Бум систем искусственного интеллекта воодушевил производителей памяти семейства HBM, а ведущие позиции на этом рынке сейчас занимает южнокорейская SK hynix. Руководство этой компании выражает уверенность, что высокий спрос на микросхемы памяти сохранится как минимум до середины следующего года. В дальнейшем он тоже может оставаться высоким, но для подобных прогнозов у компании просто нет достаточных данных.

Источник изображения: SK hynix

По словам издания Korean Economic Daily, соответствующие заявления генеральный директор SK hynix Квак Но Чун (Kwak Noh-jung) на собрании с участием сотрудников компании сделал в минувшую среду. «Оживление на рынке памяти сохранится до конца первой половины следующего года. Спрос на HBM способствовал возникновению перелома в отрасли по производству памяти», — буквально заявил руководитель SK hynix. Во втором квартале операционная прибыль компании достигла шестилетнего максимума в размере $3,96 млрд, норма операционной прибыли выросла до рекордных 33 %, а выручка выросла в годовом сравнении на 124,7 % до $11,86 млрд.

Помимо активного наращивания производственных мощностей для выпуска HBM, компания SK hynix намеревается своевременно осваивать новые типы продукции. Наладить выпуск 12-слойных микросхем типа HBM4 этот южнокорейский производитель рассчитывает во второй половине следующего года. Глава SK hynix не стал торопиться с прогнозами на вторую половину следующего года с точки зрения сохранения высокой динамики спроса, но в компании это объясняют не наличием причин сомневаться в её сохранении, а просто в отдалённости этого периода для обеспечения достоверного прогнозирования.

Среди иностранных претендентов на получение средств по «Закону о чипах» в США в один момент оказалась южнокорейская компания SK hynix, которая в апреле текущего года заявила о своих намерениях вложить $3,87 млрд в строительство предприятия по упаковке чипов памяти в штате Индиана. Сейчас компанией достигнута договорённость о получении финансовой поддержки от властей США при реализации проекта.

Источник изображения: SK hynix

Формально, как отмечается в официальном заявлении, договорённость носит предварительный характер, но компания уже рассчитывает получить от властей США не только $450 млн безвозвратных субсидий, но и льготные кредиты на сумму $500 млн, а также право на 25-процентный налоговый вычет, который будет распространяться на капитальные затраты SK hynix при строительстве своего предприятия в штате Индиана. Прежде чем средства будут выделены, SK hynix предстоит пройти проверку на соответствие условиям предоставления таких льгот.

Отдельно подчёркивается, что предприятие в Индиане будет служить цели удовлетворения спроса на память для сегмента искусственного интеллекта. Соответственно, на этой площадке SK hynix будет упаковывать память типа HBM актуальных поколений, чтобы снабжать ею ту же Nvidia. Если последняя сможет поручить выпуск профильных чипов американским предприятиям TSMC, то фактически полностью готовые ускорители вычислений можно будет выпускать в США. В любом случае, снижение зависимости от азиатских предприятий для американских разработчиков чипов будет благоприятным итогом строительства предприятия SK hynix в Индиане. Компания также собирается готовить кадры для этого завода с привлечением местного Университета Пердью.

По мере того, как борьба за лидерство в сфере HBM обостряется, конкуренция на рынке NAND также возрастает. Компания SK hynix приступила к разработке 400-слойной флеш-памяти NAND для обеспечения более высокой плотности хранения данных, планируя запустить технологию в массовое производство к концу 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Согласно сообщению аналитического издания TrendForce со ссылкой на отчёт корейского издания etnews, SK hynix в настоящее время уже сотрудничает с партнёрами и поставщиками оборудования, связи с которыми необходимы для разработки технологических процессов для производства NAND с более чем 400 слоями с помощью гибридной технологии соединения «пластина-к-пластине» (W2W). Увеличение числа слоёв должно улучшить производительность и энергоэффективность NAND-памяти, что, по мнению специалистов, положительно скажется на характеристиках устройств, её использующих.

Ранее компания использовала метод Peripheral Under Cell (PUC) и помещала управляющую логику под ячейки NAND, но с увеличением числа слоёв возникли проблемы с повреждением периферийных схем из-за высокого тепла и давления. Новый же метод предполагает изготовление ячеек и управляющих схем на отдельных пластинах с последующим их соединением, что должно привести к беспроблемному увеличению числа слоёв NAND.

