Стоимость чипов оперативной памяти типа DDR4 заметно выросла в последнее время, несмотря на высокий уровень запасов и распространение памяти DDR5. Покупатели по-прежнему предпочитают DDR4 более новой DDR5 из-за того, что последняя продаётся по значительно более высокой цене, сообщает TrendForce в последнем отчёте о тенденциях цен на компьютерную память.

По данным аналитиков, средняя спотовая цена на популярные чипы DDR4 1Gx8 2666MT/s выросла на 2,92 % — с $1,918 на прошлой неделе до $1,974 на этой неделе. Поставщики чипов оперативной памяти намерены стабилизировать спотовые цены на продукцию DDR4. Тем не менее, эксперты отмечают, что для определения наметившегося роста необходим дальнейший мониторинг уровня запасов.

Источник изображениq: Trendforce

В то же время, спотовый рынок флеш-памяти NAND остаётся вялым, а цены на различные продукты начали снижаться после того, как цена на 512-гигабитные TLC-чипы в пластинах упала ниже порога в 3 доллара за штуку на прошлой неделе. При этом покупатели осторожно относятся к ценовым запросам, несмотря на замедление снижения спотовых цен, что не оставляет поводов для оптимизма в отношении сделок.

Грядущие процессоры семейства Intel Lunar Lake не будут поддерживать расширение или замену оперативной памяти пользователем. То есть при покупке ноутбука на таком чипе объём памяти лучше выбрать сразу — увеличить её уже не получится, сообщает PCWorld.

Источник изображения: Rubaitul Azad / unsplash.com

Это значительное отступление от привычных правил игры на платформе Intel x86, которая всегда предлагала гибкость. На первый взгляд новый подход, конечно, шокирует, но всё не так плохо, как могло показаться. Многие современные ноутбуки и так лишены возможности апгрейда ОЗУ, так как поставляются с распаянными на материнской плате чипами оперативной памяти. У этого решения есть свои преимущества. Например, маломощная LPDDR5X предлагает повышенную энергоэффективность и продолжительное время работы от аккумулятора, но её необходимо распаять на материнской плате, и как можно ближе к процессору. Такая оперативная память занимает меньше места, что способствует улучшению тепловых характеристик ноутбука, а эффективность охлаждения растёт.

С другой стороны, раньше у пользователей был выбор, и можно было легко найти ноутбук с возможность апгрейда ОЗУ. Но в случае с Lunar Lake таких компьютеров просто не будет существовать, так что придётся либо выбирать иную платформу, либо соглашаться на фиксированный объём оперативной памяти.

Большинство владельцев ноутбуков не вскрывает их и не расширяет оперативную память, даже если такая возможность имеется. Зачастую можно сэкономить, купив на распродаже игровой ноутбук в базовой конфигурации и самостоятельно улучшив его технические характеристики; возможность апгрейда также является важной особенностью моделей бизнес-класса. Но большинство пользователей этой возможностью всё же не пользуется. Intel решила изменить правила игры в Lunar Lake, потому что эта платформа является прямым конкурентом чипам Qualcomm Snapdragon X Elite и предназначается для энергоэффективных устройств.

Производитель решил разместить память непосредственно на чипе — этот шаг, по оценкам самой Intel, поможет ей сократить энергопотребление на 40 %. К счастью, революции на платформе x86 не ожидается — процессоры будущих семейств снова смогут работать с расширяемой оперативной памятью. «Мы предложим эти варианты в будущем», — пообещал старший вице-президент Intel Джим Джонсон (Jim Johnson), подчеркнув, что «следующий этап дорожных карт предложит более традиционные варианты».

Пока же придётся подготовиться к одной вероятной проблеме: конфигурации Lunar Lake предложат ноутбуки только с 16 или 32 Гбайт оперативной памяти. И пользователи, которым нужно больше, ничего поделать с этим не смогут — придётся дождаться процессоров последующих поколений. Если чипы Lunar Lake предназначаются для ориентированных на энергоэффективность устройств, то у грядущих Arrow Lake и Panther Lake будут другие приоритеты. Возможно, компромиссным решением станет новый стандарт CAMM2, который предлагает более компактные и энергоэффективные модули памяти, чем распространённые сегодня SO-DIMM.

Производители твердотельной памяти увеличивают плотность хранения информации как за счёт увеличения количества бит на одну ячейку, так и за счёт увеличения количества слоёв в микросхеме. Kioxia в этом отношении продвинулась до 218 слоёв, начав массовое производство соответствующей памяти 3D NAND на своём предприятии в Японии в этом месяце.

