Сегодня 26 декабря 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Теги → intel foundry services

На Пэта Гелсингера и других руководителей Intel подали в суд из-за провала производственного бизнеса

Ожидания инвесторов, связанные с реструктуризацией Intel, которую затеял в 2022 году теперь уже бывший генеральный директор Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger), до сих пор себя не оправдали. Это заставило некоторых инвесторов подать групповой иск против Intel, в котором действующее и бывшее руководство обвиняется в неудачах производственного бизнеса и сокрытии информации о его бедственном положении.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Истцами выступают акционеры Intel, которые обвиняют Патрика Гелсингера и его временного преемника Дэвида Зинснера (David Zinsner), а также различных членов совета директоров в пренебрежении своими должностными обязанностями, незаконном обогащении и нерациональном расходовании корпоративных средств. Возмещение ущерба по иску, если таковое будет санкционировано судом, должно быть сделано в пользу компании Intel, а не индивидуальных акционеров. Только Гелсингеру в течение трёх лет с 2021 года удалось получить компенсацию за свою работу в размере $207 млн, и справедливость этого вознаграждения иск как раз и оспаривает.

В апреле 2024 года Intel за счёт изменений в структуре финансовой отчётности раскрыла, что в 2023 году производственное подразделение Intel Foundry Services (IFS) выручило $18,9 млрд, но понесло при этом убытки в размере $7 млрд. По итогам второго квартала текущего года операционные убытки IFS увеличились с $1,87 до $2,83 млрд. По мнению истцов, руководство Intel ранее не демонстрировало признаков обеспокоенности подобными финансовыми перспективами и скрывало правду от акционеров о бедственном положении производственного подразделения.

По мнению стороны обвинения, рост показателей IFS, который предъявлялся акционерам, не сопровождался ростом выручки на данном направлении. Во-вторых, в 2023 году оно понесло существенные операционные убытки. В-третьих, прибыль от реализации продукции IFS снизилась в результате снижения всей выручки. Соответственно, IFS не может считаться фактором, оправдывающим изменения в стратегии Intel. Руководство компании, по мнению истцов, не обеспечила достаточно эффективный корпоративный контроль на данном этапе развития бизнеса.

Intel назначила Наги Чандрасекарана новым руководителем контрактного производства чипов

Компания Intel объявила о назначении нового главы подразделения контрактного производства чипов — им стал Нага Чандрасекаран (Naga Chandrasekaran), который пришел в Intel из Micron, где занимал должность старшего вице-президента по развитию технологий. Теперь он будет напрямую подчиняться генеральному директору Intel Пэту Гелсингеру (Pat Gelsinger).

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Чандрасекаран назначен на должность директора по глобальным операциям, исполнительного вице-президента и генерального менеджера подразделения контрактного производства чипов Intel Foundry Manufacturing and Supply Chain. На этом посту он сменит Кейвана Эсфарджани (Keyvan Esfarjani), который решил покинуть Intel после почти 30 лет службы. В Intel отмечают, что выдающаяся карьера Эсфарджани заложила прочную основу для Intel Foundry, а его лидерство в обеспечении устойчивости глобальной цепочки поставок и передовой опыт производства помогли компании обеспечить долгосрочный успех. Он останется в Intel до конца текущего года, чтобы обеспечить плавный переход Чандрасекарана на новую должность.

Чандрасекаран присоединится к Intel 12 августа. Он будет отвечать за производственные операции Intel Foundry по всему миру, включая фабрично-сортировочное производство, сборочно-испытательное производство, стратегическое планирование Intel Foundry, корпоративное обеспечение качества и цепочки поставок.

«Нага — высококвалифицированный руководитель, чей глубокий опыт в области производства полупроводников и разработки технологий станет огромным дополнением к нашей команде», — прокомментировал назначение Гелсингер. «Поскольку мы продолжаем строить глобально устойчивую цепочку поставок полупроводников и создаём первую в мире экосистему фабрик для эпохи искусственного интеллекта, лидерство Наги поможет нам ускорить наш прогресс и извлечь выгоду из значительных возможностей долгосрочного роста в будущем», — добавил глава Intel.

В течение более 20 лет службы в Micron Чандрасекаран занимал различные руководящие должности. Совсем недавно он руководил глобальными и инженерными разработками Micron, связанными с масштабированием современных технологий памяти и передовых технологий упаковки, а также инновационными технологическими решениями. Ранее он занимал должность старшего вице-президента Micron по исследованиям, разработкам и операциям. Он имеет опыт в производстве полупроводников, а также в разработке и исследованиях технологических процессов и оборудования, технологиях устройств, технологиях масок и многих других направлениях.

