Основная часть средств, предусмотренных «Законом о чипах» 2022 года на поддержку развития полупроводниковой отрасли США, уже распределена, но администрация Байдена продолжает подписывать профильные контракты с компаниями, которые заявлялись на получение субсидий. SK hynix должна получить $458 млн на строительство в США предприятия по тестированию и упаковке чипов.

Источник изображения: SK hynix

Данное предприятие будет построено в штате Индиана, об этом южнокорейская компания SK hynix заявила ещё в апреле текущего года. На реализацию проекта планируется потратить $3,87 млрд, часть мощностей будет отведена под тестирование и упаковку передовых чипов HBM, которые требуются для локального выпуска ускорителей вычислений. Важность данного типа компонентов для обеспечения суверенитета и безопасности США, по всей видимости, и обеспечила выделение $485 млн субсидий на реализацию проекта SK hynix.

Корейский производитель, который сейчас является лидирующим поставщиком HBM в мире, также может претендовать на $500 млн льготных кредитов. Выделение средств будет осуществляться поэтапно, по мере достижения проектом определённых вех в реализации. Планируется, что предприятие в Индиане обеспечит работой 1000 человек. Что характерно, конкурирующая Samsung Electronics до сих пор не получила гарантий по выделению тех $6,4 млрд, которые власти страны изначально пообещали предоставить ей на строительство новых предприятий в штате Техас. Все прочие крупные соискатели, включая TSMC, Intel и Micron, свои гарантии от властей США в этой сфере уже получили.

Подразделение корейского холдинга SK Group, в который входит SK hynix, носящее название Absolics, в этом месяце также получило гарантии властей США на предоставление $75 млн субсидий на строительство в штате Джорджия предприятия по выпуску материалов, востребованных в современной полупроводниковой промышленности.

Компания SK hynix сообщила о выпуске твердотельных NVMe-накопителей серии Platinum P51 PCIe 5.0. Новинки были впервые продемонстрированы на выставке GTC в марте этого года. До прилавков они добрались только сейчас, однако с тех пор производитель улучшил некоторые характеристики этих SSD.

Источник изображений: SK hynix

Компания заявляет для Platinum P51 PCIe 5.0 скорость последовательного чтения до 14,7 Гбайт/с. На момент анонса накопителя в марте этот показатель составлял 13,5 Гбайт/с. Скорость последовательной записи также улучшена — с 11,5 до 13,4 Гбайт/с. Производительность в операциях случайного чтения достигает 2,3 млн IOPS, а при случайной записи — до 2,4 млн IOPS.

Такие показатели делают новинку самым быстрым потребительским SSD формата M.2 на рынке — большинство других решений предлагает скорость до 14 Гбайт/с.

Ресурс Platinum P51 PCIe 5.0 объёмом 2 Тбайт заявлен на уровне 1200 TBW (терабайт перезаписанной информации). Это вполне средний показатель для современных SSD, что может несколько разочаровывать, учитывая, что накопители основаны на передовых 238-слойных чипах флеш-памяти 3D TLC NAND от SK hynix. Максимальный объём для этой серии составляет 2 Тбайт, в то время как в неё также вошли модели объёмом 1 Тбайт и 500 Гбайт.

Независимые тесты Platinum P51 PCIe 5.0 подтверждают заявленный производителем уровень производительности, по крайней мере в бенчмарке CrystalDiskMark.

Информация о стоимости накопителей Platinum P51 PCIe 5.0 пока отсутствует.

Принято считать, что для производства микросхем памяти в целом используются менее дорогостоящие литографические технологии, но современная память становится более сложной по своей компоновке, а потому при её выпуске востребована продвинутая литография. SK hynix намерена привлечь TSMC к производству стеков HBM4 с использованием 3-нм техпроцесса со второй половины 2025 года.

Источник изображения: SK hynix

Об этом сообщает издание The Korea Economic Daily со ссылкой на осведомлённые источники. Передовой техпроцесс потребуется для производства базового кристалла для кастомных HBM4, которые будут выпускаться специально для Nvidia. В базовом кристалле располагается логика и на его основе формируется вертикальный стек. Первоначально SK hynix рассчитывала выпускать этот кристалл по 5-нм технологии, но в ходе переговоров с TSMC и крупными клиентами обеих компаний было принято решение об использовании более продвинутого 3-нм техпроцесса для этих целей. Память типа HBM4 корейский поставщик надеется начать отгружать для нужд Nvidia во второй половине 2025 года.