Источник изображения: Kioxia

Данную новость опубликовало агентство Nikkei, сообщив о способности Kioxia тем самым увеличить ёмкость микросхем памяти примерно на 50 % и снизить энергопотребление на 30 % по сравнению с существующей продукцией этой марки. Этот же источник сообщает, что помимо спроса со стороны систем искусственного интеллекта, общее оживление рынка твердотельной памяти привело к тому, что в июне степень загрузки предприятий Kioxia вернулась к 100 %. До этого с октября 2022 года компании приходилось планомерно снижать объёмы выпуска памяти из-за перенасыщения рынка, и самые значительные сокращения достигали 30 %.

Компания Kioxia, унаследовавшая бизнес по производству твердотельной памяти от Toshiba Memory Corporation, до конца октября рассчитывает выйти на фондовый рынок. Именно восстановление спроса на 3D NAND подтолкнуло Kioxia к более активным действиям на этом направлении, поскольку благоприятная ситуация на рынке памяти должна привлечь к акциям компании большее количество инвесторов. Впрочем, если в указанные сроки компании не удастся провести IPO, оно может быть отложено до декабря текущего года.

К 2027 году Kioxia рассчитывает увеличить количество слоёв памяти до 1000 штук, но некоторые участники рынка считают, что подобные темпы экспансии не будут экономически себя оправдывать. Недавно компания также объявила о начале поставок микросхем 3D QLC NAND, построенных на кристаллах BiCS восьмого поколения ёмкостью 2 терабита. Одна микросхема такой памяти может хранить до 4 Тбайт информации.

Kioxia объявила о начале поставок образцов чипов памяти 3D QLC NAND, построенных на 2-терабитных кристаллах BiCS 8-го поколения. Производитель уверяет, что эти кристаллы предлагают самую высокую ёмкость в отрасли, способствуя росту в различных прикладных сегментах, включая ИИ.

Источник изображения: kioxia.com

Технология BiCS, так в Kioxia называют чипы 3D NAND, помогла Kioxia добиться вертикального и горизонтального масштабирования кристаллов памяти, подчеркнул производитель. Также в новинках использовано решение CBA (CMOS direct Bonded to Array), которое помогло поднять скорость интерфейса до 3,6 Гбит/с.

Представленные микросхемы на 2-Тбит кристаллах с четырёхбитовыми ячейками (QLC) предлагает плотность хранения информации в 2,3 раза выше, а эффективность записи — на 70 % выше по сравнению с актуальными компонентами пятого поколения от Kioxia. Образец микросхемы имеет габариты 11,5 × 13,5 × 1,5 мм — в её корпусе уместились 16 кристаллов, обеспечив суммарную ёмкость в 4 Тбайт.

В дополнение к памяти QLC на кристаллах объёмом 2 Тбит Kioxia представила обновлённый вариант QLC-кристаллов на 1 Тбит: по сравнению с первым, который «оптимизирован по ёмкости», второй «оптимизирован по скорости» — он предлагает увеличенную на 30 % скорость последовательной записи и сниженную на 15 % задержку при чтении. Обновлённые кристаллы QLC на 1 Тбит будут использоваться в высокопроизводительной продукции, включая потребительские SSD и накопители для мобильных устройств.

Компания Micron заявила, что переход на новую видеопамять GDDR7 обеспечит 30-процентную прибавку производительности в играх как с растровой графикой, так и с трассировкой лучей по сравнению с памятью поколения GDDR6 (включая GDDR6X).

Источник изображений: Micron

Производитель, в частности, отметил, что столь значительная прибавка в производительности ожидается от будущих чипов памяти GDDR7 со скоростью 32 Гбит/с на контакт. Это на 12 Гбит/с быстрее обычной GDDR6, обеспечивающей скорость на уровне 20 Гбит/с. Micron не поделилась информацией о том, какие тесты были проведены для определения прибавки производительности в 30 %. Тем не менее, заявленные цифры впечатляют, особенно если принять на веру то, что рост достигается только за счёт памяти.

Micron сообщает, что GDDR7 обладает на 60 % более высоким показателем пропускной способности по сравнению с GDDR6, а также она на 50 % энергоэффективнее памяти предыдущего поколения. Также новая память обладает на 20 % более низкими задержками, что должно помочь в таких чувствительных к отзывчивости памяти задачах, как машинное обучение и ИИ-генерация изображений.

