Учёные из Массачусетского технологического института обнаружили материал, который под действием света на время переходит в новое метастабильное состояние. Такое свойство открывает путь к новому типу записи и хранения данных, что востребовано при поиске более ёмких и плотных носителей для будущего. Такие носители необходимы всегда, и эта нужда будет вечно сопровождать человека.

Источник изображения: MIT

Исследователи подчёркивают, что они не стали первооткрывателями фотоиндуцированных фаз в тех или иных материалах. Такие открытия давно сделаны для сегнетоэлектриков, магнитных материалов и даже для сверхпроводящих. Однако во всех предыдущих работах вновь приобретённые чудесные свойства исчезали, как только выключали источник света. В новой работе, которая исследует свойства соединения железа, фосфора и серы, FePS₃, показано, что магнитные свойства можно изменять по команде, и в новом состоянии материал будет оставаться стабильным без внешнего воздействия на протяжении 2,5 мс.

Может показаться, что это очень небольшой промежуток времени. Но для квантового мира, отмечают исследователи, это бездна времени, что способно привести к новым технологиям как в сфере квантовых вычислений, так и для классических вычислений. Например, сегодня становится всё труднее уменьшить размер области намагничивания на пластине жёсткого диска, для чего уже используется нагрев лазером или микроволновое излучение. Обычные магнитные материалы для этого уже не годятся. Необходимы антиферромагнетики, которые не боятся случайных магнитных наводок и намагниченности соседних участков. Материал FePS₃ из таких. А в определённых условиях он превращается в парамагнетик и приобретает на время совсем иные магнитные свойства.

Учёные из MIT обнаружили, что при охлаждении FePS₃ до температуры Нееля (-155 ℃ для данного соединения) его облучение импульсом терагерцового лазера вызывает возбуждение атомов в материале и переводит его в состояние парамагнетика. Это состояние остаётся метастабильным и продолжается 2,5 мс после прекращения действия импульса света. Очевидно, что этим свойством будет разумно воспользоваться для поиска ему места в будущих системах хранения данных, чем команда физиков займётся на следующих этапах работы. Не факт, что это будет самый лучший путь к памяти будущего, но чем больше таких путей, тем вернее результат.

Lexar представила оперативную память ARES DDR5-6000 CL26, которая оптимизирована для платформы AMD AM5 и процессоров Ryzen, включая флагманский Ryzen 7 9800X3D. Как отражено в названии, новые модули отличаются крайне низкими задержками, обеспечивая до 10 % прироста производительности в играх по сравнению с модулями CL30.

Источник изображений: Lexar, VideoCardz

Геймеры, выбирающие системы на платформе AMD AM5, сталкиваются с необходимостью искать баланс между оптимальной скоростью оперативной памяти и её стабильностью. Частоты в диапазоне 6000–6400 MT/с считаются наиболее подходящими для синхронной работы с шиной Infinity Fabric, что обеспечивает надёжную производительность. Однако выбор частот выше этого диапазона может нарушить синхронизацию, что ведёт к падению производительности всей системы.

Память с задержкой CL30 уже зарекомендовала себя как достаточно практичный вариант, однако Lexar ARES DDR5-6000 CL26 отличается ещё более низкой задержкой CAS Latency 26, что делает её особенно привлекательной для геймеров. Производитель утверждает, что эта характеристика улучшает частоту кадров на 1 % в самых динамичных игровых сценах, а общий прирост производительности достигает 10 % в сравнении с популярными модулями CL30. Таким образом, новый комплект памяти становится оптимальным выбором для пользователей, стремящихся получить максимальную производительность без значительного увеличения расходов.

Комплект памяти ARES DDR5-6000 CL26 разработан с учётом специфики работы процессоров AMD Ryzen 7 9800X3D. В данной конфигурации достигается минимальная задержка, составляющая менее 55 нс, что положительно сказывается на быстродействии системы. Модули памяти, построенные на базе чипов SK hynix A-die, поддерживают стабильную работу при напряжении 1,45 В на частоте 6000 MT/с. Однако ёмкость комплекта ограничена всего двумя модулями по 16 Гбайт каждый, что может оказаться недостаточным для профессиональных пользователей, работающих с ресурсоёмкими задачами.

