя. Стоимость новинок не сообщается. В продаже они появятся в этом месяце.

Компания Samsung объявила о запуске массового производства самых тонких в мире модулей памяти LPDDR5X ёмкостью 12 и 16 Гбайт. Их толщина составляет около 0,65 мм, что на 0,06 мм меньше стандартных решений. Новинки найдут применение в производительных мобильных устройствах, ориентированных на работу с ИИ.

Источник изображений: news.samsung.com

Этого результата удалось достичь за счёт формирования 4-слойных модулей на оптимизированной печатной плате с обработкой на обратной стороне пластины и применения эпоксидного формовочного компаунда (EMC). Благодаря этому улучшается циркуляция воздуха внутри смартфона и оптимизируется управление температурой на устройстве в целом — это важно для высокопроизводительных моделей. Новые 0,65-мм модули памяти LPDDR5X на 9 % тоньше аналогичных, а их термостойкость выше на 21,2 %, подсчитала Samsung.

Трудно сказать, какой вклад в снижение толщины смартфонов окажет память толщиной 0,65 вместо традиционных 0,71 мм. Производители гаджетов используют разные подходы для того, чтобы сделать их тоньше, и, очевидно, они готовы приветствовать оптимизацию любых компонентов: более тонкие защитные стекла, печатные платы и, конечно, аккумуляторы. В случае с новыми модулями памяти от Samsung выигрыш, вероятно будет выражаться не в геометрии устройства, а в улучшенной циркуляции воздуха, что благотворно скажется на его производительности.

Samsung намерена и далее совершенствовать компоненты LPDDR5X. На очереди 6-слойные модули ёмкостью 24 Гбайт и 8-слойные на 36 Гбайт, хотя значение их толщины компания пока не указала.

Данные берутся из публикации Ускоряем Ryzen 7 7800X3D двухранговыми модулями Acer Predator Hermes RGB DDR5-6400 2×32 Гбайт

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

Компания Micron представила 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND девятого поколения (Micron G9 NAND), а также серию твердотельных накопителей Micron 2650 стандарта PCIe 4.0 на их основе. Последние будут выпускаться в форматах M.2 2230, 2242 и 2280, предлагая объёмы 256 и 512 Гбайт, а также 1 Тбайт.

Источник изображений: Micron

По словам Micron, запросы её клиентов стали основной причиной разработки новых чипов флеш-памяти. Цель состояла в том, чтобы создать 1-Тбит кристалл, который поместится в упаковку BGA размером 11,5 × 13,5 мм, при этом будет обладать пропускной способностью 3,6 Гбит/с и иметь на 44 % более высокую битовую плотностью по сравнению с её решениями предыдущих поколений.

Источник изображения: Blocks and Files

Micron заявляет, что новые накопители на базе её 276-слойных чипов флеш-памяти со скоростью 3,6 Гбит/с на канал обеспечивают лучшую производительность в классе. Micron G9 NAND обладает до 99 % более высокой пропускной способностью записи и на 88 % более высокой пропускной способностью чтения на кристалл, чем доступные в настоящее время конкурирующие решения NAND от SK hynix, Solidigm, Kioxia, Western Digital и Samsung. Кроме того, плотность Micron G9 NAND до 73 % выше, а их размер на 28 % меньше, чем решения конкурентов.

Для накопителя Micron 2650 объёмом 256 Гбайт компания заявляет скорость последовательного чтения на уровне 5000 Мбайт/с и последовательной записи в 2500 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 370 тыс. и 500 IOPS. Для модели объёмом 512 Гбайт указываются скорости последовательного чтения и записи на уровне 7000 и 4800 Мбайт/с и производительность в случайных операциях чтения и записи на уровне 740 тыс. и 1 млн IOPS. Для версии SSD объёмом 1 Тбайт заявлены скорости последовательного чтения и записи соответственно на уровне 7000 и 6000 Мбайт/с, а также производительность в операциях случайного чтения и записи на уровне 1 млн IOPS.