Как ожидается, прототип микросхемы HBM4 на базе 3-нм основания будет продемонстрирован SK hynix в марте следующего года. Получаемые сейчас Nvidia от TSMC графические процессоры выпускаются по 4-нм технологии. По некоторым оценкам, перевод базового чипа HBM4 на 3-нм технологию производства позволит поднять быстродействие памяти на 20–30 % относительно 5-нм варианта. SK hynix контролирует примерно половину мирового рынка HBM, основную часть своей продукции данного типа она поставляет для нужд Nvidia. Конкурирующая Samsung не может сертифицировать свою HBM3E для использования в продукции Nvidia, а ещё она собирается использовать при производстве HBM4 лишь 4-нм базовые кристаллы. Память типа HBM4 уже относится к шестому поколению данных микросхем.

В свою очередь, базовые кристаллы для стандартных стеков HBM4 и HBM4E, которые будут получать все прочие клиенты SK hynix кроме Nvidia, будут выпускаться по 12-нм техпроцессу, также силами TSMC. Базовые кристаллы для HBM3E корейская компания выпускает самостоятельно, но в свете перехода к HBM4 решила углубить сотрудничество с TSMC в данной сфере. Утверждается, что по просьбе Nvidia компания SK hynix ускорила разработку и процесс подготовки к массовому производству микросхем HBM4. Ранее она собиралась наладить выпуск HBM4 в начале 2026 года, а теперь готова сделать это примерно на полгода раньше. Тем временем, памятью типа HBM4 интересуется и компания Tesla, она пока выбирает между продукцией SK hynix и Samsung Electronics.

В сфере производства памяти класса HBM лидируют южнокорейские компании SK hynix и Samsung Electronics, которые сообща контролируют примерно 96 % этого рынка, причём первая серьёзно опережает вторую в сегменте передовой HBM3E. Китайская компания CXMT пытается наладить самостоятельный выпуск HBM2, но американские санкции мешают ей сделать это, а потому серийное производство китайской памяти такого типа будет освоено не ранее 2025 года.

Источник изображения: CXMT

Так считают аналитики, на прогноз которых ссылается издание South China Morning Post. Эксперты TechInsights поясняют, что используемая китайскими разработчиками ускорителей вычислений память класса HBM поступает от южнокорейских SK hynix и Samsung Electronics, поскольку находящаяся под санкциями в Китае американская Micron Technology в этой цепочке поставок участвовать не может.

Деятельность китайской CXMT по разработке методов производства HBM привлекла внимание американских регуляторов, поэтому санкции против этой компании усиливаются, и ей становится всё сложнее следовать намеченной цели. Попытки приступить к производству HBM флагманом китайской промышленности предпринимаются с 2023 года, но они преимущественно ограничены экспериментальной стадией и регистрацией необходимых для организации производства патентов. По словам представителей Morgan Stanley, компания CXMT сотрудничает с одним из китайских игроков рынка услуг по упаковке и тестированию чипов, что совершенно закономерно.

В совокупности, обе китайские компании с 2022 года оформили около 100 патентных заявок, связанных с технологиями производства памяти типа HBM. По мнению аналитиков TechInsights, компания CXMT сможет наладить серийный выпуск HBM2 не ранее 2025 года, причём уровень выхода годной продукции не превысит 30 %, а потому подобная память останется не только дефицитной, но и очень дорогой. CXMT в условиях санкций имеет доступ только к оборудованию, позволяющему работать с 17-нм и 18-нм техпроцессами, тогда как зарубежные конкуренты уже шагнули в диапазон ниже 10 нм. При этом CXMT уже способна контролировать 11 % мировых мощностей по выпуску памяти типа DRAM, за последние пару лет она увеличила объёмы её выпуска почти в четыре раза.