Но не только SK hynix занимается исследованиями и разработкой в области наращивания количества слоёв NAND-памяти. Ранее Samsung подтвердила, что начала серийный выпуск 1-терабитной трёхуровневой ячейки (TLC) 9-го поколения NAND (V-NAND), с числом слоёв, достигающим 290, поставив цель увеличения количества уровней V-NAND до 1000 к 2030 году. В свою очередь американская компания Micron Technology анонсировала клиентский SSD 2650, который стал первым продуктом, построенным на 276-уровневой 3D NAND. А японский производитель микросхем памяти Kioxia после успешного увеличения количества уровней 3D NAND до 218 в 2023 году заявил о возможности достижения 1000 уровней к 2027 году.

SK hynix сообщила, что до конца текущего квартала запустит массовое производство графической памяти нового поколения GDDR7. Компания вела разработку новой памяти на фоне роста спроса на компоненты для систем ИИ со стороны клиентов по всему миру.

Источник изображений: skhynix.com

Первые микросхемы GDDR7 от SK hynix предложат рабочую скорость 32 Гбит/с на контакт, что на 60 % выше, чем у памяти предыдущего поколения GDDR6. В будущем компания планирует добиться от микросхем GDDR7 повышения скорости до 40 Гбит/с. Подсистемы памяти высокопроизводительных видеокарт на новых чипах смогут обеспечивать общую пропускную способность выше 1,5 Тбайт/с.

Энергоэффективность памяти нового поколения выросла более чем на 50 %, утверждает производитель — этого удалось достичь благодаря новой технологии упаковки, которая помогла решить проблему нагрева при быстрой обработке данных. Число слоёв теплорассеивающих подложек было увеличено с четырёх до шести, а эпоксидный формовочный компаунд (EMC) в упаковке помог снизить тепловое сопротивление на 74 % по сравнению с предыдущим поколением — при этом размеры микросхемы не изменились, что облегчит внедрение.

Глава отдела планирования и внедрения продукции DRAM в SK hynix Сангквон Ли (Sangkwon Lee) заявил, что GDDR7 будет использоваться в широком спектре оборудования, включая 3D-графику, ИИ, высокопроизводительные вычисления и автономное вождение. «Мы продолжим работу по усилению нашего статуса как самого надёжного поставщика решений памяти для ИИ, укрепив линейку премиальной памяти», — заявил господин Ли.

Тема соответствия продукции Samsung требованиям Nvidia к микросхемам памяти типов HBM3 и HBM3E не сходит с новостных лент, и новые данные говорят о том, что первый тип памяти уже получил одобрение заказчика, а второй должен сделать это в течение ближайших четырёх месяцев. Впрочем, существует риск, что это долгожданное событие произойдёт уже в 2025 году.

Источник изображения: Samsung Electronics

О злоключениях Samsung Electronics в этой сфере с новыми силами рассказывает агентство Bloomberg. По данным информированных источников, Samsung уже получила одобрение Nvidia на использование своих микросхем типа HBM3 в продукции данного разработчика графических процессоров, и первым изделием с таким сочетанием компонентов может стать ускоритель вычислений H20, созданный специально для китайского рынка с учётом действующих американских санкций.

Что касается более современных микросхем памяти HBM3E в исполнении Samsung, то их компания надеется сертифицировать по требованиям Nvidia либо через два, либо через четыре месяца — в зависимости от исполнительской дисциплины задействованных сотрудников и везения. К концу года Samsung хотела бы наладить поставки микросхем HBM3E для нужд Nvidia. Если же всё пойдёт не по плану, то благословенный момент может передвинуться на 2025 год.

Как известно, более мелкая компания SK hynix не только опережает Samsung по темпам вывода на рынок новых видов памяти семейства HBM, но и контролирует более половины мирового рынка таких микросхем. Аналитики Morgan Stanley полагают, что в случае успеха с сертификацией своей памяти под требования Nvidia компания Samsung уже в следующем году займёт не менее 10 % мирового рынка, и это позволит ей заметно нарастить выручку. Эксперты ожидают, что ёмкость мирового рынка HBM с прошлогодних $4 млрд к 2027 году вырастет до $71 млрд. Даже если Samsung немного отстаёт от конкурентов сейчас, имеющиеся в её распоряжении производственные мощности позволят быстро наверстать упущенное и найти себе достойное место на рынке.