По словам Micron, тестовая платформа с 12 чипами GDDR7, подключенными по 384-битной шине, демонстрирует пропускную способность более 1,5 Тбайт/с. Для сравнения, видеокарта GeForce RTX 4090 с микросхемами GDDR6X со скоростью 21 Гбит/с на контакт предлагает пропускную способность на уровне 1,08 Тбайт/с.

Производство памяти GDDR7 начнётся с микросхем со скоростью передачи данных 28 и 32 ГТ/с. Однако в будущих планах ведущих производителей памяти (Micron, Samsung и SK hynix) уже значатся разработка и выпуск ещё более скоростных чипов с показателем до 40 ГТ/с.

Согласно слухам и утечкам, Nvidia станет первой компанией, которая перейдёт на использование памяти GDDR7. AMD, как ожидается, продолжит использовать память GDDR6 в своих будущих видеокартах и, возможно, не будет менять стандарт вплоть до выпуска условных Radeon RX 9000. Что касается Intel, то компания может либо перейти к использованию GDDR7 в своих будущих дискретных видеокартах нового поколения (Battlemage), либо продолжит использовать GDDR6 и подождёт с переходом на GDDR7 до выхода третьего поколения видеокарт Arc на архитектуре Celestial.

Аналитики TrendForce считают, что в третьем квартале цены на флеш-память NAND будут расти медленнее, чем ожидалось ранее. Это связано с тем, что производители активно наращивают производство, а спрос на рынке потребительской электроники остаётся слабым.

Источник изображения: Copilot

Согласно последнему отчёту аналитической компании TrendForce, корпоративный сектор продолжает инвестировать в серверную инфраструктуру, особенно на фоне растущего внедрения искусственного интеллекта (ИИ), что стимулирует спрос на корпоративные SSD. Однако рынок потребительской электроники остаётся вялым. Это, в сочетании с агрессивным наращиванием производства флеш-память поставщиками во второй половине года, с одной стороны может привести к увеличению коэффициента достаточности (CAR) на продукты NAND — до 2,3 % в третьем квартале, с другой стороны ограничит рост цен на 5-10 %.

Несмотря на то, что в этом году цены на флеш-память NAND показали заметное восстановление, поскольку производители усилено работали над тем, чтобы вернуть прибыльность, резкий рост производства и низкий спрос на розничном рынке привели к снижению цен.

В отношении клиентских SSD, даже несмотря на то, что продажи ноутбуков входят в традиционный сезон пикового спроса, настроение клиентов по закупкам остаётся умеренным. Цены на конечные продукты для ПК ещё не полностью отразили подорожание прошлого года, а объёмы закупок во второй половине года не показал значительного роста.

Источник изображения: Trendforce.com

В корпоративном сегменте, расширение внедрения серверов для ИИ стимулирует значительные инвестиции в ИТ-инфраструктуру и, как ожидается, приведёт к увеличению заказов серверных OEM (оригинальных производителей оборудования) в третьем квартале.

Для встраиваемых энергонезависимых систем памяти (eMMC) третий квартал не показал значительного спроса, однако производители настроены добиться повышения цен. Но это решимость может привести лишь к минимальному росту цен и оставить контрактные цены практически такими же.

В сегменте UFS (универсальный флеш-накопитель), высокие уровни запасов и медленная их реализация со стороны производителей, создают более широкий ценовой выбор для покупателей. Хотя производители и стремятся к значительному повышению цен в третьем квартале, но по мнению аналитиков, можно ожидать сопротивления со стороны покупателей. А в связи с избыточными запасами и слабым спросом на рынке, цены на UFS в третьем квартале могут увеличиться всего на 3-8 %.

Компания Kingston выпустила комплект оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition стандарта DDR5. Дизайн модулей памяти вдохновлён внешним видом спорткаров. Память оснащена трёхцветными радиаторами с RGB-подсветкой на основе 12 светодиодов с поддержкой 18 различных эффектов.

Источник изображений: Kingston

Оперативная память Fury Renegade RGB Limited Edition предлагается только в виде одного комплекта, состоящего из двух модулей ОЗУ по 24 Гбайт каждый.

Для оперативной памяти заявляется поддержка трёх профилей автоматического разгона XMP 3.0: DDR5-6400 с таймингами CL32-39-39 при напряжении 1,4 В, DDR5-7200 с таймингами CL38-44-44 при напряжении 1,45 В и DDR5-8000 с таймингами CL36-48-48 при рабочем напряжении 1,45 В. Также доступен базовый профиль JEDEC DDR5-4800 с таймингами CL40-39-39 и рабочим напряжением 1,1 В.