На данный момент оперативную память Lexar ARES DDR5-6000 CL26 можно приобрести исключительно на китайском рынке. Её стоимость составляет 899 юаней ($126). Комплект выпускается в двух цветовых вариантах — чёрном и серебристом, что позволяет подобрать модули под стиль игровой системы. В то же время производитель не объявил о планах продажи новинки за пределами Китая или увеличения объёма каждого модуля до 24 или 32 Гбайт, что существенно ограничивает её потенциальную аудиторию.

INDILINX, китайский производитель устройств хранения информации, представил на российском рынке внутренний твердотельный накопитель INDILINX 4XN80S 512 Гбайт M.2 (IND-4XN80S512GX) и оперативную память INDILINX DDR5 8 Гбайт 4800 МГц DIMM (IND-ID5P48SP08X). INDILINX отмечает, что её продукция изготовлена с использованием высококачественных чипов от ведущих производителей, включая Samsung, SK hynix, Micron и SanDisk.

Накопитель SSD INDILINX 4XN80S выполнен в форм-факторе M.2 2280, отличаясь компактными размерами и небольшой толщиной, благодаря чему может использоваться в качестве хранилища информации не только в настольном ПК, но и в ноутбуках, а также неттопах или мини-ПК. Новинка даже под нагрузкой нагревается не сильно, поэтому не требует радиатора.

SSD INDILINX 4XN80S 512 Гбайт M.2 объёмом 512 Гбайт с интерфейсом PCIe 3.0 x4 и поддержкой протокола NVMe основан на флеш-памяти 3D NAND, отличающейся долговечностью и энергоэффективностью, в сочетании с PCIe 3.0 контроллером производства SMI и платой компании SanDisk.

Скорость последовательного чтения и записи SSD составляет 2300 и 1500 Мбайт/с соответственно. Также заявлен ресурс перезаписи в 400 TBW (терабайт перезаписанной информации). Величина MTBF (среднее время безотказной работы) достигает 2 млн часов. Размеры SSD равны 80 × 22 × 2 мм, вес — 5 г. Модель поставляется без радиатора. Производитель предоставляет на SSD INDILINX 4XN80S 512Gb M.2 гарантию на 36 месяцев.

Оперативная память INDILINX DDR5 8 Гбайт (модель – IND-ID5P48SP08X) без буферизации, выполненная в формфакторе DIMM, предназначена для использования в настольных ПК. Модуль памяти объёмом 8 Гбайт поддерживает рабочую частоту 4800 МГц и тайминг CL40–40–40–77 при напряжении 1,1 В. При этом обеспечивается пропускная способность в пределах 38 400 Мбит/с.

В оперативной памяти INDILINX используются чипы ведущих производителей Samsung, SK hynix, Micron с нулевым процентом брака, благодаря чему обеспечивается её стабильная работа. Радиатор для отвода тепла в модуле не предусмотрен.

Компания INDILINX была основана в 2012 году. В числе её партнёров ведущие производители чипов из Тайваня, Южной Кореи и США, такие, как Samsung, Micron и SK hynix. При производстве твердотельных накопителей INDILINX используются контроллеры известных мировых производителей Silicon Motion и Yeestor.

Благодаря наличию собственной производственной базы компания INDILINX обеспечивает доступные цены на свою продукцию, включающую внутренние и внешние SSD, а также модули оперативной памяти. Строгий контроль качества продукции на собственном заводе и использование высококачественных комплектующих гарантируют высокое качество продуктов Indilinx — процент брака составляет всего около 0,5 %.

Механизм безопасности, который AMD использует для защиты памяти виртуальных машин, можно обойти с помощью одноплатного компьютера Raspberry Pi Pico стоимостью $5. Это обнаружила группа учёных из Бельгии, Германии и Великобритании, разработавшая схему атаки BadRAM.

