На прошлой неделе информированные источники сообщили, что компании Samsung Electronics после неоднократных попыток удалось сертифицировать свои 8-слойные чипы памяти типа HBM3E под требования Nvidia, а потому их поставки для нужд этого заказчика начнутся в следующем квартале. Samsung не стала прямо комментировать данные слухи, но дала понять, что тестирование продукции ведётся в соответствии с намеченными ранее планами.

Источник изображения: Samsung Electronics

Редкий для подобных случаев комментарий представители южнокорейского производителя памяти дали ресурсу Seeking Alpha: «Samsung Electronics сейчас находится в процессе оптимизации наших продуктов за счёт тесного взаимодействия с различными клиентами, и тестирование осуществляется в соответствии с намеченными планами». Можно предположить, что под «оптимизацией» продукции Samsung подразумевает изменение технологии выпуска своих микросхем HBM3E, чтобы довести их характеристики до требований Nvidia.

На прошлой неделе также звучали опровержения от южнокорейских СМИ на тему получения Samsung долгожданного сертификата Nvidia, и заявления официальных представителей Samsung позволяют лишь убедиться, что сертификационная работа продолжается в соответствии с графиком, но судить о её результатах пока не представляется возможным. Не исключено, что тема будет обсуждаться на квартальном отчётном мероприятии Nvidia, которое намечено на конец текущего месяца.

Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Новейшая память HBM3E компании Samsung Electronics длительное время не могла попасть в цепочки поставок Nvidia, поскольку не проходила сертификационные тесты, и теперь осведомлённые источники сообщает, что 8-слойные микросхемы Samsung этого типа наконец-то прошли сертификацию крупнейшего разработчика чипов для систем искусственного интеллекта.

Об этом сообщило агентство Reuters со ссылкой на три независимых источника. Формально, данный этап открывает перед продукцией Samsung этого типа путь к долгожданному сотрудничеству с Nvidia, поскольку до сих пор из трёх существующих производителей HBM3E только Samsung не могла похвастать наличием необходимых сертификатов. Лидирующим поставщиком HBM3E для нужд Nvidia, как известно, является SK hynix, которая контролирует около половины рынка микросхем этого типа.

Samsung при этом только предстоит пройти сертификацию Nvidia для микросхем HBM3E с 12 ярусами, поэтому южнокорейский гигант всё равно остаётся в положении догоняющего по сравнению со своими конкурентами. В случае с 8-ярусными стеками HBM3E компания Samsung ещё только должна подписать контракт с Nvidia, чтобы приступить к их поставкам этому клиенту в четвёртом квартале текущего года. Считается, что ради соответствия требованиям Nvidia компании Samsung пришлось внести серьёзные изменения в конструкцию и технологию изготовления микросхем памяти типа HBM3E.

Недавно сообщалось, что менее современная память HBM3 марки Samsung была сертифицирована Nvidia для использования в составе ускорителей вычислений, ориентированных на китайский рынок. По оценкам TrendForce, микросхемы поколения HBM3E по итогам текущего года станут доминирующим типом HBM, основной объём их поставок придётся на второе полугодие. Непосредственно Samsung рассчитывает довести долю HBM3E до 60 % поставок в структуре чипов семейства HBM к концу этого года.

Глава полупроводникового подразделения Samsung Electronics, Чун Юн Хён (Jun Young Hyun), предупредил, что крупнейшая компания Южной Кореи рискует попасть в «порочный круг», если не изменит свою корпоративную культуру. Это заявление было сделано всего через несколько месяцев после его назначения. И на фоне попыток догнать SK Hynix в сегменте памяти для ускорителей вычислений Nvidia.

Источник изображения: Samsung Electronics

В прошлом году Samsung столкнулась с серьёзными трудностями из-за отсутствия внутренних инноваций и слабой коммуникации между отделами. В своей короткой служебной записке Чун Юн Хён отметил, что для сохранения роста компания должна устранить коммуникационные барьеры между отделами и прекратить замалчивать проблемы: «Нам нужно восстановить культуру ожесточённых споров, которая уникальна для полупроводниковой сферы. Если мы будем полагаться на рынок без восстановления фундаментальной конкурентоспособности, мы застрянем в порочном круге, который повторит прошлогоднюю ситуацию».