Компания отмечает, что ОЗУ Fury Renegade RGB Limited Edition разработана специально для процессоров Intel Core 14-го поколения (Raptor Lake Refresh), а потому можно объяснить отсутствие у данного комплекта памяти профилей разгона AMD EXPO.

О стоимости комплекта оперативной памяти Fury Renegade RGB Limited Edition производитель не сообщил.

На технологической конференции в Сеуле, по данным PC Watch, компания Kioxia продемонстрировала намерения к 2027 году наладить выпуск микросхем 3D NAND с увеличенным до 1000 штук количеством слоёв. Плотность хранения информации в данном случае вырастет до 100 Гбит/мм². Для сравнения, ещё в 2022 году наличие 238 слоёв у микросхем 3D NAND считалось хорошим результатом.

Источник изображения: Kioxia

При этом в 2014 году память 3D NAND вообще довольствовалась 24 слоями, поэтому за последующие восемь лет их количество увеличилось в десять раз. Если подобные темпы роста (1,33 в год) сохранятся и дальше, то Kioxia рассчитывает на увеличение количества слоёв 3D NAND до 1000 штук к 2027 году. Плотность хранения данных в 3D NAND достигается не только увеличением количества слоёв. Вертикальные и поперечные размеры ячейки памяти также уменьшаются, а количество хранимых в них битов информации увеличивается. Например, QLC предлагает хранить в одной ячейке четыре бита информации, тогда как TLC обеспечивала только три бита на ячейку.

По мере увеличения количества слоёв 3D NAND возникают проблемы с травлением отверстий, необходимых для межслойного соединения чипов друг с другом. Более глубокие каналы обладают более высоким сопротивлением, и для формирования межслойных соединений требуются новые материалы со специфическими свойствами, а также новые методы их обработки. Например, на смену поликристаллическому кремнию приходит монокристаллический. Kioxia также рассчитывает заменять проводники внутри каждого слоя 3D NAND с вольфрамовых на молибденовые для снижения сопротивления и уменьшения задержек.

Производственный партнёр Kioxia в лице корпорации Western Digital попутно говорит о проблеме роста капитальных затрат по мере увеличения количества слоёв в памяти 3D NAND, а также снижении экономической эффективности подобной миграции. Себестоимость производства памяти по мере увеличения количества слоёв снижается всё меньше и меньше. Скорее всего, именно экономические причины вынудят производителей 3D NAND замедлить темпы «гонки за увеличением количества слоёв».

Сейчас Kioxia и Western Digital выпускают память поколения BiCS 8 в 218-слойном исполнении. Поколения BiCS 9 и BiCS 10 обеспечат увеличение количества слоёв до 300 и 400 штук. Американский производитель не хотел бы по экономическим соображениям поддерживать существующие темпы увеличения количества слоёв памяти 3D NAND.

Интересы Intel на технологической конференции Mizuho на этой неделе представлял старший вице-президент и директор по стратегическому развитию Саф Йебоа-Аманква (Saf Yeboah-Amankwah). По словам представителя Intel, нужно больше внимания уделять «узким местам» в серверных системах, используемым для работы с искусственным интеллектом: памяти, сетевым интерфейсам и охлаждению.

Эту должность в Intel Саф Йебоа-Аманква занял незадолго до назначения генеральным директором корпорации Патрика Гелсингера (Patrick Gelsinger) в феврале 2021 года, а до этого он 24 года проработал в консалтинговом бизнесе, поэтому нового старшего вице-президента и главного стратега сразу привлекли к поиску сильных и слабых сторон в бизнесе корпорации.

Отвечая на вопрос ведущего мероприятия о перспективах, которые он видит для развития бизнеса Intel в сфере искусственного интеллекта, представитель руководства компании отметил, что она уже на протяжении примерно 15 лет инвестирует в сферу искусственного интеллекта. С инфраструктурной точки зрения, по его словам, нужно вкладывать средства не только в разработку новых центральных процессоров и ускорителей вычислений, но и в устранение «узких мест» современных серверных систем, коими являются медленная память, ограниченная пропускная способность сетевых интерфейсов и недостаточная эффективность охлаждения. Компания Intel всем этим сферам готова уделять самое пристальное внимание, проводя профильные разработки внутри своих лабораторий. Кроме того, фотоника имеет определённые перспективы с этой точки зрения, как добавил директор Intel по стратегическому развитию.