Некоторые источники считают, что до сих пор Samsung подводило принятое ранее решение использовать для соединения слоёв памяти в стеке по методу TC-NCF с тепловой компрессией непроводящей плёнки. SK hynix использует другой метод, и её доля на рынке HBM не позволяет сомневаться в его эффективности. При этом Samsung не сомневается в востребованности метода TC-NCF на рынке и не демонстрирует готовности модифицировать технологию объединения слоёв памяти в стеке. И всё же, источники утверждают, что ради получения одобрения от Nvidia южнокорейский гигант пошёл на модификацию технологии выпуска HBM3. Производством памяти этого типа компания занимается со второй половины прошлого года.

HBM3E впервые начала использоваться Nvidia в этом году, причём сейчас она получает эти микросхемы только от SK hynix. В следующем году HBM3E будет пользоваться значительно большим спросом, и SK hynix оперативно удовлетворить потребности рынка просто не сможет, даже если сдержит обещание увеличить объёмы выпуска HBM3E в четыре раза. Micron Technology также успела получить одобрение на использование своих микросхем HBM3E в продукции Nvidia, поэтому на очереди осталась лишь Samsung. Компания прилагает усилия к завершению сертификации как 8-слойных, так и 12-слойных микросхем этого типа по требованиям Nvidia.

В следующем году должна закрыться вторая часть сделки SK hynix по покупке у Intel бизнеса по производству твердотельной памяти, который преимущественно строился вокруг предприятия по выпуску 3D NAND в китайском Даляне. По слухам, новые владельцы бизнеса рассматривают возможность вывода компании Solidigm на американский фондовый рынок.

Источник изображения: Solidigm

Как напоминает ресурс Blocks & Files, первая часть объявленной в октябре 2020 сделки подразумевала продажу SK hynix за $7 млрд предприятия Intel в Даляне, на котором выпускались микросхемы памяти 3D NAND и твердотельные накопители на их основе. Второй этап сделки подразумевал передачу в 2025 году интеллектуальной собственности и штата разработчиков Intel в Даляне, а также занятого на производстве в этом городе бывшего персонала американской компании. За это SK hynix должна в следующем году выплатить Intel ещё $2 млрд. Профильный бизнес, доставшийся корейским инвесторам от Intel, уже некоторое время работает под названием Solidigm. В прошлом квартале, по данным корейских СМИ, данная компания впервые получила прибыль после 12 подряд убыточных кварталов.

Как известно, сама SK hynix намеревается вкладывать серьёзные средства в развитие производственного кластера в южнокорейском Йонъине. Строительство первого предприятия по выпуску памяти на этой площадке стартует в марте 2025 года и завершится в мае 2027 года, оно потребует $6,8 млрд инвестиций. Соответственно, закрытие сделки с Intel вынудит SK hynix в следующем году потратить ещё $2 млрд на выплату продавцу. По слухам, SK hynix размышляет о возможном выходе Solidigm на IPO в США, чтобы за счёт привлечённых средств инвесторов сократить собственные капитальные затраты. Представители SK hynix эти слухи прокомментировали скупо: «Solidigm рассматривает различные стратегии роста, но никаких решений пока не принято».

Аналитики Wedbush считают, что восстановление финансовых потоков Solidigm делает структурное обособление этой компании от SK hynix более вероятным. Успех затеи с IPO, по их мнению, будет во многом зависеть от структуры разделения активов, включая технологические планы развития. В настоящий момент предприятие в Даляне, которое досталось Solidigm от Intel, рассчитывает освоить выпуск памяти 3D NAND не более чем с 196 слоями, что нельзя назвать передовым технологическим показателем.

Ещё в 2019 году компания SK hynix намеревалась начать развитие производственного кластера в Йонъине, но соответствующим планам помешала пандемия, и к идее развития данной площадки по выпуску микросхем памяти она вернулась только весной этого года, подтвердив готовность вложить в проект около $91 млрд до 2046 года. На первом этапе, впрочем, расходы ограничатся $6,8 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Соответствующая сумма, как отмечает Reuters, будет потрачена SK hynix на возведение первого из четырёх предприятий, к строительству компания рассчитывает приступить в марте следующего года. По состоянию на март текущего года строительная площадка была готова к дальнейшим работам чуть более чем на треть. Возводимый SK hynix завод по выпуску памяти должен стать крупнейшим в мире. Какой ассортимент продукции он будет выдавать после ввода в эксплуатацию, пока сказать сложно, но из комментариев представителей SK hynix на минувшей квартальной конференции известно, что между типами памяти HBM и DDR перераспределять производственные ресурсы компания может достаточно гибко.