Источник изображений: amd.com

AMD разработала технологию Secure Encrypted Virtualization (SEV), которая обеспечивает создание среды доверенного выполнения (Trusted Execution Environment — TEE). Аналогичные решения есть у конкурентов: Software Guard Extensions (SGX) и Trusted Domain Extensions (TDX) от Intel, а также Arm Confidential Compute Architecture (CCA). Эти технологии используются поставщиками облачных услуг и гарантируют, что администраторы, имеющие доступ к оборудованию центров обработки данных, не смогут скопировать конфиденциальную информацию с виртуальных машин клиентов. Информация в памяти шифруется, защищая клиентов облачных платформ от ненадёжных поставщиков услуг и недобросовестных представителей органов власти.

Учёные исследовали новую версию одной из таких технологий — AMD SEV-SNP (Secure Nested Paging), которая добавляет защиту от атак с перераспределением памяти со стороны гипервизора. Однако, как выяснилось, эта технология обладает изъянами. Для обхода ограничений доступа к содержимому памяти в TEE необходимы одноплатный компьютер Raspberry Pi Pico, разъём DDR и батарейка на 9 В. Предложенная учёными атака BadRAM предполагает злоупотребление механизмами работы чипа SPD (Serial Presence Detect), отвечающего за идентификацию модуля системой. С помощью манипуляций с SPD в физической памяти создаются псевдонимы, позволяющие изучить её содержимое на предмет конфиденциальной информации.

В ходе атаки видимый размер установленного в системе модуля DIMM удваивается, что позволяет обмануть контроллер памяти центрального процессора и заставить его использовать дополнительные биты адресации. В результате на одно и то же местоположение DRAM ссылаются два физических адреса. Метод работает с памятью DDR4 и DDR5. Теоретически атака может быть осуществлена и без физического доступа к оборудованию, например через SSH, поскольку некоторые поставщики DRAM оставляют чип SPD разблокированным. Это было обнаружено на двух модулях DDR4 от Corsair. Для реализации атаки на DDR3 требуется удаление или замена SPD. Технология AMD SEV-SNP используется в Amazon AWS, Google Cloud и Microsoft Azure. Учёные отмечают, что схема атаки BadRAM позволяет добавлять «необнаруживаемые бэкдоры на любую защищённую SEV виртуальную машину».

Актуальные технологии Intel SGX и TDX не подвержены данной уязвимости благодаря реализованным контрмерам, предотвращающим создание псевдонимов памяти. Уязвима лишь устаревшая версия SGX, которая уже не используется производителем. Arm CCA также защищена на уровне спецификации, однако проверить это исследователи не смогли из-за отсутствия оборудования. Схему атаки и образец кода учёные передали AMD 26 февраля 2024 года. Свои выводы они намерены представить в 2025 году на мероприятии IEEE Symposium on Security and Privacy. Компания зарегистрировала уязвимость под номерами CVE-2024-21944 and AMD-SB-3015 — сведения о них она опубликовала накануне.

«AMD считает, что эксплуатация раскрытой уязвимости предполагает, что у злоумышленника есть либо физический доступ к системе, либо доступ к ядру операционной системы, либо установлен изменённый вредоносный BIOS. AMD рекомендует использовать модули памяти, в которых заблокирован Serial Presence Detect (SPD), а также следовать передовым практикам [в области] безопасности физической системы. AMD также выпустила обновления прошивки для клиентов, которые смягчат уязвимость», — заявили в компании ресурсу The Register.

Однажды появится память, которая сможет работать в ядерных реакторах, в реактивных двигателях, на раскалённой поверхности планет и в других экстремально жарких условиях. Новая работа исследователей из Университета Мичигана вносит свой вклад в приближении этого момента. Предложенная ими память работает при температуре свыше 600 °C и будет функционировать даже в расплавленном свинце.

Источник изображения: University of Michigan

Обычная память на чипах из кремния не может работать при температурах выше 100–150 °C. Она основана на движении электронов (электрическом токе), а электроны при перегреве начинают идти вразнос — возникает электрический пробой и выход чипа из строя. Учёные из Университета Мичигана предложили заменить электроны атомами, точнее — ионами, которые выдерживают гораздо более высокие температуры без утраты контроля. Поскольку оперирование атомами — это уже химия, новая ячейка памяти получила название электрохимической.