Источник изображения: Intel

В потребительском же сегменте на передний план сейчас выходит экспансия так называемых AI PC — персональных компьютеров с функцией локального ускорения работы искусственного интеллекта за счёт ресурсов центральных процессоров. Отрасль, с точки зрения Intel, сейчас находится на нулевом цикле развития данного вида компьютеров. В дальнейшем им предстоит научиться эффективно обрабатывать не только текстовую информацию, но и аудио, а также видео — словом, научиться взаимодействовать с живыми людьми через привычные им образы и ощущения.

По мнению представителя Intel, в свете появления AI PC компании необходимо решить как минимум две проблемы. Во-первых, оно способствует сокращению цикла между обновлениями парка ПК. Если ранее его продолжительность составляла от двух до трёх лет, то в последнее время увеличилась до пяти или семи лет. Новые возможности центральных процессоров будут способствовать более быстрому обновлению парка ПК. Во-вторых, как уже отмечалось выше, соответствующие центральные процессоры должны эволюционировать в своём развитии и получать новые возможности в сфере обработки информации. Внедрять их нужно в чутком взаимодействии с независимыми разработчиками программного обеспечения, как считает руководство Intel.

В отличие от оперативной памяти, флеш-память не так востребована в сегменте систем искусственного интеллекта, поэтому соответствующий сегмент рынка дольше восстанавливается от кризиса перепроизводства, вызванного пандемией. Японской компании Kioxia впервые за 20 месяцев удалось воздержаться от сокращения объёмов выпуска памяти типа NAND, а также получить согласие кредиторов на рефинансирование своих долговых обязательств.

Источник изображения: Kioxia

Как сообщает Nikkei Asian Review, на двух предприятиях Kioxia в префектурах Миэ и Иватэ в июне была достигнута 100-процентная загрузка линий по выпуску памяти типа NAND. Улучшение условий ведения бизнеса способствовало росту благосклонности кредиторов Kioxia, которые согласились рефинансировать кредиты на сумму $3,43 млрд, которые подлежали выплате в июне. Была открыта дополнительная линия кредитования на сумму $1,33 млрд. Кроме того, синдикат кредиторов Kioxia поможет компании с покупкой нового оборудования для производства памяти, которое заменит собой устаревшее. Кредиторам удалось получить и подробности о планах Kioxia по выходу на фондовый рынок, что также способствовало смягчению их позиции.

Производство памяти NAND на предприятиях Kioxia сокращалось с октября 2022 года, в отдельных случаях величина сокращений достигала 30 %. Запуск нового предприятия в Китаками был отложен с 2023 до 2025 года как минимум. В прошлом квартале Kioxia впервые за шесть предыдущих кварталов отчиталась о чистой прибыли, которая достигла $654 млн. Спрос на микросхемы памяти, используемые в смартфонах и ПК, достиг своего минимума, а в серверном сегменте он вернулся к росту. По прогнозам TrendForce, в текущем квартале цены на память типа NAND последовательно вырастут на величину от 13 до 18 %. Компания Kioxia в сотрудничестве с Western Digital собирается потратить на развитие производства передовых типов памяти около $4,6 млрд, власти Японии обещают предоставить партнёрам $1,54 млрд в форме субсидий.

Сегодня даже самая передовая энергонезависимая память имеет ограничения на количество циклов перезаписи. Для домашнего использования это не критично, тогда как во множестве отраслей скорость износа памяти имеет решающее влияние на безопасность и бюджет. Группа учёных из Китая начала поиск материалов для энергонезависимой памяти с нулевым износом. Это многое изменило бы в отрасли и в мире. На днях появилась информация о прорыве.

Источник изображения: ИИ-генерация Кандинский 3.0/3DNews

Как сообщили в своей статье в журнале Science исследователи из Нинбоского института материаловедения и инженерии Китайской академии наук (CAS), Университета электронных наук и технологий Китая в Чэнду и Университета Фудань в Шанхае, созданный ими материал для энергонезависимой памяти после миллиона циклов перезаписи в лабораторных условиях показал нулевой износ. Это прорыв, заявили исследователи. Потенциально память на основе нового материала может работать едва ли не вечно.