По словам Micron, её новинки обеспечивают до 38 % более высокую производительность в тесте PCMark 10, в среднем на 36 % более высокую пропускную способность и на 40 % быстрее обращаются к данным.

Компания отмечает, что новые чипы 276-слойные чипы флеш-памяти 3D TLC NAND уже доступны в накопителях Micron 2650 для OEM-партнёров, а также проходят тестирование для потребительских SSD и продуктов её собственного бренда Crucial.

Компания G.Skill представила двухканальные комплекты высокоскоростных модулей оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками. Новинки выделяются поддержкой профилей разгона AMD EXPO, которые упрощают повышение частоты оперативной памяти в системах с процессорами AMD Ryzen.

Источник изображений: G.Skill

Производитель анонсировал комплекты оперативной памяти DDR5-6000 общим объёмом 32 Гбайт, 48 Гбайт, 64 Гбайт и 96 Гбайт, каждый из которых состоит из пары модулей соответственно объёмом 16, 24, 32 и 48 Гбайт. Все они обладают таймингами CL28-36-36-96 и полностью совместимы с платформой AMD Socket AM5. К сожалению, на момент публикации данной заметки производитель не указал напряжение, при котором работают новые комплекты оперативной памяти.

Модули памяти Trident Z5 Royal Neo оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов.

Стоимость новинок компания не сообщила. В продаже двухканальные комплекты высокоскоростной оперативной памяти Trident Z5 Royal Neo с низкими задержками появятся в августе.

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, глобальная выручка от продаж компьютерной памяти DRAM и NAND в 2024 году вырастут на 75 % и 77 % соответственно. Этот рост будет обусловлен несколькими факторами, включая увеличение спроса и популярности высокопроизводительной памяти HBM.

Источник изображения: Micron

Кроме того, ожидается, что продажи в этих сферах будут продолжать расти и в 2025 году. При этом DRAM вырастет на 51 %, а NAND — на 29 %, достигнув рекордных показателей. Рост будут стимулировать увеличение капитальных расходов и повышенный спрос на первичные сырьевые материалы для Upstream-производства, такие как кремниевые пластины и химические вещества, одновременно увеличив ценовое давление на покупателей памяти.

По оценкам TrendForce, благодаря увеличению средних цен на DRAM на 53 % в 2024 году выручка от продаж DRAM достигнет 90,7 млрд долларов США в 2024 году, что на 75 % больше по сравнению с предыдущим годом. В следующем году средняя цена вырастет ещё на 35 %, а выручка достинет 136,5 млрд долларов США, что на 51 % больше по сравнению с 2024 годом. Ожидается также, что в 2024 году на долю HBM придётся 5 % от общего объёма поставок DRAM и 20 % от выручки.

Источник изображения: TrendForce

Кроме того, популярность таких типов памяти, как DDR5 и LPDDR5/5X, также будет способствовать увеличению средней цены на рынке. Ожидается, что к 2025 году доля DDR5 на рынке серверной памяти достигнет 60-65 %, а LPDDR5/5X займёт 60 % рынка мобильных устройств.

В сегменте флеш-памяти NAND рост будет стимулироваться внедрением 3D QLC — технологии, которая позволяет хранить больше данных на одном чипе. По прогнозам, в 2024 году на долю QLC будет приходиться 20 % от общего объёма поставок NAND, а в 2025 году этот показатель должен увеличится. При этом внедрение QLC на смартфонах и серверах станет ключевым фактором роста этого сегмента.

Источник изображения: TrendForce

Ситуация повлияет и на рынок, и на потребителей. Рекордная выручка позволит производителям памяти увеличить инвестиции в исследования и разработки, а также расширить производство. Прогнозируется рост капитальных затрат в индустрии DRAM и NAND на 25 % и 10 % соответственно в 2025 году.