В заявлении Чун Юн Хёна чувствуется разочарование из-за ошибок Samsung на рынке памяти для ускорителей вычислений Nvidia. В то время как Samsung недавно сообщила о самом быстром росте чистой прибыли с 2010 года, новый глава подразделения перечислил множество проблем, которые подрывают долгосрочную конкурентоспособность южнокорейского гиганта. Важно отметить, что значительная часть этого роста была обусловлена общим восстановлением рынка, а не инновациями компании.

Тем не менее, конгломерат начал добиваться прогресса в сокращении разрыва с SK Hynix. Samsung достигла важного успеха, получив долгожданное одобрение от Nvidia своих высокоскоростных чипов памяти HBM3 и ожидает одобрения следующего поколения, HBM3E, через два-четыре месяца. Это показывает, что компания предпринимает шаги для улучшения своей позиции на рынке.

Для крупнейшей компании Южной Кореи довольно необычно играть роль догоняющего, ведь исторически Samsung всегда была лидером на рынке благодаря своему масштабу и инженерному мастерству. Однако текущие вызовы подчёркивают необходимость не только технологических, но и культурных изменений внутри компании.

«Сейчас мы находимся в сложной ситуации. Благодаря накопленному опыту исследований и ноу-хау мы уверены, что быстро восстановим свои конкурентные преимущества», — заявил Чун Юн Хён. Признание ошибок и активная работа над их устранением дают Samsung шанс вернуть лидирующие позиции на рынке полупроводников. Однако без значительных изменений в корпоративной культуре компания рискует продолжить сталкиваться с теми же проблемами, что и ранее.

На исходе первого месяца третьего квартала многие компании поспешили подвести итоги квартала предыдущего, Samsung Electronics оказалась в их числе. Если предварительные данные о величине выручки и операционной прибыли компании были известны ещё в первой половине месяца, то подробную отчётность она опубликовала только сегодня. Как выяснилось, чистая прибыль Samsung взлетела в шесть раз до $6,96 млрд.

Источник изображения: Samsung Electronics

Аналитики, между тем, как поясняет Bloomberg, рассчитывали только на $5,8 млрд чистой прибыли. Ранее компания заявляла об увеличении операционной прибыли в 15 раз по итогам второго квартала до $7,6 млрд, а также о росте выручки на 23 % до $53,5 млрд. Подобная динамика наблюдается впервые с 2021 года. Вполне предсказуемо, локомотивом роста оказался бизнес Samsung по выпуску полупроводниковой продукции. На этом направлении операционная прибыль достигла $4,7 млрд, поскольку рост цен на память в целом сопровождался ростом спроса на микросхемы типа HBM. Выручка от реализации последних по сравнению с первым кварталом выросла более чем на 50 %. Сейчас микросхемы HBM3E формируют не более 10 % профильной выручки Samsung. Поставки памяти этого типа компания намерена осуществлять в интересах сразу нескольких клиентов, но называть их имена она категорически отказывается.

Представители Samsung не стали комментировать недавние слухи о получении одобрения на поставку HBM3 для нужд Nvidia, сославшись на строгие контрактные взаимоотношения с клиентами, но подчеркнули, что до конца года собираются увеличить долю выручки от поставок HBM3E до 60 % от всех средств, получаемых в сегменте HBM. В следующем году компания собирается удвоить объёмы выпуска микросхем семейства HBM, а во второй половине этого увеличит их в 3,5 раза относительно первого полугодия.

Расходы на исследования и разработки Samsung по итогам прошлого квартала выросли на 11 % до рекордных $5,8 млрд. Забастовка сотрудников, которая началась несколько недель назад, на ритмичности выпуска продукции Samsung не сказалась, как подчёркивает руководство.