Следует сказать, что учёные использовали популярный среди исследователей сегнетоэлектриков материал — дисульфид молибдена. Точнее, его модификацию под названием 3R-MoS₂. Сегнетоэлектрики действительно меньше подвержены износу в процессе записи и хранения данных. Эффект гистерезиса (памяти) в таких материалах проявляется в изменении поляризации кристаллической ячейки, чем можно управлять с помощью внешнего электромагнитного поля. Физическое воздействие на материал минимальное, но, всё же, оно есть. Сегнетоэлектрическая память также со временем ухудшает свои свойства и с этим нужно работать.

Как выяснили китайские учёные, в ухудшении характеристик сегнетоэлектрической памяти — в проявлениях так называемой сегнетоэлектрической усталости — виноваты дефекты, вернее, процесс накопления дефектов. Они, как мелкая галька в морской волне, собираются в кучки, которые увеличиваются в размерах. Поэтому все силы учёных в новом исследовании были направлены на поиск решения замедлить или предотвратить накопление этих дефектов.

В результате поиска с привлечением машинных алгоритмов (ИИ), исследователи создали с использованием 3R-MoS₂ слоистый «скользящий» материал, который не накапливал дефектов в процессе перезаписи. По крайней мере, после миллиона циклов материал не проявил ухудшения характеристик. Более того, материал оказался очень тонким — порядка одного нанометра. Это означает, что ячейки памяти могут быть очень и очень маленькими. Современная сегнетоэлектрическая память не может похвастаться маленькими ячейками и поэтому страдает от низкой плотности.

Нетрудно представить, как преобразится отрасль, например, искусственного интеллекта и супервычислений, если память в компьютерах не будет иметь износа. В свете начавшейся технологической войны США и Китая — это такой фактор, который невозможно переоценить.

Western Digital на конференции инвесторов предварительно представила первый в мире кристалл памяти 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт). Новая флэш-память потенциально может изменить рынок твердотельных накопителей, позволяя создавать гораздо более быстрые и энергоэффективные SSD большой ёмкости. Кристалл производится по отработанному 218-слойному производственному процессу BiCS8 и имеет настолько крошечные размеры, что легко помещается на кончике пальца.

Источник изображений: Western Digital

«Я очень рад поделиться с вами предварительным обзором кристалла BiCS8 2Tb 3D QLC, — заявил генеральный менеджер подразделения флэш-памяти Western Digital Роберт Содербери (Robert Soderbery). — Мы разработали этот кристалл для удовлетворения потребностей центров обработки данных и систем хранения данных искусственного интеллекта. Вскоре мы собираемся анонсировать этот продукт, но я хочу поделиться им с вами сегодня. Это кристалл памяти с самой высокой ёмкостью в мире».

«Обычно мы показываем вам пластину, но мне показалось, что вид пластины не совсем передаёт то, чего мы достигли, — сказал Содербери. — Итак, я хочу показать вам кристалл. Пожалуйста, увеличьте масштаб того, что я держу здесь на пальце. Это размер кристалла, намного меньше чем кончик моего пальца».

Микросхема 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит является огромным достижением по сравнению с «базовым» продуктом 3D TLC ёмкостью 1 Тбит, изготовленном на основе той же 218-слойной производственной технологии BiCS8. На данный момент компания не предоставила информации об архитектуре нового чипа и скоростных характеристиках, но поделилась сравнительными показателями производительности и энергопотребления.

3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит (256 Гбайт) позволит производителям создавать SSD ёмкостью 1 Тбайт, используя всего четыре кристалла памяти. В производители уже научились упаковывать до 16 кристаллов в один корпус — с новыми кристаллами WD можно получить ёмкость 4 Тбайт в одном чипе. Таким образом, если Western Digital и её партнёр Kioxia смогут наладить массовое производство 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит, новинка может существенно повлиять на стоимость твердотельных накопителей большой ёмкости.

Western Digital заявляет, что плотность её кристаллов QLC на 15–19 % выше, чем у конкурентов. По утверждению компании, новинка на 50 % быстрее и требует на 13 % меньше энергии на 1 Гбайт хранимой информации, чем конкуренты.

Официальный анонс 3D QLC NAND ёмкостью 2 Тбит ожидается в ближайшее время.

Рынок памяти DDR3 переживает серьёзный дисбаланс спроса и предложения, поскольку ведущие мировые производители, такие как Samsung, SK hynix и Micron, постепенно сворачивают производство этого типа памяти. Согласно отчёту Economic Daily News, сокращение выпуска DDR3 крупнейшими игроками на фоне продолжающегося высокого спроса со стороны устройств искусственного интеллекта и периферийных вычислений привело к значительному дефициту и росту цен.