Власти Южной Кореи, которые не очень щедры на субсидии в полупроводниковой сфере, предпочитают участвовать в подобных проектах налоговыми льготами или инфраструктурными работами. В Йонъине они также взялись обеспечить будущее предприятие SK hynix необходимыми энергетическими ресурсами. По планам южнокорейских властей, в текущем году страна сможет экспортировать памяти семейства HBM на сумму более $120 млрд. Компания SK hynix является крупнейшим производителем микросхем этого типа.

Не секрет, что южнокорейская компания SK hynix является лидером рынка памяти типа HBM, контролируя примерно половину сегмента и обгоняя номинально более крупного производителя памяти в лице Samsung. По итогам минувшего квартала операционная прибыль SK hynix выросла до максимального уровня за шесть лет и сменила наблюдавшиеся год назад операционные убытки.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в прошлом квартале оказалась несколько выше ожиданий аналитиков, она достигла $11,86 млрд в пересчёте по текущему курсу, увеличившись на 124,7 % в годовом сравнении и на 32 % последовательно. Последнюю часть динамики руководство компании объясняет высоким спросом на память типа HBM и сохраняющейся тенденции к росту цен на микросхемы памяти в целом. Непосредственно на направлении HBM компания увеличила выручку более чем на 250 %.

Операционная прибыль компании во втором квартале достигла $3,96 млрд, завершившийся период стал для SK hynix уже третьим подряд кварталом без убытков, которые сохранялись на протяжении основной части прошлого года. Норма операционной прибыли достигла 33 %. Поставки HBM3E компания начала ещё в марте, но 12-ярусные микросхемы этого поколения SK hynix начнёт выпускать лишь в текущем квартале, чтобы к четвёртому наладить их поставки своим клиентам, в числе которых Nvidia наверняка займёт первое место по приоритету. В мае руководство SK hynix уже отмечало, что компания обеспечена заказами на поставку различных типов HBM до конца 2025 года.

По оценкам сторонних аналитиков, HBM к концу текущего года будет формировать до 20 % прибыли SK hynix. Во втором полугодии спрос на микросхемы памяти начнёт подогреваться устройствами, поддерживающими периферийные вычисления в рамках систем искусственного интеллекта — смартфонами и ПК нового поколения, как отмечают представители компании. Они также признают, что увеличение объёмов выпуска HBM вынуждает её сократить объёмы производства обычной DRAM. При этом величина капитальных затрат SK hynix по итогам года окажется выше, чем было заложено в прогноз в начале текущего года. Нехватка мощностей для выпуска DRAM сохранится и в следующем году. Поставлять 12-слойные микросхемы HBM4 компания рассчитывает со второй половины 2025 года. В текущем году более половины всех поставок HBM придётся на HBM3E в натуральном выражении. После публикации квартального отчёта SK hynix столкнулась со снижением курса акций на 6,7 %, но в большей степени это было продиктовано общей коррекцией рынка.

Первая в истории Samsung Electronics массовая забастовка сотрудников не возникла на ровном месте, и недовольство условиями труда копилось годами, как поясняет издание Financial Times со ссылкой на комментарии пожелавших сохранить анонимность специалистов Samsung. У компании накопилось множество проблем, включая отставание от конкурентов в сферах производства памяти HBM и контрактного производства чипов.

Источник изображения: Samsung Electronics

Подобные настроения передаются и инвесторам в те моменты, когда они перестают реагировать на разовые случаи демонстрации Samsung Electronics своей состоятельности как производителя памяти. С начала текущего года акции Samsung выросли в цене только на 7,5 %, тогда как у конкурирующей и более мелкой SK hynix они выросли на 65 %, во многом за счёт интереса к выпуску памяти HBM, в котором она превосходит более крупного соперника.

Напомним, Samsung до сих пор не может сертифицировать свои микросхемы памяти типа HBM3E для использования в ускорителях вычислений Nvidia, которые сейчас очень востребованы рынком. SK hynix неплохо зарабатывает на этой тенденции, в число поставщиков HBM3E для нужд Nvidia вошла и американская компания Micron Technology, а Samsung всё никак не может решить свои сопутствующие проблемы.

