Сегодня 03 июля 2024
18+
MWC 2018 2018 Computex IFA 2018
реклама
Новости Hardware

NXP и TSMC выпустят первую в отрасли высокоскоростную 16-нм память MRAM для автомобилей

Полупроводниковая компания NXP Semiconductors сообщила о сотрудничестве с тайваньским контрактным производителем микросхем TSMC в сфере выпуска магниторезистивной оперативной памяти (MRAM) для применения в автомобилях, которая впервые в данной сфере будет построена на 16-нм техпроцессе FinFET.

 Источник изображения: NXP Semiconductors

Источник изображения: NXP Semiconductors

Поскольку автопроизводители активно наращивают выпуск программно-конфигурируемых моделей авто, существует необходимость в поддержке выпуска нескольких поколений программных обновлений для одной аппаратной платформы. В NXP Semiconductors считают, что их процессоры S32 в сочетании с быстрой высоконадёжной энергонезависимой оперативной памятью следующего поколения, производимой по 16-нм технологии FinFET, представляют собой идеальную аппаратную платформу для таких задач.

По словам NXP Semiconductors, память MRAM способна обновить 20 Мбайт программного кода примерно за 3 секунды. Для сравнения, флеш-памяти требуется порядка одной минуты для выполнения той же задачи. Таким образом, использование MRAM-памяти сводит к минимуму время простоя, связанное с обновлением программного обеспечения, и позволяет автопроизводителям устранять узкие места, возникающие из-за длительного времени программирования модулей. Кроме того, MRAM-память способна обеспечить до миллиона циклов перезаписи и её уровень надёжности в 10 раз выше, чем у флеш-памяти и других новых технологий памяти.

Программные OTA-обновления позволяют автопроизводителям расширять функциональность своих автомобильных линеек, повышая комфорт, безопасность и удобство их использования владельцами. Поскольку практика оснащения автомобилей программными функциями становится все более распространённой, частота выпуска обновлений этих функций будет только увеличиваться. На фоне этого скорость и надёжность памяти MRAM станут ещё более важными, отмечают в NXP Semiconductors.

Технология встраиваемой MRAM-памяти на основе 16-нм техпроцесса FinFET компании TSMC значительно превосходит все требования, диктуемые сферой автомобилестроения. Она поддерживает технологию пайки расплавлением дозированного припоя, выдерживает до миллиона циклов перезаписи, а также способна обеспечить сохранение записанных на неё данных в течение 20 лет при экстремальной температуре до 150 градусов Цельсия.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Вечерний 3DNews
Каждый будний вечер мы рассылаем сводку новостей без белиберды и рекламы. Две минуты на чтение — и вы в курсе главных событий.
Материалы по теме
Прежде чем оставить комментарий, пожалуйста, ознакомьтесь с правилами комментирования. Оставляя комментарий, вы подтверждаете ваше согласие с данными правилами и осознаете возможную ответственность за их нарушение.
Все комментарии премодерируются.
Комментарии загружаются...

window-new
Soft
Hard
Тренды 🔥
Из-за ИИ выбросы парниковых газов у Google выросли на 48 % за пять лет 11 мин.
Dragon Age: The Veilguard позволит погрузиться в бесконечный кошмар и почувствовать себя богом — подробности настроек сложности 36 мин.
Игрок запустил петицию с требованием к Ubisoft отменить Assassin's Creed Shadows — её подписали уже 30 тысяч человек 2 ч.
Rockstar добавила в GTA Online частичку GTA VI 4 ч.
Neon White, The Case of the Golden Idol, новая игра от создателя Hohokum и не только: Microsoft раскрыла первую волну июльских новинок в Game Pass 6 ч.
Meta изменила подход к маркировке изображений, над которыми поработал ИИ 6 ч.
Еженедельный чарт Steam: Forza Horizon 4 ворвалась в тройку лучших после объявления о снятии с продажи 6 ч.
Чтобы смотреть Netflix без рекламы, подписчикам придётся платить больше 6 ч.
XIX ежегодная конференция «СПО в высшей школе»: чему учить студентов ИТ-специальностей и как сэкономить на виртуализации 8 ч.
В России стали чаще обнаруживать и блокировать фишинговые сайты 11 ч.