Южнокорейский гигант был вынужден признать, что в этом году поставки микросхем памяти для сегмента ПК и смартфонов будут ограничены, поскольку приоритет будет отдаваться серверному сегменту в целом и HBM в частности. Выручка в сегменте смартфонов, как ожидают в Samsung, будет расти, но преимущественно за счёт спроса на дорогие модели с функциями ИИ, тогда как в начальном ценовом сегменте спрос замедлится. Серия Galaxy S24 продолжает пользоваться стабильным спросом, как отметили представители Samsung. Отрицательная динамика выручки во втором квартале в сегменте смартфонов в целом обусловлена сезонными факторами, по их словам.

Во втором полугодии, как ожидается, спрос на серверные компоненты останется на высоком уровне, причём не только за счёт DDR и HBM, но и твердотельной памяти 3D NAND для накопителей. Компания готова расширять производство HBM3E во втором полугодии, а ещё в серверном сегменте высоким спросом пользуются твердотельные накопители.

Как пояснили представители Samsung на квартальном отчётном мероприятии, 8-слойные стеки HBM3E компания готова начать поставлять клиентам уже в этом квартале, поскольку данный вид продукции ими был одобрен. Массовое производство 12-слойных стеков HBM3E планируется начать до конца второго полугодия. Микросхемы типа HBM4 компания рассчитывает поставить на конвейер во второй половине 2025 года.

Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.

Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Ещё в марте появились первые новости о намерениях Nvidia в скором времени одобрить использование памяти типа HBM3E производства Samsung для оснащения своих ускорителей вычислений. Подобным правом давно пользуется SK hynix, недавно к ней присоединилась и Micron. На Computex 2024 основатель Nvidia был вынужден признать, что работа по сертификации продукции Samsung ведётся, но она ещё требует усовершенствования.

Источник изображения: LinkedIn

Это был первый внятный комментарий официальных представителей заинтересованных компаний по ситуации с сертификацией микросхем HBM3E марки Samsung для нужд Nvidia, но генеральный директор последней Дженсен Хуанг (Jensen Huang), как поясняет Bloomberg, при попытке журналистов вытянуть из него дополнительные комментарии по поводу недавней публикации Reuters на эту тему, просто дал понять, что ему нечего сказать в данном случае. При этом он признался, что процедура сертификации памяти HBM (обобщённо) марки Samsung действительно ведётся, но некоторая инженерная работа ещё не завершена. Сам глава компании хотел бы, чтобы всё было готово «ещё вчера», но в действительности Nvidia приходится запасаться терпением.

Напомним, что в недавней публикации Reuters говорилось о неудачной попытке Samsung пройти сертификацию своей памяти HBM3E по стандартам Nvidia, якобы из-за повышенного энергопотребления и тепловыделения соответствующих микросхем. Глава Nvidia специфику существующих проблем пояснять не стал, но дал понять, что определённую работу ещё предстоит проделать. Представители Samsung своё недовольство подобными слухами тоже выражали, но в не очень конкретных формулировках, которые не позволяли судить об истинном положении дел.

На уходящей неделе агентство Reuters сообщило, что по состоянию на апрель этого года микросхемы HBM3 и HBM3E производства Samsung Electronics так и не смогли пройти квалификационные тесты Nvidia, и в результате данная продукция корейской марки до сих пор не может использоваться для оснащения ускорителей вычислений американского партнёра. Samsung данную информацию попыталась опровергнуть.

Источник изображения: Samsung Electronics

Сделано это было, если опираться на публикацию Business Korea, в весьма неопределённых формулировках. «Мы в настоящее время тесно работаем с многими компаниями и непрерывно тестируем технологии и производительность продукции. Мы проводим различные тесты, чтобы тщательно подтверждать качество и быстродействие HBM», — гласило заявление представителей Samsung Electronics. Компания подчеркнула, что стремится улучшать качество и надёжность всей продукции, чтобы обеспечить клиентов наилучшими решениями.