Также новую ячейку можно назвать своего рода аккумулятором. Она представляет собой два рабочих слоя, разделённых твёрдым электролитом, а запоминание и стирание данных происходит точно так же, как заряд и разряд аккумулятора. Под воздействием напряжения на платиновых электродах насыщенный кислородом слой оксида тантала отдаёт ионы кислорода в слой металлического тантала. Электролит, передающий ионы между слоями, служит также сепаратором (барьером), который не допускает свободное хождение атомов и электронов между слоями.

Источник изображения: Cell 2024

В процессе миграции ионов кислорода в нижнем слое возникает тонкая прослойка из металлического тантала, а на верхнем слое — из оксида тантала. Эти слои и прослойки не смешиваются. Значение ячейки 0 или 1 будет определяться, стал ли нижний слой из оксида тантала проводником или ещё остаётся изолятором для тока. Значение будет сохраняться до тех пор, пока не изменится полярность электродов. Расчёты показывают, что ячейка может сохранять информацию при температуре свыше 600 °C в течение 24 часов. Иначе говоря — это энергонезависимая память.

Более тонкое регулирование внутреннего сопротивления ячейки позволяет удерживать до 100 уровней, что переводит разработку в плоскость вычислений на чипе. Разрядность расчётов резко увеличится, как и увеличится запоминающая способность такой памяти. В принципе, это старая добрая резистивная память ReRAM, только в чуть более оригинальном исполнении. И есть один нюанс. Предложенная память начинает работать только при нагреве до 150 °C. Но это не должно быть большой проблемой для тех сфер, для которых она предлагается.

Стало известно о готовящемся докладе инженеров компании Samsung на конференции IEEE International Solid-State Circuits Conference 2025. Это произойдёт 19 февраля. Специалисты расскажут о будущей 400-слойной памяти 3D NAND, которой пока нет ни у одного производителя в мире.

Источник изображения: blocksandfiles.com

Согласно данным о документе, у будущей памяти Samsung число рабочих слоёв будет более 400. Кристаллы с отдельными наборами слоёв будут стыковаться друг с другом в процессе производства (технология WF-Bonding или подложка к подложке), что позволяет упростить выпуск многослойных микросхем памяти.

Сегодня память с наибольшим количеством слоёв производят массово или в виде образцов компании SK Hynix (321 слой), Samsung (286), Micron (276), Western Digital и Kioxia (218) и SK Hynix Solidigm (192). При этом Western Digital, Kioxia и YMTC разрабатывают 300-слойную память, которую представят в наступающем году. Основная борьба за первенство разгорелась между SK Hynix и Samsung, которые готовы штурмовать рубежи памяти с 400 слоями и более.

Ожидаемый к представлению 400-слойный чип Samsung будет объёмом 1 Тбит с плотностью 28 Гбит/мм². В каждую ячейку будут записываться по три бита данных. Заявленная скорость обмена по каждому контакту будет достигать 5,6 Гбит/с, что на 75 % больше, если сравнивать с актуальными чипами памяти Samsung 9-го поколения (400-слойная память будет относиться к 10-му поколению V-NAND Samsung). Очевидно, что такая память подойдёт как для изготовления SSD с шиной PCIe 5.0, так и PCIe 6.0.

Более плотная память Samsung может подтолкнуть производителей к выпуску SSD объёмом 256 Тбайт и даже 512 Тбайт. Возможно это будет через год или через два. Подождём февральского доклада и более чётких позиций руководства Samsung в отношении производства новой памяти.

Среди производителей оперативной памяти, материнских плат, а также оверклокеров продолжается гонка лидерство в разгоне ОЗУ. Каждая команда пытается разогнать модули нового формата DDR5 CUDIMM до рекордных скоростей. Недавними успехами похвасталась ASRock, сообщившая о разгоне планки памяти G.Skill Trident Z5 CK объёмом 24 Гбайт до новой рекордной скорости— 12 666 МТ/с (6333 МГц).

Источник изображений: Splave / ASRock

Сама ASRock не производит оперативную память. Однако компания выпускает материнские платы. Последний рекорд разгона частоты памяти был установлен именно на её плате Z890 Tachi OCF, предназначенной специально для оверклокинга. Очевидно, что при работе на таких скоростях памяти не обойтись обычным воздушным охлаждением. Поэтому для установки рекорда использовался жидкий азот.