Не смогла Samsung и существенно подвинуть TSMC на рынке услуг по контрактному производству чипов. Даже если Samsung удаётся опередить TSMC по срокам освоения той или иной передовой технологии, практические аспекты производства чипов упираются в целый комплекс проблем, которые делают подобное «лидерство» бесполезным. Клиентам нужны не только низкий уровень брака, но и стабильность поставок, а у Samsung с этим то и дело возникают проблемы, как отмечают осведомлённые источники.

В мае на пост руководителя полупроводникового подразделения Samsung Electronics был внезапно для сторонних наблюдателей назначен Чун Юн Хён (Jun Young Hyun), который имеет опыт в разработке не только различных типов памяти, но и аккумуляторов. Это назначение имело своей целью устранение «полупроводникового кризиса» внутри компании и обновление атмосферы, в которой работают сотрудники компании. Последние, по данным Financial Times, не заметили особых перемен после этого назначения.

По словам одного из инженеров компании, внутри царит мрачная атмосфера, поскольку Samsung отстаёт от SK hynix в сегменте HBM, и не может догнать TSMC в сегменте контрактного производства. Многие сотрудники считают, что им платят меньше, чем на аналогичных должностях у конкурентов, а потому подумывают о переходе на работу в другие компании. Моральный дух сотрудников Samsung подрывает и ощущение неопределённости вектора дальнейшего развития компании. В сегменте бытовой техники продажи продукции Samsung тоже падают, и это угнетает сотрудников.

На позапрошлой неделе Samsung сформировала команду по разработке новых поколений HBM, которая объединила специалистов разных подразделений, но аналитики Nomura International считают, что в этой сфере ошибки будут давать о себе знать на протяжении трёх последующих лет. Рост цен на память в целом сейчас будет снабжать компанию достаточными ресурсами для развития и устранения слабых мест в бизнес-стратегии, но при этом важно принимать правильные решения.

Эксперты SemiAnalysis убеждены, что у Samsung имеются проблемы с компетентностью руководства и корпоративной культурой. Серьёзные перемены в обеих сферах могут стать болезненными, но необходимыми мерами по спасению её бизнеса. Однако изменения нужны как можно скорее, иначе компания может безвозвратно утратить свои позиции на рынке.

Компания SK hynix, входящая в холдинг SK Group, объявила о планах инвестировать в производство чипов 103 трлн вон ($74,8 млрд) до 2028 года. Это означает, что холдинг считает это направление решающим для будущего своего бизнеса, пишет Bloomberg.

Источник изображения: SK hynix

Заявлению SK hynix предшествовала ежегодная встреча топ-менеджеров SK Group под руководством главы холдинга Чей Тэ Вона (Chey Tae-won). В течение двух дней топ-менджеры обсуждали основные направления дальнейшего развития холдинга.

В заявлении SK Group указано, что около 80 % суммы инвестиций, или 82 трлн вон ($59,5 млрд), будет направлено на производство памяти HBM. Выпускаемые корейской компанией чипы HBM оптимизированы для использования с ИИ-ускорителями и активно применяются в соответствующих продуктах компании Nvidia. Также SK Telecom и SK Broadband, делая ставку на развёртывание ИИ-технологий, инвестируют 3,4 трлн вон ($2,5 млрд) в модернизацию и развёртывание своих ЦОД.

SK Group планирует получить к 2026 году 80 трлн ($58,1 млрд) вон от операционной деятельности и перестройки бизнеса. Планы также включают обеспечение 30 трлн вон ($21,7 млрд) свободного денежного потока в течение трёх лет, чтобы соотношение долга к собственному капиталу было ниже 100 %.

В заявлении также сообщается о намерении SK Group получить в этом году прибыль, размер которой до уплаты налогов составит 22 трлн вон ($15,9 млрд). Напомним, что в прошлом году холдинг сработал с убытками в 10 трлн вон ($7,2 млрд). В перспективе SK Group намерен увеличить прибыль до 40 трлн вон ($29,0 млрд) в 2026 году.

Следует отметить, что холдинг впервые раскрыл свои планы на период до 2028 года. Ранее SK hynix объявила о ряде инвестиционных планов на этот год, включая выделение $3,87 млрд на строительство современного завода по выпуску микросхем памяти класса HBM и исследовательского центра для продуктов ИИ в Индиане (США).