Заслужившая право считаться лидером рынка южнокорейская SK hynix свою память типа HBM2 представила в 2018 году, а чип HBM первого поколения она выпустила первой в мире в 2013 году. Два месяца назад компания запустила массовое производство 12-слойной HBM3E, которая является самой продвинутой в отрасли на данный момент. В следующем году такая память станет самой распространённой в сегменте актуальных ускорителей вычислений. Китайские производители в этом смысле отстают от неё минимум на два поколения продукции, даже если рассуждать об их возможностях чисто теоретически.

По мере роста цен на флеш-память её производители воспряли духом и начали рассказывать о дальнейших планах по совершенствованию технологий её выпуска. SK hynix на этой неделе сообщила, что приступает к массовому производству первой в мире 321-слойной памяти 3D NAND (сама компания называет её 4D NAND), которую начнёт поставлять клиентам в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

Являясь лидером в сегменте HBM, востребованной ускорителями вычислений для ИИ, компания SK hynix теперь претендует на статус «поставщика полного цикла» памяти для систем искусственного интеллекта. Она напоминает, что в июне прошлого года стала первым в мире поставщиком 238-слойной памяти NAND, а теперь за счёт применения передовых технологий монтажа стеков внутри микросхемы первой преодолела рубеж в 300 слоёв. Терабитные микросхемы 321-слойной памяти 3D NAND её клиенты начнут получать в первой половине 2025 года.

Прогресс в увеличении количества слоёв памяти был достигнут за счёт совершенствования технологии создания вертикальных каналов и применения материала с большей механической стабильностью. При этом 321-слойная память была разработана на той же платформе, что и 238-слойная. Переход на выпуск нового поколения при этом повысит производительность производства на 59 % с минимальными рисками.

Кроме того, новое поколение памяти повышает скорость передачи информации на 12 % и повышает скорость чтения на 13 %, при этом энергетическая эффективность данных операций увеличивается более чем на 10 %. Такие микросхемы станут хорошей основой для современных скоростных твердотельных накопителей, применяемых в системах искусственного интеллекта.

Компания Solidigm анонсировала новую модель твердотельного накопителя в семействе D5-P5336 — ёмкость новинки составляет впечатляющие 122,88 Тбайт. На рынок SSD выйдет сначала в формфакторе U.2, а за ним последует вариант формата E1.L 9,5 мм. Ориентирована новинка на использование в серверах.

Источник изображений: Solidigm

Компания и ранее выпускала накопители D5-P5336, но до настоящего момента самый вместительный из них имел ёмкость 61,44 Тбайт. Новый вариант на 122,88 Тбайт сохранил все возможности предыдущих, в том числе поддержку PCIe 4.0 и NVMe 2.0, а также потребление менее 5 Вт в режиме ожидания. PCIe 4.0 не является стандартом последнего поколения, но это не значит, что этот SSD медленный: скорость последовательного чтения составляет до 7400 Мбайт/с, а скорость случайного чтения достигает 930 000 IOPS.

Диск отличается высокой долговечностью, утверждает Solidigm — его ресурс составляет 134,3 PBW. Это означает, что накопитель можно эксплуатировать в режиме 24/7, выполняя случайную запись блоками по 32 кбайт в течение пяти лет подряд, и по истечении этого срока у него останутся ещё 5 % срока службы. Компания уже начала рассылать клиентам образцы новых SSD в формфакторе U.2, а полномасштабные поставки стартуют в I квартале будущего года; в начале следующего года начнётся рассылка образов накопителя формата E1.L 9,5 мм с поставками во II квартале. Цены на Solidigm D5-P5336 ёмкостью 122,88 Тбайт не уточняются.

Бывшая сотрудница компании SK hynix, 36-летняя гражданка Китая, была осуждена на 18 месяцев тюремного заключения и оштрафована на 20 млн вон (около $14 000) за кражу критически важной технологии производства полупроводников перед переходом на работу в Huawei. Суд Южной Кореи признал её виновной в нарушении Закона о защите промышленной технологии (ITA Amendment), отметив, что обвиняемая распечатала около 4000 страниц технической документации с целью повысить свою ценность на новом месте работы.