Однако рост цен на память неизбежно приведёт к удорожанию электроники для конечных потребителей. При этом производителям электроники будет сложно переложить все расходы на покупателей, что может привести к снижению прибыли и, не исключено, что к снижению спроса.

Комитет стандартизации полупроводниковой продукции (JEDEC) сегодня раскрыл ключевые подробности о будущих стандартах модулей памяти DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module) и LPDDR6 CAMM (Compression-Attached Memory Module). Ожидается, что новые модули произведут революцию в отрасли благодаря беспрецедентной пропускной способности и объёму памяти.

Источник изображения: Micron

Стандарт JEDEC MRDIMM обеспечивает вдвое большую пиковую пропускную способность по сравнению со стандартной DRAM, позволяя приложениям достигать новых уровней производительности. Он поддерживает те же функции ёмкости, надёжности, доступности и удобства обслуживания, что и JEDEC RDIMM. Пропускная способность памяти возрастёт до 12,8 Гбит/с. Предполагается, что MRDIMM будет поддерживать более двух рангов с использованием стандартных компонентов DIMM DDR5, обеспечивающих совместимость с обычными системами RDIMM.

Модули DDR5 MRDIMM представляют собой инновационную и эффективную конструкцию, позволяющую повысить скорость передачи данных и общую производительность системы. Мультиплексирование позволяет объединять и передавать несколько сигналов данных по одному каналу, эффективно увеличивая полосу пропускания без необходимости дополнительных физических соединений. Другие запланированные функции включают в себя:

• Совместимость платформы с RDIMM для гибкой настройки пропускной способности конечного пользователя.
• Использование стандартных компонентов DIMM DDR5, включая DRAM, форм-фактор и распиновку DIMM, SPD, PMIC и TS для простоты внедрения.
• Эффективное масштабирование ввода-вывода с использованием возможностей логического процесса RCD/DB.
• Использование существующей экосистемы LRDIMM для проектирования и тестирования инфраструктуры.
• Поддержка масштабирования нескольких поколений модулей.

Сообщается о планах по созданию модулей памяти формфактора Tall MRDIMM, который обеспечит более высокую пропускную способность и ёмкость без изменений в упаковке DRAM. Этот более высокий формфактор позволит установить в два раза больше однокристальных корпусов DRAM без необходимости использования корпуса формата 3DS.

В качестве развития стандарта JESD318 CAMM2 разрабатывается стандарт модуля следующего поколения LPDDR6 CAMM, рассчитанный на максимальную скорость более 14,4 ГТ/с. Модуль будет использовать 48-битный канал, состоящий из двух 24-битных подканалов и оснащаться разъёмом, что исключит необходимость распайки на материнской плате. Память LPDDR характеризуется сниженным энергопотреблением по сравнению с обычными модулями ОЗУ и, как правило, применяется в компактных и тонких ноутбуках, а также в смартфонах и планшетах.

Источник изображения: JEDEC

Эти проекты в настоящее время находятся в разработке в Комитете JC-45 JEDEC по модулям DRAM. JEDEC призывает компании присоединиться и помочь сформировать будущее стандартов JEDEC. Членство предоставляет доступ к предварительным публикациям предложений и даёт раннюю информацию об активных проектах. Всего в JEDEC зарегистрировано 332 компании, которые в том или ином виде используют принятые организацией спецификации различных видов оперативной памяти.

Британская компания QuInAs сообщила о получении средств на подготовку к производству нового типа энергонезависимой памяти UltraRAM. Деньги в размере £1,1 млн ($1,42 млн) сроком на один год предоставил государственный инвестиционный фонд страны. Эти средства станут первым серьёзным вкладом в подготовку к производству новой памяти на пластинах большого диаметра. Британская компания станет на шаг ближе к революции в мире хранения и обработки данных.

