На страницах корпоративного блога Intel на этой неделе появилась публикация со встроенной презентацией, которую производственное подразделение компании подготовило к мероприятию VLSI Symposium. Среди весьма специфичной информации, которая представляет интерес для узких специалистов, было рассказано о тех преимуществах, которые принесут различные версии техпроцесса Intel 3.

Источник изображений: Intel

С докладом на эту тему выступил вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения Валид Хафез (Walid Hafez), отметивший, что освоение техпроцессов семейства Intel 3 является для компанией важным этапом реализации плана 5N4Y, подразумевающего внедрение пяти новых техпроцессов за четыре года, начиная с 2021 года.

Ещё в конце прошлого года первая версия техпроцесса Intel 3 достигла стадии готовности к серийному производству, а в настоящее время он используется для выпуска продукции на экспериментальной линии в штате Орегон, а также на предприятии Intel в Ирландии. С помощью техпроцесса Intel 3 компания будет изготавливать не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы по заказам сторонних клиентов.

Внутри семейства Intel 3 предусмотрено сразу четыре варианта техпроцесса, которые найдут применение на разных этапах для производства компонентов различного назначения. Intel 3-T от базового Intel 3 будет отличаться применением межслойных соединений, позволяющих использовать сложную пространственную компоновку чипов, включая и варианты с размещением микросхем памяти поверх кристалла с вычислительными ядрами. Техпроцессы Intel 3 и Intel 3-T будут использоваться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также изготовления подложек многокристальных чипов. По сравнению с техпроцессом Intel 4, они обеспечат улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра, а также повышение плотности размещения транзисторов на 10 %.

Техпроцесс Intel 3-E обеспечит дополнительные возможности по интеграции с разнородными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он будет применяться для выпуска чипсетов и компонентов систем хранения данных. Наконец, разновидность Intel 3-PT объединит преимущества трёх предыдущих в рамках одних технологических норм. Шаг межслойных соединений удастся уменьшить до 9 мкм, а для объединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит дополнительно увеличить плотность компоновки чипов в одной трёхмерной упаковке. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT будет использовать FinFET-структуру транзисторов. С его помощью будут изготавливаться как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с самой сложной структурой и высокой производительностью. Средства разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, подразумевают использование библиотек с нормами 240 нм, ориентированных на создание высокопроизводительных чипов, а также библиотек с нормами проектирования 210 нм, используемыми для повышения плотности размещения транзисторов.

В рамках техпроцесса Intel 20A позже компания собирается внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подвода питания с обратной стороны кремниевой пластины PowerVia. Об этих нововведениях Intel подробно расскажет отдельно в будущем.

Контрактный производитель чипов Intel Foundry Services (IFS) и ведущий производитель аналоговых полупроводников Tower Semiconductor объявили о соглашении, согласно которому Intel предоставит Tower свои мощности для производства чипов на 300-мм пластинах. Tower получит доступ к современному предприятию Intel в Нью-Мексико и инвестирует до $300 млн в оборудование и другие основные средства, получив мощности, способные на экспонирование более 600 000 фотомасок в месяц.

Источник изображения: Intel

Это соглашение демонстрирует стремление IFS и Tower расширить сотрудничество за счёт свежих бизнес-решений и масштабируемых возможностей. На Intel Fab 11X в Рио-Ранчо, Нью-Мексико будут производиться 65-нанометровые микросхемы управления питанием по технологии BCD (биполярные КМОП/ДМОП).

Генеральный менеджер IFS Стюарт Панн (Stuart Pann) заявил: «Мы запустили Intel Foundry Services с долгосрочной целью создать первую в мире полупроводниковую фабрику с открытой системой, которая объединит в безопасную, устойчивую и отказоустойчивую цепочку поставок всё лучшее от экосистемы Intel. Мы очень рады, что Tower видит уникальную ценность, которую мы предоставляем, и выбрала нас своим партнёром в США».

Генеральный директор Tower Рассел Элвангер (Russell Ellwanger) солидарен со своим коллегой: «Мы рады продолжить сотрудничество с Intel которое позволяет нам удовлетворять потребности наших клиентов, уделяя особое внимание усовершенствованным решениям в области управления питанием и устройств по высокочастотной технологии кремний-на-изоляторе (RF SOI), полномасштабный запуск технологического процесса запланирован на 2024 год. Мы рассматриваем это как первый шаг к множеству уникальных синергетических решений с Intel».