Источник изображений: Pixabay

Карьера подсудимой в SK hynix началась в 2013 году, где она занималась анализом дефектов в производстве полупроводников. В 2020 году она была назначена на должность руководителя команды, отвечающей за работу с бизнес-клиентами китайского филиала компании, что предполагало доступ к обширному массиву технологических данных и конфиденциальной информации. Этот опыт позволил ей претендовать на более высокооплачиваемую позицию в Huawei, на которую она согласилась в июне 2022 года.

Суд отверг доводы подсудимой о том, что распечатка документов — около 4000 страниц за 4 дня — была необходима для учебных целей и передачи дел. Защита настаивала, что эти материалы копировались исключительно для выполнения рабочих задач. Однако суд отметил, что такие действия выглядели необычно: документы были распечатаны в июне 2022 года, всего за несколько дней до её увольнения из компании и последующего трудоустройства в Huawei. При этом кража данных произошла в офисе SK hynix в Шанхае, где меры безопасности были менее строгими.

Суд установил, что подсудимая ежедневно выносила примерно по 300 страниц распечатанных документов, пряча их в рюкзаке и сумке для покупок. Этот методичный и систематический подход вызвал подозрение в преднамеренном нарушении конфиденциальности данных, что не ускользнуло от следствия. Обвинение подчеркнуло, что сведения, связанные с технологиями производства полупроводников, могли представлять значительную ценность для нового работодателя подсудимой.

Суд также предположил, что переход обвиняемой на работу в Huawei сразу после ухода из SK hynix мог свидетельствовать о её намерении использовать похищенную техническую документацию для подтверждения своей профессиональной значимости. Вскоре после возвращения в Южную Корею в июне 2022 года она приступила к обязанностям в Huawei, что вызвало у следствия серьёзные подозрения.

Однако при вынесении приговора суд учёл отсутствие доказательств того, что украденная информация действительно была использована на новом месте работы, а также отсутствие заявленных материальных претензий со стороны SK hynix. Эти обстоятельства стали основанием для сокращения срока заключения и ограничения размера штрафа.

Судебное разбирательство также позволило раскрыть меры безопасности, которые SK hynix принимает для защиты конфиденциальных данных. В компании запрещено использование съёмных носителей, таких как USB-накопители, а все печатные материалы подвергаются строгому контролю: фиксируются содержание документа, данные о пользователе принтера и назначение печати. Тем не менее подсудимой удалось обойти эти меры безопасности в шанхайском офисе SK hynix, откуда документы и были ею похищены.

Немалая часть микросхем памяти Samsung и SK hynix выпускается на территории Китая, и профильное оборудование требует обновления и замены. Как отмечает издание Chosun Daily, компания Samsung готовится продать выведенное из эксплуатации оборудование для выпуска памяти типа 3D NAND со своего китайского предприятия на внутреннем рынке.

Источник изображения: Samsung Electronics

Предполагается, Samsung попытается найти новых владельцев для своего бывшего в употреблении оборудования для выпуска 100-слойной памяти типа 3D NAND. Наиболее вероятными кандидатами на покупку являются китайские производители памяти, но до сих пор Samsung и SK hynix предпочитали продавать оборудование через посредников, избегая прямых сделок с китайскими компаниями. Samsung собирается переводить своё предприятие в китайском Сиане на выпуск 200-слойной памяти.

По правилам экспортного контроля в США, которые вступили в силу в октябре 2022 года, поставки в Китай оборудования для выпуска памяти 3D NAND с более чем 128 слоями запрещены. Samsung и SK hynix смогли выбить для себя освобождение от этих ограничений на неопределённый срок. Однако, реализация бывшего в употреблении оборудования на территории Китая представляет для корейских компаний определённый риск даже в случае с техникой, предназначенной для выпуска памяти по более старым нормам. Сама Samsung намеревается к 2026 году наладить выпуск 400-слойной памяти типа 3D NAND. Удастся ли компании найти в Китае покупателей для своего старого оборудования без ущерба для взаимоотношений с американскими чиновниками, станет понятно в следующем году, когда вопрос об избавлении от этого оборудования обретёт высокую актуальность.

SK hynix ускорит выпуск нового поколения чипов памяти HBM для задач, связанных с работой ИИ, после того, как глава компании Nvidia Дженсен Хуанг (Jensen Huang) спросил южнокорейского поставщика микросхем о возможности начать поставки образцов новой памяти на шесть месяцев раньше изначально запланированного срока. Решение свидетельствует о сохраняющемся мировом спросе на передовые полупроводники, пишет Bloomberg.