Чандрасекаран получил степень бакалавра машиностроения в Мадрасском университете (Индия), степень магистра и доктора машиностроения Университета штата Оклахома (США), степень магистра в области информатики и обработки данных Калифорнийского университета в Беркли (США), а также дипломы MBA для руководителей Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (Высшая школа менеджмента при Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе) и Национального университета Сингапура.

Направление Intel Foundry включает в себя разработку технологий производства чипов (техпроцессов), глобальное производство, обслуживание клиентов (в том числе и саму Intel) и работу экосистемы компании. Оно объединяет все критически важные компоненты, необходимые клиентам, не имеющим собственных производственных мощностей, для разработки и производства чипов.

Доктор Чандрасекаран будет тесно сотрудничать с другими руководителями подразделения Intel Foundry: доктором Энн Келлехер (Ann Kelleher), исполнительным вице-президентом и генеральным директором подразделения Foundry Technology Development; Кевином О'Бакли (Kevin O'Buckley), старшим вице-президентом и генеральным менеджером Foundry Services, а также Лоренцо Флоресом (Lorenzo Flores), финансовым директором Intel Foundry.

Intel раскрыла подробности о четырёх разновидностях техпроцесса Intel 3 — +18 % к производительности на ватт и не только

На страницах корпоративного блога Intel на этой неделе появилась публикация со встроенной презентацией, которую производственное подразделение компании подготовило к мероприятию VLSI Symposium. Среди весьма специфичной информации, которая представляет интерес для узких специалистов, было рассказано о тех преимуществах, которые принесут различные версии техпроцесса Intel 3.

 Источник изображений: Intel

Источник изображений: Intel

С докладом на эту тему выступил вице-президент Intel по разработке технологий для контрактного подразделения Валид Хафез (Walid Hafez), отметивший, что освоение техпроцессов семейства Intel 3 является для компанией важным этапом реализации плана 5N4Y, подразумевающего внедрение пяти новых техпроцессов за четыре года, начиная с 2021 года.

Ещё в конце прошлого года первая версия техпроцесса Intel 3 достигла стадии готовности к серийному производству, а в настоящее время он используется для выпуска продукции на экспериментальной линии в штате Орегон, а также на предприятии Intel в Ирландии. С помощью техпроцесса Intel 3 компания будет изготавливать не только компоненты собственных серверных процессоров Xeon 6 семейства Sierra Forest, но и чипы по заказам сторонних клиентов.

Внутри семейства Intel 3 предусмотрено сразу четыре варианта техпроцесса, которые найдут применение на разных этапах для производства компонентов различного назначения. Intel 3-T от базового Intel 3 будет отличаться применением межслойных соединений, позволяющих использовать сложную пространственную компоновку чипов, включая и варианты с размещением микросхем памяти поверх кристалла с вычислительными ядрами. Техпроцессы Intel 3 и Intel 3-T будут использоваться для производства компонентов в серверном и потребительском сегментах, а также изготовления подложек многокристальных чипов. По сравнению с техпроцессом Intel 4, они обеспечат улучшение соотношения производительности и энергопотребления на 18 % на уровне всего процессорного ядра, а также повышение плотности размещения транзисторов на 10 %.

Техпроцесс Intel 3-E обеспечит дополнительные возможности по интеграции с разнородными интерфейсами, включая аналоговые и смешанные. Он будет применяться для выпуска чипсетов и компонентов систем хранения данных. Наконец, разновидность Intel 3-PT объединит преимущества трёх предыдущих в рамках одних технологических норм. Шаг межслойных соединений удастся уменьшить до 9 мкм, а для объединения разнородных кристаллов в одной упаковке будут использоваться гибридные методы. Это позволит дополнительно увеличить плотность компоновки чипов в одной трёхмерной упаковке. Как и все техпроцессы этого семейства, Intel 3-PT будет использовать FinFET-структуру транзисторов. С его помощью будут изготавливаться как процессоры общего назначения, так и чипы для ускорителей вычислений с самой сложной структурой и высокой производительностью. Средства разработки, совместимые с техпроцессами семейства Intel 3, подразумевают использование библиотек с нормами 240 нм, ориентированных на создание высокопроизводительных чипов, а также библиотек с нормами проектирования 210 нм, используемыми для повышения плотности размещения транзисторов.

