Компания Samsung объявила о запуске массового производства самых тонких в мире модулей памяти LPDDR5X ёмкостью 12 и 16 Гбайт. Их толщина составляет около 0,65 мм, что на 0,06 мм меньше стандартных решений. Новинки найдут применение в производительных мобильных устройствах, ориентированных на работу с ИИ.

Источник изображений: news.samsung.com

Этого результата удалось достичь за счёт формирования 4-слойных модулей на оптимизированной печатной плате с обработкой на обратной стороне пластины и применения эпоксидного формовочного компаунда (EMC). Благодаря этому улучшается циркуляция воздуха внутри смартфона и оптимизируется управление температурой на устройстве в целом — это важно для высокопроизводительных моделей. Новые 0,65-мм модули памяти LPDDR5X на 9 % тоньше аналогичных, а их термостойкость выше на 21,2 %, подсчитала Samsung.

Трудно сказать, какой вклад в снижение толщины смартфонов окажет память толщиной 0,65 вместо традиционных 0,71 мм. Производители гаджетов используют разные подходы для того, чтобы сделать их тоньше, и, очевидно, они готовы приветствовать оптимизацию любых компонентов: более тонкие защитные стекла, печатные платы и, конечно, аккумуляторы. В случае с новыми модулями памяти от Samsung выигрыш, вероятно будет выражаться не в геометрии устройства, а в улучшенной циркуляции воздуха, что благотворно скажется на его производительности.

Samsung намерена и далее совершенствовать компоненты LPDDR5X. На очереди 6-слойные модули ёмкостью 24 Гбайт и 8-слойные на 36 Гбайт, хотя значение их толщины компания пока не указала.

Компания TeamGroup представила серию модулей оперативной памяти T-Create Expert AI в новом формфакторе LPDDR5X CAMM2. В серию вошли модели со скоростью передачи данных 7200 и 6400 МТ/с. Новинки работают с низкими таймингами — CL28 и CL24 соответственно.

Источник изображений: TeamGroup

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 будут предлагаться в версиях объёмом 32 и 64 Гбайт. Компания TeamGroup формально стала лишь третьим после Crucial (принадлежит Micron) и Kingston производителем ОЗУ, представившим модули оперативной памяти в новом формфакторе.

Модули памяти T-Create Expert AI LPDDR5X-7500 CAMM2 и LPDDR5X-6400 CAMM2 обеспечивают пропускную способность в 60 и 51,2 Гбайт/с соответственно. Новинки оснащены тонкими графеновыми пластинами, служащими в качестве радиаторов.

О стоимости своих модулей памяти T-Create Expert AI LPDDR5X CAMM2 производитель ничего не сообщил. Однако ранее выпущенные модули ОЗУ того же формата от Crucial на 32 и 64 Гбайт оцениваются в $179,99 и $329,99 соответственно. Очевидно, что стоимость сейчас в большей степени формируется новизной стандарта. В перспективе модули ОЗУ нового формата должны стать дешевле, их объём — больше, а тайминги — ещё ниже.

Формат CAMM2 рассматривается некоторыми в индустрии в качестве эволюционного звена в развитии оперативной памяти. Новый формфактор занимает меньше места в составе ноутбука, чем ОЗУ привычных форматов SO-DIMM. Кроме того, новый формат поддерживает более быструю память и обладает повышенной энергоэффективностью. Ранее Lenovo стала первой компанией, выпустившей ноутбук с поддержкой модулей памяти CAMM2. Не удивимся, если на выставке Computex 2024 другие производители ноутбуков представят аналогичные решения.

Crucial стала первой компанией, которая начала продажи моделей оперативной памяти нового формата LPCAMM2 LPDDR5X для ноутбуков. Это и не удивительно: стандарт разработала Micron, являющаяся материнской компанией для Crucial. Эти модули сочетают в себе преимущества классических планок SO-DIMM и энергоэффективной распаиваемой памяти LPDDR5X.

Источник изображений: Crucial

До появления LPCAMM2 производителям ноутбуков приходилось делать выбор между классическими модулями оперативной памяти типа SO-DIMM и энергоэффективной, но несъёмной памятью LPDDR, которая припаивается к материнской плате.