Разгон проводился оверклокером Алленом Мэтью (Allen Matthew), более известным под псевдонимом Splave. Его результат побил предыдущий рекорд разгона ОЗУ до режима DDR5-12634 или 6317 МГц, о котором было заявлено 27 ноября. Для нового эксперимента также использовался флагманский процессор Intel Core Ultra 9 285K. У чипа были отключены энергоэффективные E-ядра, а производительные P-ядра работали с частотой 2088,8 МГц.

Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу на высоких скоростях. Именно по этой причине последние недели различные команды заявляют о новых рекордах разгона памяти. Вполне возможно, в перспективе нас ожидают ещё более высокие результаты оверклокинга DDR5 CUDIMM. Практической пользы для обычных потребителей такие скорости не имеют, но показывают запас прочности новых модулей ОЗУ.

Компания Corsair объявила о старте продаж модулей памяти Vengeance RGB DDR5 CUDIMM со скоростью до 9200 МТ/с. Новинки доступны в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 и 96 Гбайт соответственно из пар 24- и 48-Гбайт модулей.

Источник изображений: Corsair

На момент публикации данной заметки через официальный сайт компании был доступен комплект из двух модулей по 24 Гбайт в версии со скоростью до 8800 МТ/с стоимостью $358,99, а также в версии без RGB-подсветки и со скоростью 9200 МТ/с по цене $377,99. Для первого заявлены тайминги CL42-54-54-141, а для второго — CL44-56-56-148. Оба имеют рабочее напряжение 1,1 В. Компания также сообщила, что протестировала память с таймингами CL40-52-52-135 при напряжении 1,4 В.

Модули Corsair Vengeance RGB DDR5 CUDIMM оснащены алюминиевыми радиаторами серебристого цвета с 10 зонами RGB-подсветки. Напомним, что память DDR5 CUDIMM отличается от обычной DDR5 DIMM наличием встроенного тактового генератора, обеспечивающего более стабильную работу ОЗУ на высоких скоростях.

На данный момент память DDR5 CUDIMM официально поддерживается только платформой LGA 1851 на материнских платах с чипсетами Intel 800-й серии.

Международная группа учёных впервые экспериментально доказала проявление сегнетоэлектрического эффекта в однокомпонентном материале — теллуре. Сегнетоэлектрики обычно представляют собой соединения, что делает их применение сложнее и дороже. Учёные пошли дальше проверки явления и создали прототип полевого транзистора с каналом из нанопроволоки, открыв путь к памяти будущего и нейроморфным вычислениям.

Источник изображений: Nature Communications

«Сегнетоэлектрические материалы — это вещества, которые могут накапливать электрический заряд и сохранять его даже при отключении питания, и их заряд можно переключать с помощью приложения внешнего электрического поля — это свойство, необходимое для устройств энергонезависимой памяти», — поясняют авторы работы, опубликованной в Nature Communications.

Возможность проявления сегнетоэлектрического эффекта в однокомпонентных материалах была известна только теоретически. Учёные из Университет Тохоку (Tohoku University) вместе с коллегами из других стран показали, что эффект возможен на нанопроволоке из теллура (Te). По сути — это 2D-материал, сегнетоэлектрический эффект в котором проявляется за счёт «уникального смещения атомов в одномерной цепочечной структуре теллура». Явление было определено с помощью силовой микроскопии пьезоотклика и сканирующей просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения.

Основываясь на сделанном открытии, учёные разработали новое устройство — сегнетоэлектрический полевой транзистор с автоматическим стробированием (SF-FET), который объединил сегнетоэлектрические и полупроводниковые свойства в одном устройстве. Экспериментальный транзистор SF-FET продемонстрировал исключительное сохранение данных, быструю скорость переключения (менее 20 нс) и впечатляющую плотность записи, превышающую 1,9 Тбайт на см².

«Наш прорыв открывает новые возможности для устройств памяти следующего поколения, где высокая мобильность нанопроволок из теллура и его уникальные электронные свойства могут помочь упростить архитектуру устройств, — поясняют авторы. — Наше устройство SF-FET также может сыграть решающую роль в будущих системах искусственного интеллекта, обеспечивая нейроморфные вычисления, имитирующие работу человеческого мозга. Кроме того, полученные результаты могут помочь снизить энергопотребление в электронных устройствах, удовлетворяя потребность в устойчивых технологиях».