В рамках техпроцесса Intel 20A позже компания собирается внедрить новую структуру транзисторов RibbonFET и технологию подвода питания с обратной стороны кремниевой пластины PowerVia. Об этих нововведениях Intel подробно расскажет отдельно в будущем.

Intel будет выпускать передовые 65-нм силовые полупроводники для Tower Semiconductor

Контрактный производитель чипов Intel Foundry Services (IFS) и ведущий производитель аналоговых полупроводников Tower Semiconductor объявили о соглашении, согласно которому Intel предоставит Tower свои мощности для производства чипов на 300-мм пластинах. Tower получит доступ к современному предприятию Intel в Нью-Мексико и инвестирует до $300 млн в оборудование и другие основные средства, получив мощности, способные на экспонирование более 600 000 фотомасок в месяц.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Это соглашение демонстрирует стремление IFS и Tower расширить сотрудничество за счёт свежих бизнес-решений и масштабируемых возможностей. На Intel Fab 11X в Рио-Ранчо, Нью-Мексико будут производиться 65-нанометровые микросхемы управления питанием по технологии BCD (биполярные КМОП/ДМОП).

Генеральный менеджер IFS Стюарт Панн (Stuart Pann) заявил: «Мы запустили Intel Foundry Services с долгосрочной целью создать первую в мире полупроводниковую фабрику с открытой системой, которая объединит в безопасную, устойчивую и отказоустойчивую цепочку поставок всё лучшее от экосистемы Intel. Мы очень рады, что Tower видит уникальную ценность, которую мы предоставляем, и выбрала нас своим партнёром в США».

Генеральный директор Tower Рассел Элвангер (Russell Ellwanger) солидарен со своим коллегой: «Мы рады продолжить сотрудничество с Intel которое позволяет нам удовлетворять потребности наших клиентов, уделяя особое внимание усовершенствованным решениям в области управления питанием и устройств по высокочастотной технологии кремний-на-изоляторе (RF SOI), полномасштабный запуск технологического процесса запланирован на 2024 год. Мы рассматриваем это как первый шаг к множеству уникальных синергетических решений с Intel».

Это соглашение показывает, как IFS обеспечивает доступ к производственным мощностям глобальной производственной сети Intel, расположенной в США, Европе, Израиле и Азии. Помимо существующих инвестиций в Орегоне и запланированных инвестиций в Огайо, Intel уже более 40 лет инвестирует и внедряет инновации в юго-западном регионе США, с офисами в Аризоне и Нью-Мексико. Ранее Intel объявила об инвестициях в размере $3,5 млрд в расширение операций в Нью-Мексико и оснащение своего инновационного кампуса в Рио-Ранчо для запуска инновационных технологий упаковки полупроводников.

Для Tower это следующий шаг на пути к увеличению масштабов обслуживания расширяющейся клиентской базы. 65-нм технология BCD компании Tower предлагает клиентам повышенную энергоэффективность, а также уменьшенные размеры и стоимость кристалла благодаря лучшему в своём классе показателю RDSon (сопротивление сток — исток). Аналогичным образом, технология RF SOI компании Tower, использующая 65-нм техпроцесс, помогает снизить расход заряда батареи мобильных телефонов и улучшить беспроводные соединения благодаря лидирующему в своём классе показателю RonCoff (соотношение потерь радиосигнала).

IFS является важнейшим элементом стратегии Intel IDM 2.0, и сегодняшнее партнёрство представляет собой ещё один шаг вперёд в многолетней трансформации Intel, направленной на восстановление и укрепление технологического лидерства, масштабов производства и долгосрочного роста, говорится в пресс-релизе Intel. IFS добилась значительных успехов за последний год, о чём свидетельствует рост выручки более чем на 300 % во втором квартале 2023 года по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.

Хорошим примером успешности новой стратегии Intel также служит недавнее соглашение с Synopsys о разработке портфеля интеллектуальной собственности на техпроцессы Intel 3 и Intel 18A. Кроме того, Intel стала победителем программы Rapid Assured Microelectronics Prototypes - Commercial (RAMP-C) Министерства обороны США.