Строение ячейки памяти UltraRAM. Источник изображения: QuInAs

Память UltraRAM ворвалась в сферу энергонезависимого хранения данных около пяти лет назад. Как и все другие типы инновационной «флеш-памяти» — ReRAM, SST-MRAM, 3D XPoint и прочих — она обещает скорость работы на уровне оперативной памяти DRAM и беспрецедентную устойчивость к перезаписи на фоне способности сотни лет хранить информацию в ячейках без подачи питания. Для Великобритании создание подобной памяти означает вхождение в клуб передовых разработчиков полупроводниковых решений, аналогов которым нет.

Основную научную работу по проектированию UltraRAM провели исследователи из британских университетов Ланкастера и Уорвика. Отцом памяти называют профессора физики Ланкастерского университета Мануса Хейна (Manus Hayne). Зимой 2023 года Хейн создал компанию QuInAs для коммерциализации UltraRAM. В названии компании отражены термины «квантовый» и «арсенид индия». Память UltraRAM работает на эффекте квантового туннелирования электронов через энергетический барьер в ячейку. Барьер создаётся чередованием тонкоплёночных слоёв антимонида галлия (GaSb) и антимонида алюминия (AlSb).

По словам разработчиков, UltraRAM при переключении на единицу площади будет потреблять в 100 раз меньше энергии, чем DRAM, в 1000 раз меньше, чем NAND-флеш и в 10 000 раз меньше, чем «другие типы инновационной памяти». При этом ячейка UltraRAM может быть перезаписана не менее 10 млн раз, а также сможет удерживать информацию 1000 лет.

Прототипы ячеек UltraRAM изобретатели создавали на университетском производстве. Оно ограничено пластинами диаметром 75 мм. Также университетский комплекс не располагает передовыми установками для наращивания слоёв (кристаллов) на пластинах. Поэтому технологию необходимо адаптировать для воспроизведения в заводских условиях. Для этого британский производитель полупроводников — компания IQE — получит большинство из выделяемых компании QuInAs на этот год средств. На эти деньги она сможет подготовиться к производству тонкоплёночных покрытий GaSb и AlSb на 150-мм пластинах.

Первоначально компания QuInAs будет создавать затравки для роста кристаллических слоёв на университетских мощностях. В дальнейшем IQE должна найти возможность выращивать слои на собственном оборудовании. Параллельно в QuInAs будет совершенствовать память UltraRAM и работать над её масштабированием в сторону уменьшения площади ячеек, а также трудиться над переносом производства памяти на 200-мм пластины. Со стороны объём работ представляется огромным и не одну пятилетку. Но путь UltraRAM начался всего лишь пять лет назад с рядовой научной статьи в Nature, а она уже шагнула в сферу производства.

Компания G.Skill представила комплекты модулей оперативной памяти DDR5 Trident Z5 Royal Neo, разработанные специально для платформы AMD Socket AM5. Новинки получили поддержку профилей разгона EXPO (Extended Profiles for Overclocking).

Источник изображений: G.Skill

Производитель выпустит двухканальные комплекты объёмом 32 и 48 Гбайт, состоящие из пар модулей на 16 и 24 Гбайт соответственно. Будут предложены модули со скоростью до 8000 МТ/c и латентностью до CL38-48-48-127.

Как и подобает серии G.Skill Royal, модули памяти оснащены блестящими радиаторами в золотом или серебряном исполнении, а также продвинутой RGB-подсветкой с оформлением в стиле кристаллов.

G.Skill отмечает, что память DDR5 Trident Z5 Royal Neo полностью совместима с новейшими процессорами AMD Ryzen 9000 и работает в режиме DDR5-8000 со схемой делителя частоты 1:2, выставленной в BIOS материнской платы.

В продаже модули памяти G.Skill DDR5 Trident Z5 Royal Neo появятся в августе. Их стоимость компания не сообщила.

