Сегодня 05 октября 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

Samsung запустила массовое производство 12-нм DDR5 DRAM — самой передовой оперативной памяти

Компания Samsung Electronics сегодня объявила о начале серийного производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти DDR5 DRAM на базе новейшего технологического процесса 12-нм класса. Применение данной технологии позволяет снизить энергопотребление чипов, а также получать больше микросхем с одной пластины.

 Источник изображений: Samsung Newsroom

Источник изображений: Samsung Newsroom

«Используя дифференцированный технологический процесс, ведущая в отрасли память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung обеспечивает выдающуюся производительность и энергоэффективность. Наша последняя версия DRAM отражает наше постоянное стремление лидировать на рынке DRAM не только с помощью высокопроизводительных и высокоёмких продуктов, которые удовлетворяют потребности вычислительного рынка в крупномасштабной обработке данных, но и путём коммерциализации решений следующего поколения, поддерживающих более высокую производительность» — сказал Джуён Ли (Jooyoung Lee) исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung Electronics.

По сравнению с предыдущим поколением, новая память DDR5 DRAM класса 12 нм от Samsung снижает энергопотребление на 23 % и повышает выход микросхем с пластины на 20 %. в Samsung отмечают, что высокая энергоэффективность делает техпроцесс идеальным решением для глобальных ИТ-компаний, которые хотят снизить энергопотребление и выбросы углекислого газа в своих серверах и центрах обработки данных.

Разработка компанией Samsung техпроцесса класса 12 нм для выпуска чипов оперативной памяти стала возможной благодаря использованию нового материала (диэлектрика) со статической диэлектрической проницаемостью большей, чем у диоксида кремния (High-k), который помогает увеличить электрическую ёмкость ячейки. Большая ёмкость увеличивает разность электрических потенциалов в сигналах данных, что облегчает их точное различение.

Семейства 12-нанометровой памяти DDR5 DRAM предложит скорость до 7,2 Гбит/с (DDR5-7200). Samsung отметила, что данная оперативная память способна обработать два 30-гигабайтных UHD-фильма примерно за секунду.

Samsung завершила оценку совместимости 16-гигабитной DDR5 DRAM с платформами AMD в декабре прошлого года. Планируется, что новая линейка памяти будет использоваться в центрах обработки данных, для вычислений в области искусственного интеллекта и ещё широкого ряда задач.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
По итогам августа выручка от реализации полупроводниковых компонентов выросла на 20,6 % год к году 8 мин.
Samsung ускоряет подготовку к выпуску чипов по техпроцессам тоньше 2 нм 2 ч.
Жёсткие диски объёмом 60 Тбайт появятся уже через четыре года благодаря внедрению HAMR 7 ч.
Elecom анонсировала кабели USB4 2.0 — скорость до 80 Гбит/с плюс до 240 Вт питания 9 ч.
Смарт-часы Huawei Watch D2 с функцией измерения артериального давления поступили в продажу в России 9 ч.
Arctic подтвердила совместимость своих систем охлаждения с процессорами Arrow Lake-S 9 ч.
Rivian катится к закату: в 2024 году компания выпустит меньше электромобилей, чем в 2023-м 9 ч.
Суперкомпьютеры по талонам: Минцифры намерено выделять гранты на HPC/ИИ-вычисления 15 ч.
Российские покупатели iPhone 16 сбежали из магазинов в маркетплейсы 16 ч.
Lava Mobiles представила смартфон Agni 3 с 1,74-дюймовым сенсорным AMOLED-дисплеем на задней панели 16 ч.