Поскольку HBM3E или даже HBM3, а также имя Nvidia в этом контексте непосредственно не упоминались, по заявлениям Samsung сложно сформировать представление об истинном положении дел с сертификацией данных типов памяти для нужд американского клиента. В прошлом месяце Samsung приступила к массовому производству 8-ярусных стеков HBM3E, к производству 12-ярусных она намеревается приступить до конца текущего квартала. «Мы предпринимаем усилия по обеспечению качества и повышения надёжности всех своих продуктов», — отметили представители Samsung Electronics.

Производство микросхем HBM требует большого количества кремниевых пластин не только по причине большой общей площади кристаллов, но и из-за достаточно высокого уровня брака. Если исторически уровень выхода годных кристаллов при выпуске HBM не превышал 40–60 %, то SK hynix удалось поднять показатель до 80 %.

Источник изображения: SK hynix

Об этом в интервью Financial Times заявил директор по управлению качеством SK hynix Квон Чжэ Сун (Kwon Jae-soon). Одновременно компании удалось сократить длительность производственного цикла HBM3E на 50 %. До сих пор считалось, что уровень выхода годной продукции HBM3E при производстве SK hynix не превышал 60–70 %, но и это считалось весьма приличным показателем. Заявляемый же уровень в 80 % превосходит эти ожидания и демонстрирует успех SK hynix в оптимизации своих производственных процессов.

В 2025 году SK hynix рассчитывает освоить массовое производство памяти HBM4 в 12-ярусном исполнении, её партнёром в этой сфере выступает тайваньская TSMC. Конкурирующая Samsung рассчитывает освоить выпуск памяти этого поколения только в 2026 году. К тому времени SK hynix уже собирается наладить выпуск 16-ярусных стеков HBM4.

Упоминая о планах Samsung наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E в текущем полугодии, представитель SK hynix отметил, что клиентами компании сейчас наиболее востребованы именно 8-ярусные стеки HBM3E, поэтому на их производстве компания и сосредоточена в настоящее время. Сама SK hynix собирается начать поставки 12-ярусных стеков HBM3E в третьем квартале.

После мартовской конференции GTC 2024 в Сети стала часто мелькать фотография со стенда Samsung Electronics с одобрительной резолюцией главы Nvidia рядом с образцами 12-ярусной памяти типа HBM3E. Многие поверили, что это приближает память этой марки к массовому использованию в ускорителях Nvidia, но источники Reuters заверяют, что эта продукция корейской компании до сих пор не устраивает по своим характеристикам потенциального заказчика.

Источник изображения: Samsung Electronics

По крайней мере, апрельский этап сертификационных тестов предоставленные Samsung образцы 8- и 12-ярусной памяти HBM3E, а также более зрелой HBM3 всё равно провалили, поскольку демонстрировали более высокий уровень энергопотребления и тепловыделения, чем нужно Nvidia. Попытки пройти эти тесты Samsung предпринимает с прошлого года, но пока они так и не завершились успехом. Между тем, Samsung собирается начать поставки 12-слойных микросхем HBM3E заказчикам до конца следующего месяца, потенциально опережая лидирующую в этом сегменте SK hynix. В то же время, Micron Technology уже заявила, что её микросхемы HBM3E будут поставляться для нужд Nvidia в этом году. По сути, являясь крупнейшим производителем большинства типов памяти в мире, Samsung до сих пор не может стать поставщиком HBM3 и HBM3E для нужд Nvidia.

Не исключено, что недавняя смена руководства в подразделении Samsung Electronics, отвечающем за выпуск полупроводниковой продукции, как раз является последствием проблем южнокорейской компании с удовлетворением потребностей Nvidia. При этом Samsung начала коммерческие поставки HBM первого поколения ещё в 2015 году, и её нельзя назвать новичком в этом сегменте рынка. Первопроходцем, тем не менее, остаётся SK hynix, которая разработку HBM завершила в 2013 году.

