Квартальное отчётное мероприятие Micron Technology на прошлой неделе позволило руководству американской компании поделиться более подробными планами по развитию ассортимента продукции. Если в 2026 году Micron приступит к производству микросхем памяти типа HBM4, то позднее собирается наладить выпуск HBM4E, главной особенностью которой станет кастомизируемый базовый кристалл.

Источник изображения: Micron Technology

Данная часть стека памяти лежит в его основе и содержит базовую логику, необходимую для работы с расположенными выше микросхемами памяти. Micron собирается наделять базовый кристалл HBM4E тем набором функций, который интересен конкретным крупным заказчикам. Насколько велика будет степень свободы Micron в этой сфере, заранее сказать сложно, но очевидно, что стандарты JEDEC будут определять какие-то рамки. Чисто технически Micron сможет добавлять поддержку новых интерфейсов, увеличивать объём кеша, добавлять шифрование данных и всё в таком духе.

Как подчеркнул глава Micron на прошлой неделе, «HBM4E обеспечит сдвиг парадигмы в бизнесе по производству памяти, поскольку предложит опцию кастомизации базового кристалла с логикой для определённых клиентов, используя передовой производственный процесс TSMC». По словам генерального директора Санджея Мехротры (Sanjay Mehrotra), подобные возможности индивидуализации улучшат финансовые показатели компании Micron.

Если же вернуться к более близкой HBM4, то непосредственно микросхемы памяти для стеков этого типа Micron намерена выпускать с помощью своего техпроцесса 10-нм класса пятого поколения (1β), тогда как конкурирующие SK hynix и Samsung присматриваются к более современной технологии 10-нм класса шестого поколения. Наличие 2048-разрядной шины позволит HBM4 обеспечить скорость передачи информации до 6,4 гигатранзакций в секунду. Массовое производство HBM4 компания рассчитывает развернуть в 2026 календарном году. Сейчас Micron уже активно поставляет 8-ярусные стеки HBM3E для ускорителей Nvidia Blackwell, 12-ярусные проходят тестирование клиентами и получают самые лестные отзывы, по словам руководства компании.

Сейчас в сфере производства передовой памяти HBM3E компании Nvidia и SK hynix тесно связаны, поскольку первая является доминирующим клиентом второй в этой сфере, и такое положение дел позволяет корейскому производителю лидировать в динамично развивающемся сегменте рынка. По слухам, в следующем году крупным получателем HBM3E от SK hynix станет и компания Broadcom.

Источник изображения: SK hynix

Как отмечает издание The Elec, Sk hynix к поставкам современных версий HBM для нужд Broadcom приступит во второй половине следующего года. Инициатором данных взаимоотношений выступила Broadcom. Принято считать, что она разрабатывает специализированные ускорители для систем искусственного интеллекта для нужд Apple или OpenAI. В отличие от решений Nvidia, они будут опираться на использование специализированных нейронных блоков, а потому смогут получить ограниченное применение.

Если изначально SK hynix рассчитывала к следующем году добиться возможности выпуска от 140 до 150 тысяч кремниевых пластин с чипами HBM в типоразмере 300 мм, то с учётом потребностей Broadcom она будет вынуждена увеличить объёмы выпуска до 160 или 170 тысяч кремниевых пластин. По итогам четвёртого квартала, как ожидает компания, выпуск HBM принесёт 40 % всей выручки SK hynix в сегменте DRAM. По мере появления в рядах клиентов компании Broadcom данная доля может увеличиться.

Broadcom в начале месяца заявила, что разработала новую технологию упаковки чипов, которая допускает интеграцию микросхем памяти типа HBM. Даже если последняя не пригодится сторонним клиентам типа OpenAI и Apple, то Broadcom может наладить выпуск серверных процессоров с такой памятью, подобных решениям Fujitsu.

Около половины рынка микросхем памяти HBM сейчас контролирует южнокорейская SK hynix. В конце февраля текущего года Micron Technology заявила, что со второго квартала начнёт поставлять 8-ярусные стеки HBM3E для нужд Nvidia, которая будет устанавливать их в ускорители H200. На этой неделе стало известно, что подобную память Micron начала поставлять и загадочному второму крупному клиенту.