Источник изображения: TechPowerUp

Хуанг поднял вопрос о будущей высокопроизводительной памяти HBM4 в ходе встречи с председателем SK Group Чеем Тэ Воном (Chey Tae-won), о чём сам южнокорейский бизнесмен сообщил в кулуарах саммита SK AI по вопросам технологий ИИ в понедельник, пишет издание. Чей считает, что Хуанг преуспел в качестве лидера отчасти благодаря своему акценту на скорости внедрения новых решений на рынок.

Ранее SK hynix сообщила, что придерживается графика и планирует начать поставки памяти HBM4 своим клиентам во второй половине 2025 года. Эти планы она в очередной раз подтвердила в рамках финансового отчёта в октябре. Южнокорейская компания является ключевым поставщиком микросхем памяти HBM, которые используются в составе специальных ИИ-ускорителей Nvidia.

Как пишет Bloomberg, судьба поставок памяти HBM4 в 2025 году зависит от того, сможет ли южнокорейский производитель чипов вовремя завершить сложный процесс квалификации микросхем со стороны Nvidia. Однако по словам топ-менеджера SK Group, «обе стороны находятся на одной волне» по вопросу графика выпуска HBM4. Как сообщается, в то же время сама Nvidia пока не может удовлетворить спрос на достаточное количество ИИ-чипов. По словам Чея, обе компании работают над тем, чтобы решить проблему сохраняющегося дефицита поставок.

SK hynix в понедельник также раскрыла некоторые дополнительные подробности о дорожной карте своих будущих продуктов. Производитель микросхем планирует выпустить 16-слойные чипы памяти HBM3E в начале 2025 года, а также выпустить микросхемы HBM5 и HBM5E в 2028–2030 годах. В прошлом месяце компания отчиталась о рекордном квартальной выручке и сообщила о планах начать поставки своих самых передовых на данный момент 12-слойных чипов памяти HBM3E в четвёртом квартале этого года.

Компания Samsung Electronics, которая изо всех сил пытается догнать SK hynix в сегменте производства ИИ-чипов, заявила, что планирует массовое производство микросхем памяти HBM4 во второй половине следующего года. Samsung рассчитывает, что её продукты HBM4 помогут конкурировать с SK hynix в поставках для Nvidia.

SK hynix представила первые в мире стеки памяти HBM3E ёмкостью 48 Гбайт из 16 кристаллов — это новый рекорд для архитектуры 16-Hi. На SK AI Summit 2024 в Сеуле генеральный директор компании Квак Но Чун (Kwak Noh-Jung) объявил о стратегии SK hynix, направленной на превращение компании в поставщика полного ассортимента решений на базе памяти DRAM и NAND для ИИ.

Источник изображений: SK hynix

Квак Но-Чжун отметил, что роль памяти за последние десятилетия претерпела значительные изменения: от хранения данных на персональных компьютерах (ПК) и смартфонах до поддержки функционирования облачных сервисов и социальных сетей. В будущем, с развитием ИИ, память будет играть ещё более важную роль, способствуя созданию новых форм взаимодействия и творчества для пользователей. Концепция «Креативной памяти», разработанная SK hynix, строится на применении полупроводников нового поколения, обеспечивающих мощные вычислительные возможности, необходимые для выполнения сложных задач.

SK hynix активно стремится к инновациям, создавая уникальные решения, не имеющие аналогов. В качестве основы выбраны продукты категории Beyond Best, отличающиеся высокой конкурентоспособностью и оптимальными инновациями, ориентированными на потребности ИИ-систем. В начале следующего года компания планирует представить тестовые образцы памяти HBM3E объёмом 48 Гбайт, подчёркивая свою готовность к внедрению передовых достижений в области памяти для ИИ.

HBM3E с архитектурой 16-Hi обеспечивает повышение производительности до 18 % в процессах обучения ИИ-моделей и до 32 % — при обработке данных по сравнению с решениями на основе 12-Hi, заявляет SK hynix. С ростом спроса на ИИ-ускорители для обработки данных это решение поможет SK hynix упрочить своё положение на рынке памяти для ИИ. Для массового производства 16-слойной HBM3E будет использована усовершенствованная технология Advanced MR-MUF, ранее успешно применявшаяся для 12-Hi решений.