Источник изображения: trendforce.com

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Samsung уже сообщила своим клиентам о планах полностью прекратить производство DDR3 к концу второго квартала. SK hynix ещё в конце прошлого года перевела свои мощности по выпуску DDR3 на заводе в Уси (Китай) на производство DDR4. Micron также существенно сократила поставки DDR3, чтобы расширить выпуск более современных типов памяти, таких как DDR5 и HBM.

Эксперты отрасли, в свою очередь, отмечают, что сокращение производства DDR3 ведущими производителями уже привело к росту цен на этот тип памяти, начиная со второй половины этого года, причём ожидается дальнейшее повышение. По прогнозам аналитической компании TrendForce, к концу 2024 года разрыв между спросом и предложением на рынке DDR3 может превысить 20-30 %, что приведёт к скачку цен на 50-100 % относительно текущего уровня, который и так уже находится ниже себестоимости.

Однако сложившаяся ситуация открывает определённые возможности для тайваньских производителей, специализирующихся на выпуске DDR3, таких как Winbond, Elite Semiconductor Microelectronics Technology (ESMT) и Etron. Эти компании смогут воспользоваться дефицитом и ростом цен, чтобы укрепить свои позиции на рынке и улучшить финансовые показатели. Ожидается, что преимущества от повышения цен на DDR3 станут очевидными для тайваньских производителей уже в ближайшие кварталы.

Несмотря на постепенный переход отрасли к новым стандартам памяти, спрос на DDR3 остаётся высоким благодаря широкому применению в различных устройствах. Например, большинство точек доступа WiFi 6 и даже готовящиеся к выпуску устройства следующего поколения WiFi 7 по-прежнему используют преимущественно DDR3 и DDR4. Кроме того, DDR3 продолжает активно применяться в периферийных вычислительных системах.

Таким образом, сочетание сокращения предложения и стабильно высокого спроса создаёт предпосылки для дальнейшего повышения цен на DDR3 в обозримом будущем. Хотя в долгосрочной перспективе рынок неизбежно будет смещаться в сторону более современных типов памяти, текущая ситуация благоприятна для производителей DDR3 и позволяет им укрепить своё финансовое положение.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.

Компания TeamGroup представила на выставке Computex 2024 свои новейшие разработки, объединённые темой «Эволюция игр с революционными возможностями ИИ». Компания показала широкий ассортимент hi-end продуктов, включая быструю оперативную память, скоростные накопители большой ёмкости и другие устройства. Здесь мы подробнее расскажем о самых интересных новинках.

Принадлежащий TeamGroup бренд T-Create представил на Computex оперативную память T-FORCE XTREEM DDR5, которая способна предложить разгон до 10 000 МТ/с. Также на стенде были представлены высокоскоростные модули памяти T-FORCE XTREEM ARGB DDR5 со скоростью до 8200 МТ/с, которые отличаются наличием яркой настраиваемой RGB-подсветки.

Модули памяти изготовлены на основе 10-слойного текстолита с повышенной степенью защиты от помех и оснащены алюминиевыми радиаторами с толщиной стенок 2 мм. Также отмечается применение силиконового термогеля с высокой теплопроводностью. Модули T-FORCE XTREEM DDR5 предлагаются теперь в белом и розовом вариантах, тогда как версии с подсветкой предлагаются в чёрном и белом цветах.

Ещё производитель представил память T-CREATE EXPERT Ai CKD DDR5 с алюминиевыми радиаторами и ноутбучные модули T-CREATE EXPERT Ai CAMM2. Здесь используется используется запатентованная технология отбора чипов памяти от TeamGroup, за счёт чего модули обеспечивают высокую скорость и пропускную способность. Модули T-CREATE EXPERT Ai CKD DDR5 предлагают скорость до 7200 МТ/с, общую ёмкость до 48 Гбайт (2×24 Гбайт) и задержки CL58. В свою очередь, мобильная память T-CREATE EXPERT Ai CAMM2 предлагает скорость до 7500 МТ/с с таймингами CL28 или 6400 МТ/с с CL24, а ёмкость одного модуля составляет 32 или 64 Гбайт. Здесь для отвода тепла задействованы ультратонкие тепловодные пластины из графена.