Источник изображения: Micron Technology

Под этим размытым определением может скрываться AMD, которая также оснащает свои ускорители вычислений семейства Instinct памятью типа HBM3E, но говорить об однозначном соответствии нельзя. Более того, на квартальной отчётной конференции на этой неделе руководство Micron Technology заявило, что в первом квартале следующего года компания начнёт снабжать своими микросхемами памяти семейства HBM третьего крупного клиента.

В сентябре текущего года Micron представила 12-ярусные стеки HBM3E, тем самым продемонстрировав устранение отставания от SK hynix. Третий игрок этого рынка, южнокорейская компания Samsung Electronics, уже не первый месяц подряд пытается сертифицировать свою память типа HBM3E под нужды Nvidia, но раз за разом терпит неудачу, несмотря на регулярные заверения в близости успеха. На квартальной конференции руководство Micron подчеркнуло, что её 12-ярусной памятью HBM3E клиенты весьма довольны.

Ёмкость рынка микросхем типа HBM компания Micron в привязке к 2025 году оценивает более чем в $30 млрд против ранее упоминавшихся $25 млрд. К 2028 году ёмкость рынка вырастет до $64 млрд, а по итогам 2030 года превысит $100 млрд. В текущем году данная величина не превысит $16 млрд, как считают в Micron. Что характерно, все заказы на производство HBM на следующий год у компании уже распределены, а цены зафиксированы в контрактах.

Технологические проблемы Samsung Electronics последних лет, как принято считать, отчасти обусловлены проблемами внутрикорпоративного взаимодействия, поэтому новым шагом по пути нормализации ситуации с выпуском памяти HBM3E под нужды Nvidia может стать отправка к местам её производства специалистов, которые отвечают за её разработку.

Источник изображения: Samsung Electronics

Тайваньский ресурс DigiTimes в конце рабочей недели опубликовал своеобразный дайджест новостей на эту тему, основанный на публикациях как южнокорейских, так и западных СМИ. Назначенный в мае на пост руководителя полупроводникового бизнеса Samsung Чун Ён Хён (Jun Young-hyun), как сообщается, настоял на отправке 2000 инженеров на новейшее предприятие компании в Пхёнтхэке, где выпускаются микросхемы HBM актуальных поколений. Этому «инженерному десанту» поручено повысить качество выпускаемой продукции соответствующего типа. Специалисты должны добиться того, чтобы при переносе новых технологий из лабораторий Samsung на конвейер не падало качество продукции. Официально Samsung подобные сообщения считает безосновательными.

По данным корейских СМИ, память HBM3E производства Samsung уже вряд ли сможет пройти сертификацию Nvidia в текущем году, но первая компания рассчитывает всё же сделать это в следующем. По информации Korean Economic Daily, в следующем году SK hynix освоит выпуск микросхем HBM4 с использованием 3-нм технологии, для чего уже сейчас сотрудничает с тайваньской TSMC. При этом Samsung пока рассчитывает при выпуске HBM4 ограничиться 4-нм технологией. Например, выпущенный по 3-нм техпроцессу базовый чип для HBM4 позволит поднять быстродействие на 20–30 % по сравнению с существующими 5-нм чипами. Samsung в таких условиях также интересуется возможностью сотрудничества с TSMC с целью получения доступа к 3-нм технологии. Необходимость навёрстывать отставание от конкурентов в сфере производства DRAM, по данным некоторых СМИ, вынуждает Samsung проводить реструктуризацию бизнеса и массовую чистку в рядах руководителей компании на полупроводниковом направлении.

На недавнем квартальном мероприятии глава и основатель Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) компанию Samsung в перечне партнёров не упомянул, но в интервью Bloomberg TV признался, что заинтересован в получении от этого поставщика памяти типа HBM3E. Попутно он выразил уверенность, что международное сотрудничество сохранится после прихода к власти в США Дональда Трампа (Donald Trump).