Кроме HBM3E, SK hynix разрабатывает решения для других секторов, включая модули LPCAMM2 для ПК и дата-центров, а также энергоэффективную память LPDDR5 и LPDDR6, выполненную по техпроцессу 1c.

Компания также планирует интегрировать логику в базовый кристалл в памяти HBM4, что станет возможным благодаря партнёрству с одним из ведущих производителей логических полупроводников. Это позволит SK hynix разрабатывать кастомизированные HBM-решения, адаптированные к специфическим запросам клиентов по объёму, пропускной способности и функциональным характеристикам.

Память HBM3E обеспечивает скорость передачи данных на контакт 9,2 Гбит/с, что даёт пропускную способность выше 1,2 Тбайт/с

В ответ на растущие потребности ИИ-систем в увеличении объёма памяти SK hynix разрабатывает решения на основе CXL-сетей, которые обеспечат интеграцию различных типов памяти в массивы высокой ёмкости. Параллельно компания разрабатывает eSSD с ультравысокой ёмкостью, что позволит эффективно хранить большие объёмы данных на ограниченном пространстве и с оптимальным энергопотреблением.

Стремясь преодолеть так называемый «барьер памяти», SK hynix разрабатывает технологии с встроенными вычислительными возможностями. Такие решения, как Processing near Memory (PNM), Processing in Memory (PIM) и Computational Storage, позволят обрабатывать колоссальные объёмы данных, минимизируя задержки и увеличивая пропускную способность. Эти инновации откроют новые перспективы для ИИ-систем нового поколения, позволяя выполнять ресурсоёмкие задачи с минимальными задержками.

Инвесторы, по всей видимости, закрыли глаза на снижение операционной прибыли Samsung в полупроводниковом сегменте последовательно на 40 %, как только услышали заявление руководства о намерениях начать продажи передовой HBM3E в четвёртом квартале. Акции южнокорейского гиганта выросли в цене на 3,6 %, хотя общие итоги предыдущего квартала к этому не особо располагали.

Источник изображения: Samsung Electronics

Прежде всего, как отмечает Bloomberg, исполнительный вице-президент Samsung Electronics Чжэ Чжу Ким (Jaejune Kim), отвечающий за выпуск памяти, признался в наличии существенного прогресса в сертификации микросхем HBM3E новейшего поколения с крупным клиентом, в которым легко угадывается Nvidia. По его словам, Samsung собирается начать поставки передовых микросхем HBM3E в текущем квартале.

До этого, напомним, у Samsung регулярно возникали трудности с получением подобного сертификата, хотя руководство Nvidia свою заинтересованность в использовании HBM3E производства Samsung демонстрировало ещё весной текущего года. Впрочем, пока нельзя оценить, насколько массовыми будут поставки 12-ярусных микросхем памяти типа HBM3E производства Samsung в текущем квартале, если речь идёт именно о них. Так или иначе, курс акций конкурирующей SK hynix, которая контролирует половину рынка, снизился сегодня на 4,6 %.

Напомним, что операционная прибыль Samsung в полупроводниковом сегменте по итогам третьего квартала не только последовательно сократилась на 40 %, но и не оправдала ожидания аналитиков. SK hynix в прошлом квартале получила рекордную операционную прибыль, пообещав начать поставки своих 12-ярусных микросхем HBM3E в текущем квартале. Samsung же готова наращивать выпуск HBM3E в ущерб прочим типам памяти, она также сделала это направление приоритетным для капитальных затрат. Рассчитывая потратить на эти нужды $35 млрд в текущем году, Samsung собирается наладить выпуск HBM4 во второй половине следующего года.

В сегменте контрактного производства чипов, как отмечает Samsung, размер капитальных расходов в этом году уменьшится по сравнению с предыдущим, но компания всё равно намеревается обновлять свои производственные линии, специализирующиеся на зрелой литографии. Нарастить собственную выручку в контрактном сегменте компания рассчитывает за счёт улучшения уровня выхода годной продукции по передовым техпроцессам. Мировой рынок подобных услуг в денежном выражении в следующем году вырастет на двузначное количество процентов, по мнению руководства Samsung.