Intel будет сотрудничать с Arm для выпуска мобильных чипов ангстремного класса по заказам разных компаний

Intel Foundry Services (IFS) сообщила о сотрудничестве с компанией по разработке процессорных архитектур Arm. Это даст возможность разработчикам полупроводников создавать однокристальные платформы (SoC) с низким энергопотреблением на основе передовых техпроцессов Intel. Сначала компании сосредоточатся на разработке мобильных SoC, а затем займутся чипами для автомобилей, Интернета вещей, ЦОД, аэрокосмических и государственных приложений.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Благодаря сотрудничеству, разработчики чипов на решениях Arm смогут использовать продвинутый техпроцесс Intel 18A для производства своей продукции. Это позволит проектировать микросхемы с использованием программного обеспечения для автоматизации электронного проектирования (EDA) от сторонних поставщиков. В результате можно ожидать появления более мощных и энергоэффективных процессоров.

IFS и Arm будут совместно работать над совершенствованием технологий, в рамках которого проектирование микросхем и процесс производства оптимизируются для повышения мощности, производительности и снижения стоимости ядер на базе Arm с использованием техпроцесса Intel 18A. Данный техпроцесс использует две новые технологии — PowerVia для оптимальной подачи питания и архитектуру транзисторов RibbonFET с окружающим затвором, что обеспечивает оптимальную производительность и мощность.

 Источник изображения: Arm

Источник изображения: Arm

В рамках этого сотрудничества IFS и Arm планируют разработать чип эталонного дизайна для демонстрации технологии клиентам. Сделка является ещё одной важной вехой для IFS после её партнёрства с тайваньской компанией по производству полупроводников MediaTek, о котором было объявлено в июле прошлого года. Qualcomm также является клиентом IFS, а NVIDIA рассматривает такую возможность. Бизнес по производству микросхем для других компаний на основе их собственных разработок был запущен Intel в 2021 году.

 Источник изображения: Intel

Источник изображения: Intel

Генеральный директор Intel Пэт Гелсингер (Pat Gelsinger) констатировал, что до сих пор большинство разработчиков чипов были ограничены в использовании передовых технологий Arm. «Сотрудничество Intel с Arm откроет новые подходы для любой компании, не имеющей производственных мощностей, которая хочет получить доступ к лучшим в своём классе процессорам и возможностям открытой системной фабрики с передовыми технологическими процессами», — заключил он.


window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
«Не думаю, что Nintendo это стерпит, но я очень рад»: разработчик Star Fox 64 одобрил фанатский порт культовой игры на ПК 11 ч.
Корейцы натравят ИИ на пиратские кинотеатры по всему миру 12 ч.
В Epic Games Store стартовала новая раздача Control — для тех, кто дважды не успел забрать в 2021 году 14 ч.
За 2024 год в Steam вышло на 30 % больше игр, чем за прошлый — это новый рекорд 15 ч.
«Яндекс» закрыл почти все международные стартапы в сфере ИИ 16 ч.
Создатели Escape from Tarkov приступили к тестированию временного решения проблем с подключением у игроков из России — некоторым уже помогло 17 ч.
Веб-поиск ChatGPT оказался беззащитен перед манипуляциями и обманом 18 ч.
Инвесторы готовы потратить $60 млрд на развитие ИИ в Юго-Восточной Азии, но местным стартапам достанутся крохи от общего пирога 18 ч.
Selectel объявил о спецпредложении на бесплатный перенос IT-инфраструктуры в облачные сервисы 19 ч.
Мошенники придумали, как обманывать нечистых на руку пользователей YouTube 20 ч.
Во флагманских смартфонах Huawei Mate 70 нашли память SK hynix, которой там быть не должно 13 мин.
Чтобы решить проблемы с выпуском HBM, компания Samsung занялась перестройкой цепочек поставок материалов и оборудования 3 ч.
Новая статья: Обзор и тест материнской платы Colorful iGame Z790D5 Ultra V20 9 ч.
Новая статья: NGFW по-русски: знакомство с межсетевым экраном UserGate C150 10 ч.
Криптоиндустрия замерла в ожидании от Трампа выполнения предвыборных обещаний 11 ч.
Открыт метастабильный материал для будущих систем хранения данных — он меняет магнитные свойства под действием света 12 ч.
Новый год россияне встретят под «чёрной» Луной — эзотерика ни при чём 15 ч.
ASRock выпустит 14 моделей Socket AM5-материнских плат на чипсете AMD B850 16 ч.
Опубликованы снимки печатной платы Nvidia GeForce RTX 5090 с большим чипом GB202 17 ч.
От дна океана до космоса: проект НАТО HEIST занялся созданием резервного космического интернета 18 ч.