Источник изображения: Nvidia

Как отмечается в аннотации Bloomberg к интервью с Хуангом после его выступления в Гонконгском университете науки и технологии, возглавляемая им Nvidia заинтересована в получении как восьми-, так и 12-ярусных микросхем HBM3E. В конце октября Samsung Electronics объявила о прогрессе в сертификации HBM3E под нужды Nvidia, но руководитель последней на уходящей неделе не стал ставить Samsung в один ряд с SK hynix и Micron, говоря о партнёрах своей компании.

Во время своего выступления в Гонконге, как добавляет Reuters, основатель Nvidia выразил уверенность, что даже в случае усиления правил экспортного контроля США в сфере продвинутых средств вычислений Дональдом Трампом, международное сотрудничество в технологической сфере продолжится. Какие изменения принесёт новая администрация, Хуанг не знает, но Nvidia в любом случае будет подстраиваться под требования законов и правил, обеспечивая поддержку своих клиентов по всему миру с их учётом, а также развивать собственные технологии. В Гонконг Дженсен Хуанг был приглашён в связи с присвоением ему докторской степени местного университета.

Растущие потребности систем искусственного интеллекта в энергоснабжении, как пояснил Хуанг, не являются однозначным злом. С помощью подобных систем можно проектировать новые ветряные турбины, искать новые материалы для аккумуляторов и совершенствовать методы хранения гидроксида углерода в резервуарах. Мощные центры обработки данных необходимо строить вдали от густонаселённых районов и обеспечивать собственными возобновляемыми источниками энергии, как убеждён Хуанг. «Я надеюсь, что в конечном счёте мы увидим, что использование энергии для искусственного интеллекта станет лучшим способом её использования, какой только можно представить», — резюмировал он. Новая эра вычислений затронет все отрасли промышленности и области науки, по его словам.

Достигший возраста 61 года Хуанг также признался студентам в Гонконге, что хотел бы начать свою карьеру сейчас, поскольку весь мир сейчас сбрасывается к единым для всех начальным условиям, и молодых учёных есть все необходимые инструменты для продвижения во многих областях. Все научные проблемы, существовавшие ранее и имеющиеся сейчас, теперь кажутся решаемыми, по мнению Хуанга.

Попытки Samsung Electronics отвоевать у SK hynix приличную часть рынка микросхем памяти типа HBM пока не увенчались успехом, но первая из компаний делает ставку на адаптацию микросхем HBM4 под нужды конкретных заказчиков, которую начнёт осуществлять со следующего года, если верить южнокорейским СМИ.

Источник изображения: Samsung Members

Источники сообщают, что разработка полузаказных вариантов HBM4 для крупных клиентов Samsung уже началась, а к их массовому производству компания приступит до конца 2025 года. Первыми клиентами Samsung на данном направлении могут стать Microsoft и Meta✴ Platforms, которые занимаются разработкой собственных ускорителей вычислений, а потому нуждаются в более эффективной памяти. Базовая HBM4, как ожидается, увеличит скорость передачи информации относительно HBM3E на 66 % до 2 Тбайт/с, а предельная ёмкость увеличится на треть до 48 Гбайт на стек.

Samsung может оснастить свои микросхемы HBM4 не только собственными нейронными сопроцессорами для ускорения операций, связанных с работой систем искусственного интеллекта, но и дополнительными вычислительными блоками, адаптированными под потребность конкретных заказчиков. Данная особенность памяти поколения HBM4 и станет главным полем сражения конкурирующих производителей. Обычную HBM4 универсального типа Samsung тоже надеется начать выпускать до конца следующего года. Партнёром компании в этой сфере довольно неожиданно станет один из конкурентов — тайваньская TSMC, которая оказывает услуги по упаковке чипов с передовыми вариантами компоновки.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

В то время как Nvidia рассчитывает на скорое присоединение Samsung к числу поставщиков HBM3E для её нужд, сама южнокорейская компания довольно консервативно оценивает потребности рынка в памяти этого типа. По крайней мере, производственная программа на следующий год была сокращена почти на 15 % до 170 000 чипов в месяц.