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Компания Colorful представила две серии модулей оперативной памяти — iGame Shadow DDR5 и iGame Shadow DDR5 CKD. Вторая предназначена специально для платформы Intel LGA 1851 (Arrow Lake-S) и отличаются наличием встроенного тактового генератора, который позволяет памяти стабильно работать на более высоких частотах.

Источник изображений: Colorful

Серия памяти Colorful iGame Shadow DDR5 предлагается в виде двухканальных комплектов общим объёмом 32 (2 × 16) и 48 (2 × 24) Гбайт, работающих в режимах DDR5-6000, DDR5-6800, DDR5-8000 и DDR5-8400 с таймингами от CL28 до CL42. Для модулей памяти DDR5-6000 и DDR5-6800 заявляется поддержка профилей разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO. Для модулей DDR5-8000 и DDR5-8400 указана только поддержка профилей XMP 3.0. Производитель заявляет для новинок рабочее напряжение от 1,35 до 1,4 В.

Модули памяти iGame Shadow DDR5 CKD нового типа CUDIMM предлагают режимы работы DDR5-8800 и DDR5-9600. Новинки будут выпускаться в виде двухканальных комплектов общим объёмом 48 (2 × 24) Гбайт и поддерживают профили разгона XMP 3.0. Рабочее напряжение для этих модулей ОЗУ производитель не сообщает.

Colorful отмечает, что во всех новинках используются чипы памяти SK hynix M-Die. Все представленные модули памяти оснащены радиаторами с RGB-подсветкой.

По данным VideoCardz, в продаже с сегодняшнего дня доступен комплект памяти Colorful iGame Shadow DDR5-8000 объёмом 48 Гбайт. Его можно приобрести за 1349 юаней (около $186).

Компания Apacer выпустила серию модулей оперативной памяти NOX RGB DDR5. Новинки будут предлагаться как в виде отдельных планок объёмом 16 и 32 Гбайт, так и в составе двухканальных комплектов общим объёмом 32 и 64 Гбайт. В серии будут представлены планки и комплекты со скоростью до 8000 МТ/с.

Источник изображений: Apacer

Память NOX RGB DDR5 со скоростью 5200, 5600 и 6000 МТ/с обладает таймингами CL40-40-40-80 или CL38-48-48-96 и рабочим напряжением 1,25 В. Память со скоростью 6200, 6400, 6800, 7200, 7600 и 8000 МТ/с обладает таймингами от 32-39-39-84 до 40-40-40-76 и работает с напряжением 1,35 или 1,45 В. Все поддерживают профили разгона Intel XMP 3.0 и AMD EXPO.

Модули ОЗУ Apacer NOX RGB DDR5 оснащены радиаторами чёрного или серебряного цвета с RGB-подсветкой. Высота планок не превышает 44 мм, так что они не должны мешать установки большинства современных кулеров.

В продаже память Apacer NOX RGB DDR5 доступна с 14 ноября. О стоимости новинок производитель ничего не сообщил.

Компания V-Color похвасталась рекордным разгоном модуля оперативной памяти Manta DDR5 CUDIMM. Если ещё вчера производитель сообщал о рекорде разгона до 12 264 МТ/с, то сегодня компания озвучила цифру 12 350 МТ/с. Оба рекорда были установлены на материнской плате ASRock Z890 Taichi OCF.

Источник изображения: Wccftech

Для эксперимента использовался модуль оперативной памяти V-Color Manta XFinity RGB CUDIMM DDR5 объёмом 24 Гбайт, который сначала был разогнан американским оверклокером AKM до эффективной частоты 6131,9 МГц (или 12 264 МТ/с). Память заработала при таймингах CL 52-92-92-127.

Источник изображения: HWBOT

Позже результатами разгона такого же модуля памяти и на той же материнской плате поделился канадский оверклокер saltycroissant. Он разогнал модуль памяти до эффективной частоты 6175,4 МГц (12 350,8 МТ/с). В обоих случаях для охлаждения компонентов использовался жидкий азот.

В эксперименте также принимал участие флагманский процессор Core Ultra 9 285K.