Как добавляет Financial Times со ссылкой на руководителя SK hynix по контролю за качеством Квон Чжэ Суна (Kwon Jae-soon), этот производитель сейчас считает приоритетной задачей наращивать объёмы выпуска 8-слойной памяти HBM3E, как наиболее востребованной клиентами. Компании удалось поднять уровень выхода годной продукции в сегменте HBM3E до солидных 80 %, а время производственного цикла сократить на 50 %. Именно борьба с браком обеспечивает бизнес компании на этом направлении необходимыми финансовыми ресурсами и создаёт основу для дальнейшего успешного развития. HBM4 компания разрабатывает в сотрудничестве с TSMC и рассчитывает выпустить в 2025 году, на год раньше Samsung. С этой точки зрения готовность последней наладить поставки 12-ярусных стеков HBM3E к концу полугодия SK hynix не особо беспокоит.

Экспансию производства памяти типа HBM с не совсем очевидной стороны попробовали оценить аналитики TrendForce. По их мнению, к концу этого года на производство HBM будут уходить до 35 % кремниевых пластин, обрабатываемых с использованием передовой литографии, применяемых для выпуска оперативной памяти (DRAM).

Источник изображения: Micron Technology

Если рассматривать техпроцессы 10-нм класса в целом, то они к концу года, по мнению специалистов TrendForce, будут использоваться для обработки до 40 % кремниевых пластин, используемых при производстве памяти DRAM. Как можно понять, основная часть таких пластин будет направляться в производство HBM. Во-первых, при выпуске HBM не так уж высок уровень выхода годной продукции, он сейчас составляет 50 или 60 % от силы. Во-вторых, кристаллы чипов памяти HBM имеют на 60 % большую площадь по сравнению с другими популярными типами DRAM, поэтому с одной пластины можно получить меньше чипов HBM, пригодных для использования по назначению. Соответственно, для выпуска памяти HBM по этой причине требуется больше кремниевых пластин. Если 35 % передовых пластин к концу года будут использоваться при производстве HBM, то оставшиеся 65 % распределят между собой LPDDR5X и DDR5.

Более того, эксперты TrendForce считают, что HBM3E в этом году успеет стать доминирующим на конвейере типом памяти HBM. Компании SK hynix и Micron её уже выпускают в массовых количествах для Nvidia, используя техпроцессы 10-нм класса типа «бета» для обработки кремниевых пластин. Компания Samsung Electronics готовится начать поставки своей памяти HBM3E для нужд Nvidia в середине текущего года. Она будет использовать техпроцессы 10-нм класса типа «альфа» для обработки соответствующих кремниевых пластин.

Спрос на кремниевые пластины при выпуске DRAM растёт ещё и по причине повышения среднего объёма памяти в удельном выражении на одно устройство. Больше всего тенденция выражена в серверном сегменте, где средний объём ОЗУ для сервера достиг 1,75 Тбайт из-за высокой популярности систем искусственного интеллекта. К концу текущего года, помимо прочего, DDR5 начнёт доминировать на рынке ОЗУ, перевалив за 50 % в показателях доли рынка.

Во втором полугодии вырастет сезонный спрос как на HBM3E, так и на DDR5 и LPDDR5X. При этом производители памяти будут осторожно наращивать свои мощности после ударившего по ним в прошлом году кризиса перепроизводства. Поскольку больше кремниевых пластин будет требоваться для выпуска HBM3E, то может возникнуть дефицит сырья для производства DDR5 и LPDDR5X. Цены на два последних типа памяти могут в результате вырасти.

Производители DRAM при этом могут столкнуться с полной загрузкой своих существующих предприятий к концу этого года, а планы по расширению мощностей они будут реализовывать лишь в следующем, поэтому в какой-то момент может сложиться дефицит мощностей по выпуску микросхем DRAM. Ускорители вычислений типа Nvidia GB200, оснащаемые 384 Гбайт памяти HBM3E в максимальной конфигурации, будут только усиливать спрос на память соответствующего типа. Разработка HBM4 тоже будет поддерживать тенденцию к росту спроса на кремниевые пластины, поэтому нехватка мощностей может стать серьёзной проблемой для производителей прочих типов DRAM. Финансировать же строительство новых линий они готовы лишь в том случае, если цены на память будут достаточно высокими, чтобы получать подходящую для этого прибыль.