Источник изображения: Nvidia

Об этом сообщило корейское представительство ZDNet со ссылкой на собственные источники. По их данным, Samsung Electronics не только консервативно оценивает потребности рынка в памяти HBM в целом, но и намерена замедлить строительство новых производственных линий. Во второй половине прошлого года Samsung намеревалась к концу текущего года довести ежемесячные объёмы выпуска микросхем HBM до 150 000 штук, а к концу 2025 года увеличить их до 200 000 штук.

В текущем полугодии, однако, ситуация изменилась. Чипы HBM3E в исполнении Samsung проходят сертификацию на соответствие требованиям Nvidia медленнее, чем планировалось, поэтому и потребность этого клиента в таких микросхемах производитель оценивает более консервативно. В ёмкостном выражении производственные планы Samsung по состоянию на конец следующего года скорректированы в сторону снижения с 13 до 12 Гбит. Решения о дальнейшем расширении производственных мощностей по выпуску HBM будут приниматься только после того, как начнутся массовые поставки HBM3E для нужд Nvidia. Сейчас последняя получает такую память от SK hynix и Micron Technology, но третий игрок рынка в лице Samsung до сих пор не может сертифицировать свою память под требования данного заказчика.

Выпуск восьмислойных стеков HBM3E компания рассчитала начать в третьем квартале, а во втором полугодии начать выпуск 12-слойных микросхем данного типа. Если доля HBM3E в выручке Samsung от реализации памяти HBM в целом в третьем квартале не превышала 10 %, то по итогам четвёртого квартала она должна была вырасти до 60 %.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).

Накануне южнокорейская компания SK hynix в официальном пресс-релизе сообщила, что приступила к массовому производству памяти типа HBM3E с 12-слойных стеках ёмкостью по 36 Гбайт. Это не только самая современная память такого типа, но и самая ёмкая из ныне выпускаемых. Клиенты SK hynix получат эту память к концу текущего года.

Источник изображения: SK hynix

Нетрудно догадаться, что среди этих клиентов будет Nvidia, поскольку SK hynix остаётся главным поставщиком HBM различных поколений для этого разработчика графических процессоров и ускорителей вычислений. До сих пор, как отмечается в пресс-релизе южнокорейской компании, предельный объём в 24 Гбайта обеспечивался 8-слойным стеком HBM3E. Чипы DRAM, формирующие стек, компании удалось сделать на 40 % более тонкими, что в итоге позволило увеличить ёмкость стека на 50 % по сравнению с 8-слойным вариантом. SK hynix приступила к поставкам 8-слойных стеков HBM3E в марте этого года, поэтому соответствующий прогресс был ею достигнут всего за шесть месяцев.

С 2013 года SK hynix поставляет полный спектр микросхем семейства HBM. Скорость передачи информации в 12-слойном стеке HBM3E достигает 9,6 Гбит/с. Увеличение количества слоёв в стеке при одновременном уменьшении толщины каждого слоя сочетается с улучшением свойств теплопроводности на 10 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. На утренних торгах в Сеуле котировки акций SK hynix выросли на 8,3 % после заявления о начале производства самой современной памяти семейства HBM. Всего с начала года акции компании укрепились в цене более чем на 25 %. Такой динамике способствовал и благоприятный прогноз по выручке на текущий квартал от конкурирующего производителя памяти Micron Technology.

Южнокорейская компания SK hynix, второй по величине производитель микросхем памяти в мире, начнёт массовый выпуск 12-слойных стеков высокоскоростной памяти HBM3E к концу текущего месяца. Об этом пишет издание Reuters со ссылкой на заявление одного из руководителей высшего звена производителя.

Источник изображения: SK hynix

Заявление о скором старте массового производства памяти HBM3E сделал Джастин Ким (Justin Kim), президент и глава подразделения SK hynix для ИИ-инфраструктуры, выступая на отраслевом форуме Semicon Taiwan в Тайбэе.

