SK hynix вложит $1 млрд, чтобы сохранить лидерство в выпуске памяти для ИИ-ускорителей

Желая сохранить лидирующие позиции на рынке памяти типа HBM, которая стала крайне востребована на волне ИИ-бума, южнокорейская компания SK hynix в этом году вложит в расширение мощностей по её тестированию и упаковке в родной стране более $1 млрд. По оценкам сторонних экспертов, общая величина капитальных затрат SK hynix в этом году достигнет $10,5 млрд.

Источник изображения: SK hynix

Поскольку на упаковку памяти будет направлена одна десятая часть этого бюджета, то данное направление деятельности можно признать приоритетным, как поясняет Bloomberg. Руководит данным бизнесом Ли Кан-ук (Lee Kang-Wook), который ранее занимался подобной работой в Samsung Electronics. Комбинация различных полупроводниковых материалов и разработка новых методов соединений являются сферами специализации этого бывшего инженера Samsung. По его мнению, первые 50 лет развития полупроводниковой отрасли были посвящены начальным этапам создания компонентов, связанных с обработкой кремния, а последующие 50 лет будут посвящены технологиям упаковки чипов.

Непосредственно Ли Кан-ук принимал участие в разработки методов упаковки чипов памяти типа HBM2E, именно эти ноу-хау позволили SK hynix стать главным поставщиком подобной памяти для нужд NVIDIA с конца 2019 года. Будучи инженером Samsung, он с 2002 года руководил разработкой межслойных соединений в многоярусных полупроводниковых компонентах. Эта технология в дальнейшем легла в основу создания микросхем памяти HBM, которые в последнем поколении насчитывают по 12 ярусов, соединяемых между собой вертикально. Когда в 2013 году SK hynix и AMD первыми начали применять HBM в серийных продуктах, никто из конкурентов не мог последовать их примеру на протяжении двух лет, пока к концу 2015 года Samsung не представила HBM2. Ли Кан-ук перешёл на работу в SK hynix тремя годами позднее.

Сейчас SK hynix сотрудничает с японскими компаниями в разработке более совершенной технологии формирования вертикальных межсоединений в микросхемах памяти HBM. В конце февраля Samsung объявила о завершении разработки микросхем HBM3E с 12 слоями, которые могут обеспечить объём памяти до 36 Гбайт в одном стеке. Micron Technology в то же время объявила о начале выпуска 8-слойной памяти HBM3E, которая может предложить объём до 24 Гбайт в одном стеке. Считается, что NVIDIA будет получать такие микросхемы от обоих конкурентов SK hynix. Помимо развития предприятий по упаковке HBM на территории Южной Кореи, SK hynix готовится вложить несколько миллиардов долларов в реализации профильного проекта на территории США.