Выступая на конференции Nvidia GTC 2024 в марте, гендиректор компании Дженсен Хуанг (Jensen Huang) не скрывал своего энтузиазма в отношении чипов памяти HBM — он называл их «технологическим чудом» и неотъемлемой частью революции искусственного интеллекта. Эти чипы Nvidia закупает у корейской SK hynix, но поскольку спрос на ИИ-ускорители продолжает расти, расширяется и список поставщиков. Это вызывает ожесточённую конкуренцию среди производителей чипов памяти за перспективный источник дохода, пишет Nikkei.

Источник изображения: skhynix.com

Явным лидером сегмента HBM является SK hynix, удерживающая более половины мирового рынка, но её стремятся догнать Samsung и Micron, соревнуясь с лидером в технологиях, по цене и другим критериям. Если упростить, HBM — это несколько чипов DRAM (Direct Random-Access Memory), объединённых с помощью технологии 3D-монтажа для увеличения производительности и эффективности. Конкурентоспособность производителей такой памяти определяется не только качеством чипов DRAM, но и передовыми методами их объединения, а это непростая задача, ведь если хотя бы на одном из уровней возникает проблема, в негодность приходит весь продукт. Важнейшей характеристикой при выпуске HBM становится показатель выхода годной продукции.

Три крупнейших игрока рынка памяти делают ставку на HBM, поскольку здесь достигается значительная ценовая надбавка: эта память стоит примерно впятеро дороже DDR5 — самого продвинутого типа DRAM в ПК. По итогам текущего года, считают аналитики, доля HBM на рынке DRAM составит уже 20 % в денежном выражении, а в 2025 году вырастет до 30 %. SK hynix уверена, что сможет сохранить лидерство за счёт своей технологии объединения чипов памяти MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill). Первый в мире компонент HBM компания разработала ещё десять лет назад для использования в видеоиграх, но востребованным этот тип памяти стал лишь с появлением генеративного ИИ. Последняя версия в этом сегменте — HBM3e, которую Nvidia намеревается внедрить в этом году.

Источник изображения: samsung.com

Доля SK hynix на мировом рынке HBM по итогам 2024 года составит 52 %, считают аналитики Trendforce. Samsung станет второй с показателем 42,4 %, а Micron достанутся лишь 5 % рынка. Для Samsung, привыкшей идти впереди своего меньшего соотечественника, это некоторый повод для беспокойства — сейчас она активно старается наверстать упущенное и намеревается начать поставки чипов HBM3e во II квартале. Это даст ей шанс опередить SK hynix, которая собирается наладить поставки этих чипов Nvidia только в III квартале. В руководстве Samsung сообщили, что вывод HBM3e на рынок идёт без сбоев и в соответствии с графиком клиента. Имя клиента корейский производитель не назвал, но в марте Nvidia сама подтвердила, что тестирует образцы HBM от Samsung.

Но технологическая разница между чипами памяти SK hynix и Samsung всё же существует и сохранится ещё какое-то время. Есть ещё один претендент, на которого стоит обратить внимание. В феврале американская Micron запустила массовое производство чипов HBM3e — они потребляют значительно меньше, чем продукция конкурентов, и также будут использоваться в ускорителях Nvidia H200. Бум ИИ пошёл на пользу Micron, которая вернулась к прибыльности на квартал раньше запланированного срока из-за роста спроса на ИИ-серверы. Недавно компания похвасталась, что уже распродала всю память HBM3e, которую выпустит в 2024 году и распределила значительную часть заказов на 2025 год.