В рамках реализации стратегии по переходу на экологически чистые материалы, TeamGroup представит оперативную память T-FORCE DELTA RGB ECO DDR5 для десктопов, в состав которой входит радиатор, на 80 % изготовленный из переработанного алюминия, а для изготовления световодов используется 100 % переработанного (PCR) пластика.

Также в экспозиции TeamGroup демонстрировался модуль серверной памяти нового поколения INDUSTRIAL CXL 2.0 на базе чипов DDR5, выполненный в форм-факторе E3.S и оснащённый запатентованной технологией охлаждения с использованием графена.

Ещё одна новинка для ПК — твердотельный накопитель T-FORCE GE PRO Gen5 M.2 PCIe с кулером T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD. Скорость последовательного чтения твердотельного накопителя составляет 14 000 Мбайт/с, а последовательной записи — 11 800 Мбайт/с. Имеется также функция интеллектуального теплорегулирования вместе с крупным и эффективным башенным кулером обеспечивают высокую производительность SSD, делая его одним из самых быстрых в потребительском сегменте.

Башенный кулер T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD производитель показал в шести вариантах разного размера и дизайна. Он сочетает испарительную камеру из чистой меди, массив алюминиевых рёбер и высокоэффективные вентиляторы, обеспечивая оптимальное активное охлаждение для твердотельных накопителей PCIe 5.0, решая проблемы отвода тепла, возникающие при работе «на полных оборотах».

T-FORCE DARK AirFlow 5 SSD

Твердотельные накопители T-FORCE M.2 PCIe 5.0 поддерживают запатентованное TeamGroup программное обеспечение для интеллектуального мониторинга S.M.A.R.T. Технологически продвинутое оборудование в сочетании с высококлассным программным обеспечением позволяют T-FORCE в полной мере отразить тему эволюции гейминга, выражая свой новаторский подход к разработке электроники.

T-CREATE CinemaPr P31

Также TeamGroup представила множество внешних твердотельных накопителей, которые ориентированы в первую очередь на любителей и профессионалов фото- и видеосъёмки. T-CREATE CinemaPr P31 — внешний твердотельный накопитель, идеально подходящий для профессиональных видеокамер, цифровых зеркальных фотоаппаратов и смартфонов. Кроме того, его удобно установить на профессиональный каркас (Cage), причём сделать это можно с различных сторон. Накопитель оснащен интерфейсом USB 3.2 Gen 2x2 с пропускной способностью 20 Гбит/с и обеспечивает скорость передачи данных до 2000 МБ/с, достаточную для захвата необработанных изображений в формате 4K или 8K.

T-CREATE CinemaPr P33 Mag

В свою очередь, внешний накопитель T-CREATE CinemaPr P33 Mag предназначен для использования с iPhone и поддерживает магнитное крепление MagSafe, что очень удобно. Устройство вмещает 2 Тбайт данных и поддерживает iPhone Pro Max через USB-C или Lightning, с помощью интерфейса USB 3.2 Gen 1 (5 Гбит/с). Пропускной способности и свободного места достаточно для записи 4K@60 в течение 144 часов в формате ProRes.

Компания TeamGroup также показала T-CREATE CinemaPr R41 — устройство для чтения карт памяти Cfexpress 4.0 Type B, созданное специально для профессиональных фотографов и создателей видеоконтента.

T-CREATE CinemaPr R41 CFexpress 4.0 Type B

Были показаны и другие внешние SSD, включая классические модели Classic P51 и Expert P32, защищённые T-CREATE P35, компактные T-CREATE З4А со встроенным Bluetooth-трекером.

В ассортименте TeamGroup представлены решения для использования в широком диапазоне температур, такие как твердотельные накопители PCIe 3.0 M.2, способные выдерживать рабочие температуры до 105 ℃, модули памяти DDR4 и DDR5 типов U-DIMM и SO-DIMM, а также карты памяти microSD. В сочетании с передовыми запатентованными технологиями охлаждения компании они обеспечивают высокую производительность, надёжность и долговечность.

Ещё на стенде TeamGroup можно было увидеть необслуживаемые системы жидкостного охлаждения, включая представителей новой серии T-FORCE SIREN. Предлагаются версии с 240- и 360-мм радиаторами. В зависимости от модели крышка помпы может быть украшена яркой подсветкой или оснащаться дисплеем, на котором могут отображаться либо изображения, либо полезная информация о состоянии ПК. Что интересно, модуль с экраном и модуль с подсветкой съёмные, с магнитным креплением, и при желании один можно заменить на другой.