По сравнению со стандартными модулями SO-DIMM память LPCAMM2 до 58 % энергоэффективнее и занимает на 64 % меньше пространства для установки. Кроме того, модули LPCAMM2 на чипах LPDDR5X поддерживают скорость до 9600 МТ/с, тогда как существующие планки SO-DIMM DDR5 работают со скоростью до 5600 МТ/с.

Crucial заявляет для своих первых модулей памяти LPCAMM2 LPDDR5X скорость работы 7500 МТ/с, что в 1,3 раза быстрее того, что может обеспечить память SO-DIMM DDR5. Производитель предлагает модули ёмкостью 32 и 64 Гбайт на базе 16-гигабитных чипов LPDDR5X от Micron. Для памяти заявляется рабочее напряжение 1,05 В.

Модуль LPCAMM2 LPDDR5X- 7500 объёмом 32 Гбайт Crucial оценила в $175, а планку на 64 Гбайт — в $330. Новинки уже доступны для заказа на официальном сайте производителя. Поставки обещают в течение двух недель.

Следует добавить, что память нового формата Crucial LPCAMM2 LPDDR5X используется в недавно выпущенном ноутбуке Lenovo ThinkPad P1.

Компания Samsung сообщила о разработке энергоэффективной оперативной памяти LPDDR5X DRAM, обладающей скоростью передачи данных до 10,7 Гбит/с на контакт, что является самым высоким показателем в индустрии. Конкуренты ничего подобного предложить пока что не могут.

Источник изображения: Samsung

Память Samsung LPDDR5X DRAM со скоростью 10,7 Гбит/с производится с применением 12-нм техпроцесса. Компания отмечает, что ей удалось разработать самые компактные чипы LPDDR5X на рынке.

Новая память Samsung не только обеспечивает на 25 % более высокую производительность и обладает на 30 % более высокой плотностью по сравнению с предыдущим поколением памяти LPDDR5X, но также позволяет увеличить ёмкость одного комплекта мобильной DRAM до 32 Гбайт, «что делает её оптимальным решением для устройств эпохи искусственного интеллекта, которым требуется высокопроизводительная, более ёмкая и энергоэффективная оперативная память».

Производитель отмечает, что его новая память LPDDR5X сочетает специализированные технологии энергосбережения, такие как оптимизированное изменение мощности, которое регулирует мощность в соответствии с рабочей нагрузкой, а также расширенные интервалы режима пониженного энергопотребления, которые продлевают периоды энергосбережения. Эти улучшения повышают энергоэффективность памяти на 25 % по сравнению с предыдущим поколением, что позволяет мобильным устройствам с её применением обеспечивать более продолжительное время автономной работы.

Массовое производство памяти Samsung LPDDR5X со скоростью 10,7 Гбит/с начнётся во второй половине текущего года, следом за всеми необходимыми проверками со стороны производителей мобильных платформ и устройств на их основе.

Идея интеграции микросхем памяти на одной подложке или в одной упаковке с центральным процессором не нова: компания AMD её давно обсуждает, а Apple и Intel уже применяют на практике. Последняя из компаний на этой неделе продемонстрировала образец мобильного процессора Meteor Lake с двумя интегрированными на его подложку микросхемами памяти типа LPDDR5X производства Samsung.

Источник изображения: Intel

Как поясняет издание Tom’s Hardware, в конкретном случае в одном корпусе с процессором Meteor Lake расположилась пара микросхем LPDDR5X-7500 совокупным объёмом 16 Гбайт, которые обеспечивают пиковую пропускную способность в 120 Гбайт/с. Компания Apple устанавливает микросхемы LPDDR в один корпус со своими процессорами M1 и M2, а у самой Intel есть опыт интеграции других типов оперативной памяти со своими центральными процессорами, например, в Lakefield. Внешне, правда, показанный Meteor Lake с оперативной памятью напоминает как раз чипы Apple M-серии.

Apple M2 с парой интегрированных чипов оперативной памяти. Источник изображения: Brandon Geekabit (YouTube)

В целом, подложка EMIB и технология упаковки Foveros позволяют компании Intel объединять в одном корпусе сразу несколько разнородных кристаллов. Сами по себе процессоры Meteor Lake, например, используют четыре отдельных кристалла, объединённых на подложке. Добавить ещё кристаллов, например, оперативную память, в целом не составляет труда.