Компания Micron представила модули оперативной память DDR5 типа MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), которые предназначены специально для серверных систем на базе процессоров Intel Xeon 6-го поколения (Granite Rapids). Новинки предлагают очень высокую скорость работы.

Источник изображений: Micron

В отличие от обычных серверных модулей памяти RDIMM, новые планки MRDIMM от Micron обладают на 39 % более высокой пропускной способностью, на 15 % более высокой энергоэффективностью и обеспечивают до 40 % более низкую задержку.

Micron выпустит модули MRDIMM объёмом на 32, 64, 96, 128 и 256 Гбайт. Все они будут доступны в виде модулей стандартной высотой, а планки на 128 и 256 Гбайт также будут выпускаться в увеличенном формате TFF высотой 56,9 мм. Все новинки будут работать со скоростью 8800 МТ/с.

Micron отмечает, что её модули ОЗУ DDR5 MRDIMM будут производиться с использованием 16-, 24- и 32-Гбит микросхем памяти DDR5 DRAM, выполненных с применением фирменного и зарекомендовавшего себя техпроцесса 1β. Высокие планки памяти обладают большей площадью поверхности. Как следствие, производитель обещает для них рабочую температуру на 24 % ниже, чем у обычных модулей ОЗУ.

По словам производителя, благодаря повышенной пропускной способности памяти MRDIMM серверные процессоры Intel Xeon следующего поколения получат значительный прирост производительности, что сделает серверы для систем искусственного интеллекта гораздо эффективнее.

В настоящий момент Micron рассылает образцы памяти DDR5 MRDIMM для тестирования заинтересованным клиентам. Начало массовых поставок новой оперативной памяти ожидается во второй половине этого года.

Компания AMD не только раскрыл дату начала продаж Ryzen 9000, но поделилась свежими деталями о грядущих настольных процессорах. Производитель сообщил, что новейшие чипы на архитектуре Zen 5 для платформы Socket AM5 получили поддержку более скоростных модулей оперативной памяти. Кроме того, была представлена новая функция Curve Shaper для более эффективного разгона и даунвольта.

Источник изображений: AMD

Для поддержки новых функций разгона оперативной памяти AMD выпустила свежие библиотеки AGESA, на базе которых производители материнских плат выпустят свежие BIOS для плат с Socket AM5. Платформа с новыми библиотеками AGESA будет поддерживать модули ОЗУ DDR5-8000 и позволит разгонять оперативною память «на лету».

В дополнение к этому новые процессоры Ryzen 9000 изначально поддерживают более скоростную спецификацию JEDEC без разгона — DDR5-5600. Напомним, что Ryzen 7000 без разгона поддерживали память DDR5-5200. Улучшенная поддержка разгона оперативной памяти будет обеспечиваться всеми потребительскими чипсетами платформы AM5. Это означает, что речь идёт не только материнских платах на новых чипсетах AMD 800-й серии.

Процессоры Ryzen 9000 также получили поддержку новой функции Curve Shaper, которая будет доступна в BIOS материнских плат. Curve Shaper, по сути, является улучшенной версией Curve Optimizer, которая поставлялась с серией Ryzen 7000. Новая функция позволяет точно настраивать кривые напряжения в 15 различных частотных и температурных диапазонах — три параметра температуры и пять значений тактовой частоты.

Это должно дать пользователям более детальный контроль над мощностью, напряжением на ядре и частотой, сохраняя при этом стабильность системы. Возможность регулировки различных диапазонов частоты/напряжения позволит пользователям снижать напряжение в стабильных диапазонах и повышать его там, где это необходимо. Заметим, что звучит это несколько сложно, и скорее всего функцию оценят лишь энтузиасты.

По сути, новая функция AMD Curve Shaper позволяет пользователям довести процессоры Ryzen 9000 до предела, сохраняя при этом стабильность, а в придачу обеспечивая более высокую энергоэффективность, ведь получится добиться работы чипа при более низком напряжении на всех диапазонах частот.