SK hynix ещё в июле раскрыла планы по поставкам чипов памяти HBM нового поколения (12-слойных HBM3E). Производитель сообщил, что массовые поставки таких чипов запланированы на четвёртый квартал этого года, а памяти HBM4 начнутся со второй половины 2025 года.

Память с высокой пропускной способностью (HBM) — это один из типов динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Стандарт был впервые представлен в 2013 году. Для экономии места и снижения энергопотребления эти чипы памяти состоят из нескольких кристаллов, наложенных друг на друга. Основное применение таких стеков памяти сегодня — специализированные графические ускорители для работы с алгоритмами искусственного интеллекта (ИИ). Использование памяти с высокой пропускной способностью позволяет обрабатывать огромные объёмы данных, необходимых для обучения моделей ИИ.

В мае генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) заявил, что компания набрала заказов на производство памяти HBM на весь 2024 год и почти закрыла весь 2025 год.

Помимо SK hynix ключевыми поставщиками памяти HBM являются компании Micron и Samsung Electronics. SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для Nvidia. В конце марта производитель поставил образцы памяти HBM3E одному из своих клиентов, однако в SK hynix отказались уточнять, кому именно.

На этой неделе, как сообщает Business Korea, технический директор южнокорейского стартапа Rebellions О Чжин Ук (Oh Jin-wook) признался в намерениях ускорить вывод на рынок ускорителя вычислений Rebel Quad, который будет сочетать четыре стека памяти Samsung HBM3E с 12 ярусами в каждом. Ускоритель выйдет на рынок до конца года и будет почти полностью производиться Samsung Electronics.

Источник изображения: Rebellions

Корейская компания пытается составить конкуренцию ускорителям Nvidia и AMD, её решения также могут использоваться в системах искусственного интеллекта. Примечательно, что первое поколение ускорителей Atom компании Rebellions использовало микросхемы памяти типа GDDR6 совокупным объёмом 16 Гбайт, и новинка Rebel Quad будет первенцем марки с памятью типа HBM. Четыре стека HBM3E в 12-ярусном исполнении обеспечат совокупный объём памяти 144 Гбайт, и это позволяет изделию южнокорейского стартапа сравниться с ускорителями Nvidia семейства Blackwell.

Непосредственно чип ускорителя Rebel Quad будет выпускаться компанией Samsung по 4-нм технологии, она же займётся и упаковкой, поэтому в этом отношении подрядчик предложит Rebellions комплексные услуги. Представители стартапа подчеркнули, что сейчас не рассматривают возможность сотрудничества с TSMC. Примечательно, что недавно Rebellions поглотила конкурирующую южнокорейскую компанию Sapeon, которая использует в своих ускорителях память типа SK hynix. Впрочем, схема сотрудничества с Samsung вряд ли оставляет Rebellions возможность присматриваться к другим поставщикам памяти.

Ведущим производителем передовых версий памяти HBM остаётся компания SK hynix, которая в то же время уступает Samsung Electronics по общим масштабам производства. Необходимость переориентировать под выпуск HBM3 и HBM3E часть линий по производству DDR5 вынуждает участников рынка повышать цены на последний тип продукции. В результате SK hynix повысила цены на DDR5 на 15–20 %.

Источник изображения: SK hynix

Если бы рост цен осуществлялся за счёт более естественных факторов цикличного возвращения спроса на DRAM, то он не был бы таким заметным. Развитие систем искусственного интеллекта провоцирует рост спроса не только на микросхемы HBM, но и классическую DDR, поскольку требуются всё новые серверные мощности, которые за счёт одних только ускорителей вычислений с памятью HBM не масштабируются.

В этом году SK hynix рассчитывает переориентировать на выпуск HBM более 20 % своих мощностей по выпуску DRAM, тогда как Samsung Electronics готова пожертвовать 30 % существующих линий по выпуску DRAM. Правда, чтобы реализовать эти намерения с наибольшей отдачей, Samsung сначала должна заручиться крупными заказами от той же Nvidia, а пока из комментариев представителей южнокорейской компании понятно лишь то, что процесс сертификации данной продукции под требования этого заказчика всё ещё продолжается.