Компания SK hynix представила NVMe-накопитель PCB01 стандарта PCIe 5.0. Новинка близка по характеристикам к потребительской модели Platinum P51. Производитель говорит, что новинка оптимизирована для задач, связанных с работой ИИ и больших языковых моделей (LLM).

Источник изображения: SK hynix

Для PCB01 заявляется скорость последовательного чтения и записи на уровне 14 и 12 Гбайт/с соответственно. В SSD используется кеш-память SLC, повышающая его производительность при пакетных рабочих нагрузках. Производитель также отмечает, что накопитель на 30 % энергоэффективнее предшественников и при этом обеспечивает вдвое больший показатель пропускной способности.

SK hynix позиционирует этот SSD как решение, оптимизированное для рабочих нагрузок искусственного интеллекта. Заявлено, что PCB01 способен загружать большую языковую модель (LLM) в системную память (DRAM) менее чем за одну секунду, что помогает повысить производительность чат-ботов на базе искусственного интеллекта, работающих локально в хост-системе SSD.

«PCB01 выделяется не только оптимизированной архитектурой для ПК с искусственным интеллектом, этот продукт также получит большое внимание на рынке игровых и высокопроизводительных систем», — уверен Джэ Юн Юн (Jae-Yeun Yunn), глава отдела планирования и внедрения продуктов NAND в SK hynix.

Подробные характеристики SSD компания не сообщает. Отмечается, что в PCB01 используется технология защиты ROT (root of trust), защищающая от внешних кибератак, а также замены записанной информации.

Программа поддержки национальной полупроводниковой промышленности, предложенная властями Южной Кореи, обладает своей спецификой, но в конечном итоге призвана стимулировать развитие отрасли. Первые $19 млрд финансовой поддержки начнут распределяться между участниками корейского рынка в следующем месяце, но основную часть суммы по традиции составят льготные кредиты.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что власти Южной Кореи не особо щедры на безвозвратные субсидии, и они предпочитают предоставлять налоговые льготы или кредиты по сниженной ставки, а непосредственно инвестиции в полупроводниковую отрасль предлагают делать частным компаниям типа тех же Samsung Electronics и SK hynix. По крайней мере, к 2047 году они должны вложить в развитие национальной полупроводниковой промышленности $471 млрд.

Как сообщает Bloomberg, с июля власти страны начнут распределять $19 млрд, предназначенные для поддержки национальной полупроводниковой отрасли. Из этой суммы $12,2 млрд составят кредиты по льготным ставкам, которые соискателям предстоит вернуть государству. Эта часть средств будет доступна участникам программы со следующего месяца. Власти страны также учредят два отдельных фонда на общую сумму $790 млн, которые будут сформированы непосредственно из субсидий, и меньший из них ($216 млн) призван способствовать развитию корейских производителей оборудования и материалов для производства чипов. Участники программы субсидирования также смогут претендовать на получение налоговых льгот на срок не менее трёх лет, и производители оборудования и материалов могут попасть под их действие.

На технологической конференции в марте этого года компания Samsung Electronics заявила, что рассчитывает наладить массовый выпуск трёхмерной DRAM к концу десятилетия. SK hynix, вдохновляемая своими успехами в сфере выпуска HBM, недавно сообщила, что в рамках экспериментального производства 3D DRAM получает 56 % годной продукции.

Источник изображения: SK hynix

Напомним, что используемая в сегменте высокоскоростных вычислений память типа HBM в традиционном толковании имеет компоновку 2.5D, а полноценную трёхмерную компоновку должна предложить память 3D DRAM, разработку которой сейчас ведут все три крупнейших производителя оперативной памяти: Samsung Electronics, SK hynix и Micron Technology.

По информации Business Korea, компания SK hynix на симпозиуме VLSI 2024 на прошлой неделе сообщила о промежуточных успехах в разработке памяти типа 3D DRAM. Пятислойные микросхемы компания уже может выпускать с уровнем выхода годной продукции 56,1 %, что довольно много для ранней стадии выпуска нового типа полупроводниковых изделий. Как отмечается, характеристики опытных образцов 3D DRAM в целом не уступают чипам с традиционной планарной компоновкой.

Само собой, предстоит проделать немалую работу по созданию условий для производства 3D DRAM в массовых количествах. Имеющиеся образцы такой памяти, по словам представителей SK hynix, не отличаются стабильностью с точки зрения быстродействия, а в плане пригодности к массовому производству имеет смысл рассчитывать на создание микросхем памяти с количеством слоёв от 32 до 192 штук.