Объединение процессора с микросхемами памяти несёт как преимущества, так и неудобства. К первым можно отнести сокращение занимаемой компонентами на печатной плате площади и повышение скорости передачи информации. Ко вторым относятся усложнение конструкции системы охлаждения, а также повышение уязвимости всей системы в результате выхода из строя интегрированных микросхем памяти. Ну, и главным недостатком становится отсутствие возможности увеличить объём оперативной памяти в конкретном ноутбуке. Для производителей ноутбуков необходимость покупать процессоры с уже интегрированной памятью оборачивается ухудшением условий договора с производителями памяти, поскольку из-за снижения объёмов закупок они уже не смогут влиять на цену в прежних масштабах.

Как считают в SK hynix, полноценный искусственный интеллект появится в наших смартфонах только с дальнейшим ростом объёма памяти мобильных устройств. Новым шагом к этому стал выпуск компанией чипов памяти LPDDR5X объёмом 24 Гбайт — они уже устанавливаются в смартфоны OPPO. За одну секунду новая память способна пропустить через себя 13 фильмов в формате Full HD, и это далеко не предел, границы которого будут отодвигаться всё дальше и дальше.

Источник изображений: SK hynix

Формально массовый выпуск 24-Гбайт микросхем памяти LPDDR5X компания SK hynix начала в ноябре 2022 года. Сегодняшний анонс раскрывает производственные планы компании и позволяет сделать это на фоне вчерашнего анонса смартфона OnePlus Ace 2 Pro 2 с 24 Гбайт оперативной памяти. Кроме OPPO новую память получают другие производители смартфонов, имена которых SK hynix пока не раскрывает.

В основе техпроцесса производства 24-Гбайт микросхем LPDDR5X лежит хорошо известный по выпуску центральных процессоров техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG), который представляет собой использование в составе транзисторов с металлическим затвором тонких изолирующих плёнок с высокой диэлектрической проницаемостью. Это позволяет снизить утечки тока и ведёт к снижению энергопотребления при одновременном увеличении скорости работы. По словам SK hynix, это первая в мире мобильная DRAM, выпущенная с применением техпроцесса HKMG.

Микросхемы LPDDR5X ёмкостью 24 Гбайт работают в диапазоне сверхнизкого напряжения от 1,01 до 1,12 В, установленного Объединенным инженерным комитетом по электронным устройствам (JEDEC), и способны обрабатывать 68 Гбайт/с, что эквивалентно передаче 13 фильмов в формате FHD (Full HD) за одну секунду.

«Благодаря своевременной поставке 24 Гбайт LPDDR5X от SK hynix мы смогли первыми выпустить смартфон, оснащенный самой ёмкой в отрасли памятью DRAM, — заявил Луис Ли, вице-президент по маркетингу компании OPPO. — Этот новый смартфон позволит покупателям насладиться оптимизированной многозадачностью, а также увеличенным временем автономной работы».

Подобные телефоны станут незаменимыми в эпоху карманных ИИ, уверены эксперты, что, в свою очередь, продолжит стимулировать развитие рынка памяти.

Отдельно компания SK hynix акцентирует внимание на скорости работы мобильной памяти. Представленная в начале этого года память LPDDR5T (с индексом «Турбо») на практике доказала свою состоятельностью. Так, отдельным пресс-релизом SK hynix сообщила, что новые микросхемы LPDDR5T в составе платформы MediaTek Dimensity показали рабочую скорость на уровне 9,6 Гбит/с на каждый контакт шины данных, что на 13 % быстрее допустимой стандартом JEDEC для памяти LPDDR5X скорости обмена данными.

Вместе с платформами MediaTek новая сверхбыстрая память найдёт применение в точках доступа и будет востребована в других приложениях, где важна скорость работы. Правда, для этого придётся ещё немного подождать, ведь память LPDDR5T и её характеристики пока не получили финальной поддержки комитета JEDEC в виде новых спецификаций или дополнений к стандарту LPDDR5. Ожидается, что это произойдёт до конца года и устройства с памятью LPDDR5T появятся в продаже в 2024 году.