Сегмент смартфонов в текущем квартале последовательно вырастет, спрос на старшие модели будет этому способствовать, но основная конкуренция будет наблюдаться в среднем ценовом диапазоне. Из-за этого могут измениться как объёмы поставок устройств, так и их средняя цена реализации.

Занимая второе место в мировом рейтинге производителей памяти в целом, южнокорейская SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком востребованных ускорителями вычислений микросхем памяти типа HBM. Благоприятная конъюнктура позволила компании по итогам третьего квартала обновить рекорды как по выручке, так и по прибыли.

Источник изображения: SK hynix

Выручка SK hynix в третьем квартале выросла в годовом сравнении на 94 % до $12,7 млрд в пересчёте по курсу, а операционная прибыль превзошла ожидания аналитиков, достигнув уровня в $5,08 млрд против убытков в размере $1,3 млрд годом ранее. Помимо поставок HBM, компания выигрывает на фоне бума систем искусственного интеллекта за счёт поставок твердотельных накопителей в серверном сегменте. В минувшем квартале серверное направление обеспечило более 60 % выручки в сегменте NAND.

В натуральном выражении объёмы поставок микросхем семейства HBM выросли более чем на 70 % последовательно и более чем в три раза по сравнению с аналогичным периодом прошлого года. Даже после такого бурного роста SK hynix не стесняется заявить, что рассчитывает на сохранение тенденции и в следующем году. Сегменты DRAM и NAND в следующем году вырастут на 15–19 % в денежном выражении, как считают представители производителя.

Кроме того, спрос на память в сегменте ПК и смартфонов тоже начнёт расти, поскольку потребители начнут интересоваться новыми моделями устройств с функциями локального ускорения работы систем искусственного интеллекта. Представители компании считают, что отрасль по производству памяти почти миновала кризисную фазу и теперь готова к восстановлению спроса. В текущем квартале SK hynix начнёт поставлять 12-ярусные стеки памяти типа HBM3E. В ближайшей перспективе это поможет ей увеличить долю доходов от реализации HBM с 30 до 40 % совокупной выручки. К поставкам микросхем HBM4 компания намеревается приступить во второй половине следующего года. Руководство SK hynix убеждено, что о снижении спроса на HBM в сегменте ИИ говорить преждевременно.

Лидируя на мировом рынке как поставщик памяти в целом, южнокорейская компания Samsung Electronics страдает от конкуренции с SK hynix в быстро растущем сегменте HBM, поскольку до сих пор не может наладить поставки новейших микросхем HBM3E для нужд Nvidia. По некоторым данным, Samsung потребуется внести изменения в дизайн этих чипов, на что уйдёт до шести месяцев времени.

Источник изображения: Samsung Electronics

По информации ZDNet, у Samsung возникли проблемы с производством не только базового чипа для стеков памяти HBM3E, но и самих микросхем DRAM, его формирующих. Дело в том, что компания изначально замахнулась на использование технологии 1α с несколькими слоями, обрабатываемыми с использованием EUV-литографии. В конечном итоге это должно было сделать микросхемы памяти более дешёвыми, но Samsung не удалось добиться стабильного уровня качества при их производстве. Micron и SK hynix предпочитают придерживаться более зрелого техпроцесса 1β, причём последняя ограничивается единственным слоем кристалла, который обрабатывается с использованием EUV. В случае с Samsung их количество достигает пяти, и это создаёт проблемы при производстве.

Сейчас Samsung, как отмечается, обсуждает возможность изменения дизайна своих микросхем DRAM, которые формируют стек HBM3E, ради повышения уровня выхода годной продукции. Если эти изменения в процесс производства решено будет внести, то на их внедрение может уйти до шести месяцев, и тогда Samsung сможет приступить к поставкам HBM3E, соответствующей требованиям Nvidia, не ранее второго квартала следующего года. Источники попутно сообщают, что представители Nvidia посетили предприятие Samsung, где выпускаются 8-слойные стеки HBM3E, и по результатам проверки выяснилось, что они уступают по уровню быстродействия до 10 % аналогичным по характеристикам изделиям SK hynix и Micron.