К сегменту HBM присматриваются и другие участники рынка. Powertech, крупнейший в мире поставщик услуг по упаковке и тестированию чипов памяти, считает, что в перспективе HBM будет использоваться даже в ПК и бытовой электронике. В компании Globalwafers, третьем по величине производителе кремниевых пластин в мире, считают, что во второй половине текущего года HBM станет одним из ключевых направлений роста, а в перспективе она вообще изменит отрасль памяти. Но есть и другое мнение: приход Samsung на рынок HBM3e может уже в 2025 году спровоцировать кризис перепроизводства, считает аналитик Kiwoom Securities Пак Ю Ак (Pak Yu-ak).

По данным TrendForce, уже сейчас покупатели HBM ведут с поставщиками переговоры о ценах и объёмах поставок памяти данного типа на 2025 год, и в это легко поверить, оглядываясь на заявление SK hynix о распределении основной части производственных квот на следующий год. По прогнозам аналитиков, в этом году спрос на HBM вырастет на 200 %, а в следующем удвоится от этого уровня.

Источник изображения: SK hynix

В прошлом году на долю HBM приходилось 2 % мирового объёма производства DRAM в натуральном выражении, а в стоимостном доля достигала 8 %, поскольку одна микросхема HBM в среднем в пять раз дороже DDR5. В текущем году в программе выпуска DRAM память типа HBM может занять 5 % в натуральном измерении, а в стоимостном её доля может перевалить за 20 %, как считают эксперты TrendForce. Наконец, в следующем году HBM будет формировать более 10 % объёмов производства DRAM в натуральном измерении, а в стоимостном выражении её доля превысит 30 %.

В этом квартале, как сообщает источник, поставщики предварительно увеличили стоимость микросхем памяти HBM2E, HBM3 и HBM3E на 5–10 % для контрактов со сроком поставки в 2025 году. Как уже отмечали недавно SK hynix, Samsung Electronics и Micron Technology, все три компании готовы начать поставки микросхем HBM3E в текущем полугодии, просто в случае с Micron это будут только восьмиярусные стеки, а два других производителя готовы предложить 12-ярусные. Пока уровень выхода годной продукции при выпуске микросхем HBM3E не превышает 40–60 %, но с течением времени увеличатся объёмы производства, вырастет качество, а цены снизятся. Пока память типа HBM3E используется преимущественно в ускорителях вычислений Nvidia, но с четвёртого квартала этого года к ним присоединятся и ускорители AMD, причём сразу потребляя 12-ярусные стеки.

Южнокорейская SK hynix пока остаётся главным поставщиком микросхем памяти типа HBM для нужд Nvidia, но ей пытаются составить конкуренцию и Samsung Electronics, и Micron Technology. Корейские СМИ сообщают, что Nvidia стимулирует обострение конкуренции между поставщиками HBM, стремясь получить более выгодные для себя цены на их продукцию.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, недавно из уст представителей SK hynix прозвучали обещания начать поставки образцов 12-ярусных стеков HBM3E своим клиентам, а в третьем квартале приступить к их массовому производству. Подобная активность в информационном поле, как считают представители Business Korea, связана с действиями компании Nvidia, которая не особо скрывает намерения конкурирующих поставщиков HBM от друг друга, пытаясь обострить соперничество и тем самым добиться более выгодных для себя условий закупки.

Недавний визит председателя совета директоров SK Inc. Чэй Тэ Вона (Chey Tae-won) в США, который в конце апреля встретился с главой и основателем Nvidia Дженсеном Хуангом (Jensen Huang), как принято считать, был связан как раз с этой темой. Конкурирующая Samsung Electronics начать поставки 12-ярусной HBM3E пообещала до конца текущего полугодия, поэтому SK hynix позже пришлось раскрыть свои аналогичные намерения. Не осталась в стороне даже Micron, которая пока способна выпускать только 8-ярусные стеки HBM3E, но от соответствующих заявлений не воздерживается. По словам корейских источников, все эти действия поставщиков HBM могут быть вызваны активностью Nvidia, которая сильнее давит на них как в графике начала поставок новейшей памяти, так и в вопросах цены.