Ранее в этом месяце начались продажи обновлённого компактного компьютера Apple Mac mini, аппаратной основой которого стали фирменные процессоры Apple M4. Вполне логично, что некоторые блогеры поспешили разобрать новинку, чтобы продемонстрировать внутреннюю компоновку и оценить ремонтопригодность. В процессе было установлено, что в Mac mini можно расширить объём хранилища данных, но для этого потребуются определённые навыки.

Источник изображения: Apple

Автор канала Snazzy Labs опубликовал очень информативное видео, в котором наглядно демонстрируется разборка Mac mini и даётся наиболее полная оценка нового мини-компьютера Apple. В Mac mini разработчики задействовали съёмный твердотельный накопитель — в базовой версии это 256 Гбайт памяти, сформированные из пары чипов флеш-памяти NAND по 128 Гбайт каждый. Однако Apple использует проприетарный интерфейс, так что стандартные M.2 SSD в качестве замены не подойдут. Но всё же имея определённые технические навыки увеличить объём памяти с Mac mini можно.

Энтузиастам с YouTube-канала dosdude1 удалось расширить объём дискового пространства базовой модели мини-компьютера с 256 Гбайт до 1 Тбайт. Для этого они удалили с платы оригинальные чипы флеш-памяти NAND с помощью тепловой пушки, подготовили к установке чипы большей ёмкости, после чего припаяли их к плате и выполнили процесс восстановления Mac mini в режиме DFU.

Хотя обычные пользователи вряд ли смогут воспользоваться данным способом расширения дискового пространства, видео наглядно демонстрирует наличие технической возможности увеличения места для хранения данных. Однако сделать это без определённых навыков работы с аппаратным обеспечение не удастся.

Международная группа учёных обнаружила удивительный эффект в таком полупроводнике, как селенид индия (In₂Se₃). Под действием тока материал переходил из кристаллической формы в аморфную, затрачивая на это в миллион раз меньше энергии, чем в случае обычной импульсной записи памяти с фазовым переходом (полупроводниковой или на перезаписываемых оптических дисках типа DVD). Открытие обещает обернуться созданием невероятно эффективной компьютерной памяти.

Лавинообразный процесс аморфизации в селениде индия в представлении художника. Источник изображения: Akanksha Jain

Память с фазовым переходом, будь то полупроводниковая или в виде оптических дисков, остаётся достаточно энергоёмкой в моменты записи и стирания, хотя хранить данные она может без потребления энергии. Запись и стирание происходят импульсами, которые буквально плавят материал в ячейке или в слое диска — нагрев в локальной области может достигать 800 °C. Быстрое остывание расплава не позволяет ему восстановить кристаллическую структуру. Аморфное состояние ведёт к высокому сопротивлению току, а кристаллическое — к низкому, что определяет состояние ячейки 0 или 1. С оптическими накопителями всё работает по-другому, но принцип тот же.

Проводя опыты в Университете Пенсильвании (UPenn) с проволокой из селенида индия, учёные обнаружили, что материал полностью перешёл в аморфное состояние без воздействия импульсом. По проволоке пропускался небольшой ток, и в один момент он перестал проходить. Анализ показал, что материал приобрёл аморфную структуру. К изучению вопроса подключились учёные из Массачусетского технологического института (MIT), а на анализ образцы были отправлены в Индийский институт науки (IISc).

В IISc учёные разработали методологию наблюдения за процессом аморфизации селенида индия буквально по шагам в нанометровом масштабе и в более крупном масштабе. Оказалось, что вступают в работу два свойства селенида индия — пьезоэлектрика и сегнетоэлектрика. Небольшой ток создаёт домен аморфизации в материале, а возникающие напряжения в кристаллической решётке провоцируют что-то вроде эффекта землетрясения на соседних участках, и процесс приобретает лавинообразный характер. Процесс остановится только тогда, когда весь материал станет аморфным.

Сделанное открытие может привести к созданию невероятно энергоэффективной памяти с фазовым переходом (). По словам учёных, на аморфизацию ячейки памяти из селенида индия требуется одна миллионная от типичного потребления современной памяти PCM, что преобразит все системы хранения и вычислений.