Стремление азиатских производителей памяти обзавестись предприятиями на территории США вовсе не означает, что исконно американские компании не собираются строить новые заводы за пределами страны. Например, Micron Technology рассматривает возможность организации выпуска передовой памяти HBM в Малайзии, и в следующем году рассчитывает занять до 25 % мирового рынка такой памяти.

По данным TrendForce, на которые ссылается Nikkei Asian Review, подобная доля рынка сейчас принадлежит Micron Technology и в сегменте DRAM в целом. На рынке HBM в этом смысле Micron пока не добилась существенных успехов, поскольку конкурирующим SK hynix и Samsung Electronics принадлежат 50 и 42,4 % этого сегмента соответственно. Таким образом, чтобы занять необходимые 25 % рынка HBM, компании Micron нужно по итогам следующего года увеличить свою долю более чем в три раза.

Micron собирается нарастить не только производственные мощности, но и увеличить количество исследовательских центров и экспериментальных линий, которые помогут компании быстрее выводить на рынок новые разновидности HBM. Помимо экспансии предприятий в родном американском штате Айдахо, компания задумывается о строительстве первого для себя предприятия в Малайзии по обработке кремниевых пластин. Впрочем, тестированием и упаковкой микросхем памяти компания в этой стране уже занимается. Кроме того, её крупнейшее предприятие по производству HBM расположено в центральной части Тайваня, и оно тоже будет расширяться.

Samsung пока не удаётся пройти все этапы сертификации своей памяти HBM3E для её поставок компании Nvidia, а вот Micron свои аналогичные чипы для ускорителей H200 уже поставляет, как и лидирующая на рынке SK hynix. Корейскому гиганту Samsung приходится довольствоваться поставками более зрелых видов HBM для нужд AMD, Google и Amazon. Компания Nvidia является крупнейшим покупателем микросхем HBM, но она приобретает не более 48 % годовой программы выпуска памяти всех трёх мировых производителей, по оценкам Morgan Stanley.

Основные игроки рынка полупроводниковой памяти объявили о планах массового производства GDDR7, являющийся новым стандартом JEDEC для памяти, применяемой с графическими процессорами. Потребители с нетерпением ждут выхода GDDR7, которая обещает резкий скачок производительности графических систем, необходимый для игр и ресурсоёмких приложений.

Источник изображения: anandtech.com

SK hynix продемонстрировала свою линейку продуктов GDDR7 на недавно прошедшей выставке Computex 2024. По заявлению представителей компании, массовое производство запланировано только на первый квартал 2025 года, сообщает ресурс AnandTech. Это делает SK hynix последним из «большой тройки» производителей памяти в плане старта промышленного выпуска чипов нового стандарта.

Конкуренты опережают южнокорейского гиганта. Компания Samsung уже приступила к тестовому производству GDDR7 с целью начать поставки до конца 2024 года. А Micron нацелена не только запустить конвейер в этом году, но и поставить первые партии чипов партнёрам для установки в готовые устройства.

Таким образом, SK hynix рискует отстать от лидеров рынка почти на год. Однако стоит отметить, что при использовании отраслевых стандартов памяти время старта массового производства не так критично. Главное, чтобы чипы поступали партнёрам для тестирования и интеграции в продукты.

На Computex 2024 компания SK hynix продемонстрировала рабочие образцы GDDR7, а также раскрыла планы по выпуску чипов ёмкостью 16 Гбит и 24 Гбит со скоростью передачи данных до 40 Гбит/с. Пока неизвестно, когда будут готовы более производительные, а значит и более дорогостоящие конфигурации. Тем временем Samsung и Micron начнут производство с 16-Гбит со скоростью 32 Гбит/с. Выход на рынок с более быстрыми микросхемами стал бы серьёзным конкурентным преимуществом для SK hynix.

Источник изображения: anandtech.com

В целом рынок ожидает появления GDDR7 с большим интересом. Новый стандарт обещает существенный рост производительности и пропускной способности по сравнению с предшественником. Это позволит создавать более мощные видеокарты и графические процессоры для самых ресурсоёмких приложений, таких как облачный гейминг, метавселенные и промышленная визуализация. Ближайшие год-два станут временем активной конкурентной борьбы за рынок этого многообещающего продукта.