Официальные органы статистики Южной Кореи уже подвели итоги сентября, которые показали, что уже второй месяц подряд цены на DRAM растут не так быстро, как в предыдущие периоды. Аналогичная тенденция ещё сильнее выражена в сегменте NAND. Возможно, это указывает на снижение спроса на микросхемы памяти в связи с близящимся насыщением рынка.

Источник изображения: Samsung Electronics

Для Южной Кореи экспорт микросхем памяти является важнейшим драйвером национальной экономики. В этой стране выпускает основную часть своей памяти лидирующая на мировом рынке компания Samsung Electronics. Уступающая ей по общей структуре ассортимента продукции SK hynix контролирует более половины мирового рынка HBM и продолжает укреплять свои позиции. Это самый динамично растущий сегмент рынка памяти, что объясняется бумом систем искусственного интеллекта, для которых и нужны соответствующие микросхемы. Южная Корея остаётся крупнейшим экспортёром микросхем памяти.

HBM относится к категории DRAM, в сентябре цены на микросхемы данного класса выросли год к году на 55,4 %, что ниже августовских 57,3 %. Конечно, о падении цен говорить вообще не приходится, но они по крайней мере начинают расти более медленными темпами. В сегменте NAND августовские 126,5 % прироста сменились в сентябре ростом цен на 117,4 %. Память данного типа менее востребована в системах искусственного интеллекта, поэтому спрос на неё может подогреваться преимущественно в потребительском сегменте и той части серверного, которая ориентирована на скоростной обмен данными.

К концу октября SK hynix и Samsung Electronics объявят об итогах работы за III квартал и, как ожидается, SK Hynix может превзойти Samsung Electronics по объёму операционной прибыли от производства полупроводников, пишет KoreaTimes.

Источник изображения: SK hynix

Согласно консенсус-прогнозу аналитиков, операционная прибыль SK Hynix в III квартале вырастет до 6,76 трлн вон (около $5 млрд), а выручка составит около 17,99 трлн вон (около $13,3 млрд). Если прогнозы оправдаются, компания может достичь рекордно высокого уровня квартальной операционной прибыли, несмотря на негативные перспективы мирового рынка чипов памяти.

Как ожидают аналитики, у Samsung Electronics операционная прибыль в III квартале составит 10,77 трлн вон ($7,96 млрд), а операционная прибыль его подразделения Device Solutions (DS) упадет до 5,2 – 6,3 трлн вон ($3,85 – $4,66 млрд). Samsung Electronics не раскрывает в прогнозе подробности по каждому бизнес-подразделению. По оценкам экспертов, на DS приходится более 50 % всей операционной прибыли южнокорейского технологического гиганта.

Это означает, что SK hynix может превзойти Samsung Electronics по величине прибыли от производства чипов на 400 млрд – 1,5 трлн вон, что станет ударом по сложившейся репутации Samsung как крупнейшей в мире компании по производству микросхем памяти. Эксперты не исключают, что SK hynix может обогнать Samsung и по показателю операционной прибыли за год.

Повышение прибыльности SK hynix связывают с ростом выпуска чипов HBM, которые она поставляет NVIDIA, являясь её крупнейшим поставщиком.

Аналитик SK Securities Хан Донг-хи (Han Dong-hee) отметил, что растущий выпуск восьмислойной HBM3e приведёт к заметному росту средней цены продажи чипов памяти SK Hynix. По его прогнозу, доля продаж HBM в выручке компании от производства DRAM превысит 30 %. HBM примерно в 3–5 раз дороже обычных продуктов DRAM, что обеспечивает более высокую прибыльность для SK hynix.

Недавно SK hynix начала массовое производство 12-слойных чипов HBM3e. В отчёте за II квартал SK hynix заявила в июле, что «ожидает 300-процентного или более высокого роста своего бизнеса HBM в этом году».

Samsung Electronics тоже производит чипы HBM3e, но, как сообщается, NVIDIA всё ещё тестирует её продукцию. Согласно данным TrendForce, в 2023 году SK hynix лидировала на мировом рынке HBM с долей 53 %, за ней следовала Samsung (38 %).