Это соглашение показывает, как IFS обеспечивает доступ к производственным мощностям глобальной производственной сети Intel, расположенной в США, Европе, Израиле и Азии. Помимо существующих инвестиций в Орегоне и запланированных инвестиций в Огайо, Intel уже более 40 лет инвестирует и внедряет инновации в юго-западном регионе США, с офисами в Аризоне и Нью-Мексико. Ранее Intel объявила об инвестициях в размере $3,5 млрд в расширение операций в Нью-Мексико и оснащение своего инновационного кампуса в Рио-Ранчо для запуска инновационных технологий упаковки полупроводников.

Для Tower это следующий шаг на пути к увеличению масштабов обслуживания расширяющейся клиентской базы. 65-нм технология BCD компании Tower предлагает клиентам повышенную энергоэффективность, а также уменьшенные размеры и стоимость кристалла благодаря лучшему в своём классе показателю RDSon (сопротивление сток — исток). Аналогичным образом, технология RF SOI компании Tower, использующая 65-нм техпроцесс, помогает снизить расход заряда батареи мобильных телефонов и улучшить беспроводные соединения благодаря лидирующему в своём классе показателю RonCoff (соотношение потерь радиосигнала).

IFS является важнейшим элементом стратегии Intel IDM 2.0, и сегодняшнее партнёрство представляет собой ещё один шаг вперёд в многолетней трансформации Intel, направленной на восстановление и укрепление технологического лидерства, масштабов производства и долгосрочного роста, говорится в пресс-релизе Intel. IFS добилась значительных успехов за последний год, о чём свидетельствует рост выручки более чем на 300 % во втором квартале 2023 года по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Хорошим примером успешности новой стратегии Intel также служит недавнее соглашение с Synopsys о разработке портфеля интеллектуальной собственности на техпроцессы Intel 3 и Intel 18A. Кроме того, Intel стала победителем программы Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial (RAMP-C) Министерства обороны США.

Intel Foundry Services (IFS) сообщила о сотрудничестве с компанией по разработке процессорных архитектур Arm. Это даст возможность разработчикам полупроводников создавать однокристальные платформы (SoC) с низким энергопотреблением на основе передовых техпроцессов Intel. Сначала компании сосредоточатся на разработке мобильных SoC, а затем займутся чипами для автомобилей, Интернета вещей, ЦОД, аэрокосмических и государственных приложений.

Источник изображения: Intel

Благодаря сотрудничеству, разработчики чипов на решениях Arm смогут использовать продвинутый техпроцесс Intel 18A для производства своей продукции. Это позволит проектировать микросхемы с использованием программного обеспечения для автоматизации электронного проектирования (EDA) от сторонних поставщиков. В результате можно ожидать появления более мощных и энергоэффективных процессоров.

IFS и Arm будут совместно работать над совершенствованием технологий, в рамках которого проектирование микросхем и процесс производства оптимизируются для повышения мощности, производительности и снижения стоимости ядер на базе Arm с использованием техпроцесса Intel 18A. Данный техпроцесс использует две новые технологии — PowerVia для оптимальной подачи питания и архитектуру транзисторов RibbonFET с окружающим затвором, что обеспечивает оптимальную производительность и мощность.

Источник изображения: Arm

В рамках этого сотрудничества IFS и Arm планируют разработать чип эталонного дизайна для демонстрации технологии клиентам. Сделка является ещё одной важной вехой для IFS после её партнёрства с тайваньской компанией по производству полупроводников MediaTek, о котором было объявлено в июле прошлого года. Qualcomm также является клиентом IFS, а NVIDIA рассматривает такую возможность. Бизнес по производству микросхем для других компаний на основе их собственных разработок был запущен Intel в 2021 году.

Источник изображения: Intel

Генеральный директор Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) констатировал, что до сих пор большинство разработчиков чипов были ограничены в использовании передовых технологий Arm. «Сотрудничество Intel с Arm откроет новые подходы для любой компании, не имеющей производственных мощностей, которая хочет получить доступ к лучшим в своём классе процессорам и возможностям открытой системной фабрики с передовыми технологическими процессами», — заключил он.